IRFZ10 ， SiHFZ10
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= 10 V
11
3.1
5.8
单身
D
特点
60
0.20
动态的dv / dt额定值
175°C的工作温度
快速开关
易于并联的
简单的驱动要求
铅（Pb ） ，免费提供
可用的
RoHS指令*
柔顺
TO-220
描述
第三代功率MOSFET Vishay公司提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和成本
有效性。
在TO- 220封装普遍首选的所有
商业工业应用的功率耗散
水平，以约50瓦的低热阻
和TO- 220封装低的成本导致其广泛
接受整个行业。
G
S
G
D
S
N沟道MOSFET
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
TO-220
IRFZ10PbF
SiHFZ10-E3
IRFZ10
SiHFZ10
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
a
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
b
最大功率耗散
峰值二极管恢复的dv / dt
c
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
安装力矩
10秒
6-32或M3螺丝
T
C
= 25 °C
E
AS
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
V
GS
在10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
GS
I
D
I
DM
极限
± 20
10
7.2
40
0.29
47
43
4.5
- 55 + 175
300
d
10
1.1
W / ℃，
mJ
W
V / ns的
°C
磅力·中
N·m的
A
单位
V
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。 V
DD
= 25 V ，起始物为
J
= 25℃时，L = 1.8毫亨，R
G
= 25
Ω,
I
AS
= 7.2 A（见图12 ） 。
C.我
SD
≤
10 A ， di / dt的
≤
90 A / μs的，V
DD
≤
V
DS
, T
J
≤
175 °C.
。 1.6毫米的情况。
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 90363
S- 81393 -REV 。 A， 07 -JUL- 08
www.vishay.com
1
IRFZ10 ， SiHFZ10
Vishay Siliconix公司
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
案件到水槽，平面，脂表面
最大结至外壳（漏）
符号
R
thJA
R
乡镇卫生院
R
thJC
典型值。
-
0.50
-
马克斯。
62
-
3.5
° C / W
单位
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
漏源导通电阻
正向跨导
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
向前开启时间
当前
a
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
MOSFET符号
展示
整体反转
P - N结二极管
D
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
DS
ΔV
DS
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
=
±
20
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 48 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 150 °C
V
GS
= 10 V
I
D
= 6.0 A
b
A
b
V
DS
= 25 V，I
D
= 6.0
V
GS
= 0 V
V
DS
= 25 V
F = 1.0兆赫，见图。五
I
D
= 10 A，V
DS
= 48 V,
参见图。 6和13
b
60
-
2.0
-
-
-
-
2.4
-
0.063
-
-
-
-
-
-
-
-
4.0
±
100
25
250
0.20
-
V
V /°C的
V
nA
A
Ω
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
V
GS
= 10 V
-
-
-
-
-
-
-
300
160
29
-
-
-
10
50
13
19
4.5
7.5
-
-
-
11
3.1
5.8
-
-
-
-
-
nH
-
ns
nC
pF
V
DD
= 30 V，I
D
= 10 A
R
G
= 24
Ω,
R
D
= 2.7
Ω,
参见图。 10
b
铅之间，
从6毫米（ 0.25" ）
封装中心
模具接触
-
-
-
D
-
-
G
S
-
-
-
-
-
-
-
-
70
0.20
10
A
40
1.6
140
0.40
V
ns
C
G
S
T
J
= 25 ° C，I
S
= 10 A，V
GS
= 0 V
b
T
J
= 25 ° C，I
F
= 10 A， di / dt的= 100 A / μs的
b
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
和L
D
)
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。脉冲宽度
≤
300微秒;占空比
≤
2 %.
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2
文档编号： 90363
S- 81393 -REV 。 A， 07 -JUL- 08
IRFZ10 ， SiHFZ10
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
图。 1 - 典型的输出特性，T
C
= 25 °C
图。 3 - 典型的传输特性
图。 2 - 典型的输出特性，T
C
= 175 °C
图。 4 - 归通电阻与温度的关系
文档编号： 90363
S- 81393 -REV 。 A， 07 -JUL- 08
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3
IRFZ10 ， SiHFZ10
Vishay Siliconix公司
图。 5 - 典型的电容与漏 - 源极电压
图。 7 - 典型的源漏二极管正向电压
图。 6 - 典型栅极电荷与栅极至源极电压
图。 8 - 最高安全工作区
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文档编号： 90363
S- 81393 -REV 。 A， 07 -JUL- 08
IRFZ10 ， SiHFZ10
Vishay Siliconix公司
r
D
V
DS
V
GS
r
G
D.U.T.
+
-
V
DD
10 V
脉冲宽度
≤
1 s
占空比
≤
0.1 %
图。 10A - 开关时间测试电路
V
DS
90 %
10 %
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
图。 9 - 最大漏极电流与外壳温度
图。 10B - 开关时间波形
图。 11 - 最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
L
异吨
p
获得
需要我
AS
r
G
V
DS
V
DS
t
p
V
DD
D.U.T
I
AS
+
-
V
DD
A
V
DS
10 V
t
p
0.01
Ω
I
AS
图。 12B - 松开电感的波形
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图。 12A - 非钳位感应测试电路
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S- 81393 -REV 。 A， 07 -JUL- 08
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Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
()
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= 10 V
11
3.1
5.8
单身
D
特点
60
0.20
动态的dv / dt额定值
175°C的工作温度
快速开关
易于并联的
简单的驱动要求
符合RoHS指令2002/95 / EC
可用的
RoHS指令*
柔顺
描述
第三代功率MOSFET Vishay公司提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和成本
有效性。
在TO- 220AB封装普遍首选的所有
商业工业应用的功率耗散
水平，以约50瓦的低热阻
和TO- 220AB低封装成本有助于其
整个行业的广泛认可。
TO-220AB
G
G
D
S
S
N沟道MOSFET
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
TO-220AB
IRFZ10PbF
SiHFZ10-E3
IRFZ10
SiHFZ10
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
a
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
b
最大功率耗散
峰值二极管恢复的dv / dt
c
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
安装力矩
10秒
6-32或M3螺丝
T
C
= 25 °C
E
AS
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
V
GS
在10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
极限
60
± 20
10
7.2
40
0.29
47
43
4.5
- 55 + 175
300
d
10
1.1
W / ℃，
mJ
W
V / ns的
°C
磅力·中
N·m的
A
单位
V
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。 V
DD
= 25 V ，起始物为
J
= 25℃时，L = 1.8毫亨，R
g
= 25
,
I
AS
= 7.2 A（见图12 ） 。
C.我
SD
10
A， di / dt的
90
A / μs的，V
DD
V
DS
, T
J
175
°C.
。 1.6毫米的情况。
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 90363
S11-0511 -REV 。 C， 21 -MAR- 11
www.vishay.com
1
将该数据资料如有更改，恕不另行通知。
和描述一下产品数据表受到特定免责声明，阐明的AT
www.vishay.com/doc?91000
IRFZ10 ， SiHFZ10
Vishay Siliconix公司
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
案件到水槽，平面，脂表面
最大结至外壳（漏）
符号
R
thJA
R
乡镇卫生院
R
thJC
典型值。
-
0.50
-
马克斯。
62
-
3.5
° C / W
单位
特定网络阳离子
(T
J
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
漏源导通电阻
正向跨导
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
向前开启时间
当前
a
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
MOSFET符号
展示
整体反转
P - N结二极管
D
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
DS
V
DS
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 μA
参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 μA
V
GS
=
20
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 48 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 150 °C
V
GS
= 10 V
I
D
= 6.0 A
b
V
DS
= 25 V，I
D
= 6.0 A
b
V
GS
= 0 V
V
DS
= 25 V
F = 1.0兆赫，见图。五
I
D
= 10 A，V
DS
= 48 V,
参见图。 6和13
b
60
-
2.0
-
-
-
-
2.4
-
0.063
-
-
-
-
-
-
-
-
4.0
100
25
250
0.20
-
V
V /°C的
V
nA
μA
S
-
-
-
-
300
160
29
-
-
-
10
50
13
19
4.5
7.5
-
-
-
11
3.1
5.8
-
-
-
-
-
nH
-
ns
nC
pF
V
GS
= 10 V
-
-
-
V
DD
= 30 V，I
D
= 10 A
R
g
= 24
,
R
D
= 2.7 ，见图。 10
b
铅之间，
从6毫米（ 0.25" ）
封装中心
模具接触
-
-
-
D
-
-
G
S
-
-
-
-
-
-
-
-
70
0.20
10
A
40
1.6
140
0.40
V
ns
μC
G
S
T
J
= 25 ° C，I
S
= 10 A，V
GS
= 0 V
b
T
J
= 25 ° C，I
F
= 10 A， di / dt的= 100 A / μs的
b
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
和L
D
)
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。脉冲宽度
300微秒;占空比
2 %.
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2
文档编号： 90363
S11-0511 -REV 。 C， 21 -MAR- 11
将该数据资料如有更改，恕不另行通知。
和描述一下产品数据表受到特定免责声明，阐明的AT
www.vishay.com/doc?91000
IRFZ10 ， SiHFZ10
Vishay Siliconix公司
典型特征
（25℃ ，除非另有说明）
图。 1 - 典型的输出特性，T
C
= 25 °C
图。 3 - 典型的传输特性
图。 2 - 典型的输出特性，T
C
= 175 °C
图。 4 - 归通电阻与温度的关系
文档编号： 90363
S11-0511 -REV 。 C， 21 -MAR- 11
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3
将该数据资料如有更改，恕不另行通知。
和描述一下产品数据表受到特定免责声明，阐明的AT
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IRFZ10 ， SiHFZ10
Vishay Siliconix公司
图。 5 - 典型的电容与漏 - 源极电压
图。 7 - 典型的源漏二极管正向电压
图。 6 - 典型栅极电荷与栅极至源极电压
图。 8 - 最高安全工作区
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S11-0511 -REV 。 C， 21 -MAR- 11
将该数据资料如有更改，恕不另行通知。
和描述一下产品数据表受到特定免责声明，阐明的AT
www.vishay.com/doc?91000
IRFZ10 ， SiHFZ10
Vishay Siliconix公司
R
D
V
DS
V
GS
R
g
D.U.T.
+
-
V
DD
10 V
脉冲宽度
≤
1 s
占空比
≤
0.1 %
图。 10A - 开关时间测试电路
V
DS
90 %
10 %
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
图。 9 - 最大漏极电流与外壳温度
图。 10B - 开关时间波形
图。 11 - 最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
文档编号： 90363
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和描述一下产品数据表受到特定免责声明，阐明的AT
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