PD - 95947
汽车MOSFET
特点
l
l
l
l
l
l
IRFZ44VZPbF
IRFZ44VZSPbF
IRFZ44VZLPbF
HEXFET
功率MOSFET
D
先进的工艺技术
超低导通电阻
175 ° C工作温度
快速开关
重复性雪崩中允许多达TJMAX
LEAD -FREE
V
DSS
= 60V
R
DS （ ON）
= 12m
描述
专为汽车应用，
这HEXFET
功率MOSFET采用了最新的
加工技术，以实现极低的导通
每硅片面积的阻力。的附加功能
这样的设计是175 ° C的结温工作
TURE ，开关速度快，提高了重复
雪崩额定值。这些功能结合起来，使
这种设计的一个非常有效和可靠的设备
在汽车应用中使用，各种
的其他应用程序。
G
S
I
D
= 57A
TO-220AB
IRFZ44VZPbF
TO-262
D
2
PAK
IRFZ44VZSPbF IRFZ44VZLPbF
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C连续漏电流， V
GS
@ 10V
（硅有限公司）
I
D
@ T
C
= 100℃连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
I
DM
马克斯。
57
40
230
92
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
P
D
@T
C
= 25 °C功耗
线性降额因子
V
GS
栅极 - 源极电压
E
AS （限热）
单脉冲雪崩能量
单脉冲雪崩能量测试值
E
AS
（测试）
d
0.61
± 20
I
AR
E
AR
T
J
T
英镑
雪崩电流
重复性雪崩能量
工作结
存储温度范围
h
73
110
看到图12a ， 12b中，15，16
-55 + 175
g
i
°C
300 （ 1.6毫米从案例）
10磅的（ 1.1N M）
焊接温度，持续10秒
安装扭矩， 6-32或M3螺丝
热阻
参数
R
θJC
R
θCS
R
θJA
R
θJA
结到外壳
外壳到散热器，平板油脂润滑表面
结到环境
y
y
典型值。
马克斯。
1.64
–––
62
40
单位
° C / W
i
i
–––
0.50
–––
–––
结到环境（印刷电路板安装）
www.irf.com
j
1
11/16/04
IRFZ44VZS/LPbF
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
政府飞行服务队
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
输出电容
有效输出电容
分钟。典型值。马克斯。单位
60
–––
–––
2.0
25
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
0.061
9.6
–––
–––
–––
–––
–––
–––
43
11
18
14
62
35
38
4.5
7.5
1690
270
130
1870
260
510
–––
–––
12
4.0
–––
20
250
200
-200
65
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
nH
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
pF
ns
nC
nA
V
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V / ℃参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
毫欧V
GS
= 10V ，我
D
= 34A
V
V
A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
DS
= 25V ，我
D
= 34A
V
DS
= 60V, V
GS
= 0V
V
DS
= 60V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
I
D
= 34A
V
DS
= 48V
V
GS
= 10V
V
DD
= 30V
I
D
= 34A
R
G
= 12
V
GS
= 10V
e
e
e
铅之间，
6毫米（0.25英寸）。
从包
而中心的模具接触
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz的
G
D
S
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V ， = 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 48V ， = 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至48V
f
源极 - 漏极额定值和特性
参数
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
23
17
57
A
230
1.3
35
26
V
ns
nC
条件
MOSFET符号
展示
整体反转
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= 34A ，V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C，I
F
= 34A ，V
DD
= 30V
的di / dt = 100A / μs的
e
e
固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的
2
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IRFZ44VZS/LPbF
3000
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
ISS = C GS + C GD ，C DS短路
RSS = C GD
OSS = C DS + C GD
20
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
ID = 34A
VDS = 48V
VDS = 30V
VDS = 12V
2500
16
C，电容（pF ）
2000
西塞
1500
12
8
1000
4
测试电路
见图13
500
科斯
CRSS
0
1
10
100
0
0
10
20
30
40
50
60
VDS ，漏极至源极电压（ V）
QG总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
1000.0
1000
在这一领域
限于由R DS （ ON）
100.0
T J = 175℃
10.0
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
ISD ，反向漏电流（ A）
100
10
100sec
1.0
T J = 25°C
VGS = 0V
1
TC = 25°C
TJ = 175℃
单脉冲
1
10
1msec
10msec
0.1
0.2
0.6
1.0
1.4
1.8
VSD ，源toDrain电压（ V）
0.1
100
1000
VDS ，漏toSource电压（V ）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
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60
2.5
50
RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻
（归一化）
ID = 34A
VGS = 10V
2.0
ID ，漏电流（ A）
40
30
1.5
20
1.0
10
0
25
50
75
100
125
150
175
0.5
-60 -40 -20
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
T J ，结温（ ° C）
T J ，结温（ ° C）
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
图10 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
10
热响应（Z thJC ）
1
D = 0.50
0.20
0.10
0.1
0.05
0.02
0.01
τ
J
R
1
R
1
τ
J
τ
1
τ
2
R
2
R
2
τ
C
τ
τ
2
RI（ ° C / W）
τi
（秒）
0.960
0.00044
0.680
0.00585
τ
1
0.01
CI-
τi /日
次I /日
单脉冲
（热反应）
0.001
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
注意事项：
1.占空比D = T1 / T2
2.峰值TJ = P DM X Zthjc +锝
0.01
0.1
T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）
图11 。
最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
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5
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