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ICS613
L
OW
P
HASE
N
OISE
C
LOCK
M
ULTIPLIER
描述
该ICS613是一种低成本,低相位噪声,高
高性能时钟合成器的任何应用程序
需要低相位噪声和低抖动。这是ICS “最低
相位噪声倍频。使用ICS的专利模拟和
数字锁相环( PLL)的技术,该芯片
可以接受一个25MHz的晶振或时钟输入,并
产生输出时钟高达157.5兆赫。
该芯片具有独立电源的时钟
输出,从而允许每个输出在不同的运行
电压。它也允许在操作该芯片的核心
3.3V ,而输出时钟在2.5V或3.3V运行。
特点
封装在16引脚SOIC
可在Pb(铅)免费包装
使用基本的25MHz晶振或时钟
3.3 V工作电压
单独的输出电源电压可在运行
2.5 V或3.3 V
输出时钟高达157.5兆赫
低相位噪声: -110 dBc的/赫兹在10千赫
36 ps的低抖动( 1西格玛)
先进的低功率,亚微米CMOS工艺
框图
2
VDD
VDDO1
X1/ICLK
晶体或
时钟输入
水晶
振荡器
X2
参考
分频器
比较器,
电荷泵,
和环路滤波器
VCO
分频器
VCO
产量
分频器
CLK1
电容必须使用
与晶体输入
CLK2
3
S2 : SO
5 GND
VDDO2
MDS 613
1
修订版111204
集成电路系统公司
525马街,圣何塞,加利福尼亚95126
电话:( 408 ) 297-1201
www.icst.com
ICS613
L
OW
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N
OISE
C
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M
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引脚分配
时钟选择表
S2 S1 S0
输入
25
25
25
25
25
25
25
25
X1 / IC LK
S0
S2
VD
GND
VD D 2 O 2
LK2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
X2
S1
GND
VD
GND
VD D 0 1
LK1
GND
输出( CLK1
和CLK2 )
125
156.25
143.75
150
146.875
157.5
140
156.25
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
1
0
1
0
1
0
1
16引脚(150米IL ) SO IC
引脚说明
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
名字
XI / ICLK
S0
S2
VDD
GND
VDDO2
CLK2
GND
GND
CLK1
VDDO1
GND
VDD
GND
S1
X2
TYPE
输入
输入
输入
动力
动力
动力
产量
动力
动力
产量
动力
动力
动力
动力
输入
输入
引脚说明
晶体连接。连接到一个25 MHz的晶振或时钟。
选择引脚0内部上拉下来。
选择引脚2.内部上拉下来。
连接到+ 3.3V 。必须是相同的销13 。
连接到地面。
输出VDD为CLK2 。连接到无论是+ 2.5V或+ 3.3V 。
CLK2输出。频率基于以上表格。
连接到地面。
连接到地面。
CLK1输出。频率基于以上表格。
输出VDD为CLK1 。连接到无论是+ 2.5V或+ 3.3V 。
连接到地面。
连接到+ 3.3V 。必须是相同的引脚4 。
Conenct接地。
选择引脚1内部上拉。
晶体连接。连接到一个25 MHz的晶振。离开
悬空的时钟输入。
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L
OW
P
HASE
N
OISE
C
LOCK
M
ULTIPLIER
外部元件的选择
该ICS613需要外部的最小数量
组件正常工作。
地面上。这些电容器用于调节的杂散
电路板的电容相匹配的名义上
所需的晶体负载电容。由于负载
电容只能在此修整增加
过程中,要保持杂散电容到是很重要的
最低用很短的PCB走线(无孔)
一直晶体和器件。水晶电容必须
从各引脚X1和X2到地面的连接。
这些水晶瓶盖的值(单位为pF )应该等于
(C
L
-6pF )* 2 。在这个方程,C
L
=晶体负载
电容的单位为pF 。
例如:对于具有16 pF负载电容的晶体,
每个晶体电容是20 pF的[ ( 16-6 )× 2 = 20 。
去耦电容
0.01μF的去耦电容应连接
VDD和GND引脚4和对5 , 6引脚之间
并且如图8所示,销11和9 ,以及销13和14的接近
该ICS613越好。为确保最佳的设备
性能,去耦电容应
安装在印刷电路板的元件侧。避免
使用在去耦电路的通孔。
系列终端电阻
当时钟输出之间的PCB走线和
负载超过1英寸,串联端接应
使用。以系列终止50Ω迹(常用
常用的走线阻抗)放置一个33Ω的电阻串联
与时钟线,尽量靠近时钟输出引脚
可能。时钟输出的额定阻抗是
20.
减少抖动和相位噪声
对于应用程序只需要一个输出,抖动和
相位噪声可以通过把未使用的减少
VDDO接地。这将停止输出时钟低
这将导致在活动较少的开关噪声
输出。
水晶调节负载电容
该器件晶振连接应包括垫
小电容器从X1到地面和从X2到
绝对最大额定值
上面讲下面列出的收视率可能会导致对ICS613永久性损坏。这些评价,其中
对于ICS商业额定零件标准值,只是应力额定值。的功能操作
器件在这些或以上的任何其他条件的业务部门所标明
规格是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下长时间可以
影响产品的可靠性。电气参数只能在推荐工作保障
温度范围。
电源电压(VDD)
所有输入和输出
工作环境温度
储存温度
焊接温度
7V
等级
-0.5V到VDD + 0.5V
0至+ 70°C
-65到+ 150°C
260°C
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推荐工作条件
参数
工作环境温度
电源电压(相对于GND测量)
分钟。
0
+3.15
典型值。
马克斯。
+70
+3.45
单位
°C
V
DC电气特性
VDD = 3.3V ± 5 %
,环境温度0 + 70 ° C,除非另有说明
参数
工作电压
输出电压
输出高电压
输出低电压
输出高电压( CMOS
级)
输入高电压( S2 : S0 )
输入低电压( S2 : S0 )
工作电源电流
短路电流
符号
VDD
VDDO
V
OH
V
OL
V
OH
V
IH
V
IL
国际直拨电话
I
OS
条件
分钟。
3.15
2.375
典型值。
马克斯。
3.45
VDD
0.4
单位
V
V
V
V
V
V
I
OH
= -12毫安
I
OL
= 12毫安
I
OH
= -4毫安
2.4
VDD-0.4
2.5
0.5
V
mA
mA
空载
27
±50
AC电气特性
VDD = 3.3V ± 5 %
,环境温度0 + 70 ° C,除非另有说明
参数
输入频率
输出频率
输出上升时间
输出下降时间
输出上升时间
输出下降时间
输出时钟占空比
符号
f
in
f
OUT
t
OR
t
OF
t
OR
t
OF
t
D
条件
分钟。
125
典型值。
25
马克斯。
157.5
单位
兆赫
兆赫
ps
ps
20 %至80% ,C
L
=15pF,
VDD=3.3V
80 %至20% ,C
L
=15pF,
VDD=3.3V
20 %至80% ,C
L
=15pF,
VDDO’s=2.5V
80 %至20% ,C
L
=15pF,
VDDO’s=2.5V
在VDDO的/ 2 ,C
L
=15pF
45
700
700
1.0
1.0
50
55
ns
ns
%
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参数
最大输出抖动,
短期
最多一个西格玛抖动
相位噪声,相对于
运营商, 125 MHz的
相位噪声,相对于
运营商, 125 MHz的
相位噪声,相对于
运营商, 125 MHz的
相位噪声,相对于
运营商, 125 MHz的
SKEW
符号
t
J
t
SJ
条件
C
L
= 15pF的, 125MHz的输出
C
L
= 15pF的, 125MHz的输出
100 Hz的偏移
1 kHz偏置
10 kHz偏置
100 kHz偏置
VDDO1=VDDO2
分钟。
典型值。
±30
8
-90
-115
-120
-115
0
马克斯。
±60
20
单位
ps
ps
dBc的/赫兹
dBc的/赫兹
dBc的/赫兹
dBc的/赫兹
250
ps
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ULTIPLIER
描述
该ICS613是一种低成本,低相位噪声,高
高性能时钟合成器的任何应用程序
需要低相位噪声和低抖动。这是ICS “最低
相位噪声倍频。使用ICS的专利模拟和
数字锁相环( PLL)的技术,该芯片
可以接受一个25MHz的晶振或时钟输入,并
产生输出时钟高达157.5兆赫。
该芯片具有独立电源的时钟
输出,从而允许每个输出在不同的运行
电压。它也允许在操作该芯片的核心
3.3V ,而输出时钟在2.5V或3.3V运行。
特点
封装在16引脚SOIC
可在Pb(铅)免费包装
使用基本的25MHz晶振或时钟
3.3 V工作电压
单独的输出电源电压可在运行
2.5 V或3.3 V
输出时钟高达157.5兆赫
低相位噪声: -110 dBc的/赫兹在10千赫
36 ps的低抖动( 1西格玛)
先进的低功率,亚微米CMOS工艺
框图
2
VDD
VDDO1
X1/ICLK
晶体或
时钟输入
水晶
振荡器
X2
参考
分频器
比较器,
电荷泵,
和环路滤波器
VCO
分频器
VCO
产量
分频器
CLK1
电容必须使用
与晶体输入
CLK2
3
S2 : SO
5 GND
VDDO2
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引脚分配
时钟选择表
S2 S1 S0
输入
25
25
25
25
25
25
25
25
X1 / IC LK
S0
S2
VD
GND
VD D 2 O 2
LK2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
X2
S1
GND
VD
GND
VD D 0 1
LK1
GND
输出( CLK1
和CLK2 )
125
156.25
143.75
150
146.875
157.5
140
156.25
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
1
0
1
0
1
0
1
16引脚(150米IL ) SO IC
引脚说明
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
名字
XI / ICLK
S0
S2
VDD
GND
VDDO2
CLK2
GND
GND
CLK1
VDDO1
GND
VDD
GND
S1
X2
TYPE
输入
输入
输入
动力
动力
动力
产量
动力
动力
产量
动力
动力
动力
动力
输入
输入
引脚说明
晶体连接。连接到一个25 MHz的晶振或时钟。
选择引脚0内部上拉下来。
选择引脚2.内部上拉下来。
连接到+ 3.3V 。必须是相同的销13 。
连接到地面。
输出VDD为CLK2 。连接到无论是+ 2.5V或+ 3.3V 。
CLK2输出。频率基于以上表格。
连接到地面。
连接到地面。
CLK1输出。频率基于以上表格。
输出VDD为CLK1 。连接到无论是+ 2.5V或+ 3.3V 。
连接到地面。
连接到+ 3.3V 。必须是相同的引脚4 。
Conenct接地。
选择引脚1内部上拉。
晶体连接。连接到一个25 MHz的晶振。离开
悬空的时钟输入。
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外部元件的选择
该ICS613需要外部的最小数量
组件正常工作。
地面上。这些电容器用于调节的杂散
电路板的电容相匹配的名义上
所需的晶体负载电容。由于负载
电容只能在此修整增加
过程中,要保持杂散电容到是很重要的
最低用很短的PCB走线(无孔)
一直晶体和器件。水晶电容必须
从各引脚X1和X2到地面的连接。
这些水晶瓶盖的值(单位为pF )应该等于
(C
L
-6pF )* 2 。在这个方程,C
L
=晶体负载
电容的单位为pF 。
例如:对于具有16 pF负载电容的晶体,
每个晶体电容是20 pF的[ ( 16-6 )× 2 = 20 。
去耦电容
0.01μF的去耦电容应连接
VDD和GND引脚4和对5 , 6引脚之间
并且如图8所示,销11和9 ,以及销13和14的接近
该ICS613越好。为确保最佳的设备
性能,去耦电容应
安装在印刷电路板的元件侧。避免
使用在去耦电路的通孔。
系列终端电阻
当时钟输出之间的PCB走线和
负载超过1英寸,串联端接应
使用。以系列终止50Ω迹(常用
常用的走线阻抗)放置一个33Ω的电阻串联
与时钟线,尽量靠近时钟输出引脚
可能。时钟输出的额定阻抗是
20.
减少抖动和相位噪声
对于应用程序只需要一个输出,抖动和
相位噪声可以通过把未使用的减少
VDDO接地。这将停止输出时钟低
这将导致在活动较少的开关噪声
输出。
水晶调节负载电容
该器件晶振连接应包括垫
小电容器从X1到地面和从X2到
绝对最大额定值
上面讲下面列出的收视率可能会导致对ICS613永久性损坏。这些评价,其中
对于ICS商业额定零件标准值,只是应力额定值。的功能操作
器件在这些或以上的任何其他条件的业务部门所标明
规格是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下长时间可以
影响产品的可靠性。电气参数只能在推荐工作保障
温度范围。
电源电压(VDD)
所有输入和输出
工作环境温度
储存温度
焊接温度
7V
等级
-0.5V到VDD + 0.5V
0至+ 70°C
-65到+ 150°C
260°C
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推荐工作条件
参数
工作环境温度
电源电压(相对于GND测量)
分钟。
0
+3.15
典型值。
马克斯。
+70
+3.45
单位
°C
V
DC电气特性
VDD = 3.3V ± 5 %
,环境温度0 + 70 ° C,除非另有说明
参数
工作电压
输出电压
输出高电压
输出低电压
输出高电压( CMOS
级)
输入高电压( S2 : S0 )
输入低电压( S2 : S0 )
工作电源电流
短路电流
符号
VDD
VDDO
V
OH
V
OL
V
OH
V
IH
V
IL
国际直拨电话
I
OS
条件
分钟。
3.15
2.375
典型值。
马克斯。
3.45
VDD
0.4
单位
V
V
V
V
V
V
I
OH
= -12毫安
I
OL
= 12毫安
I
OH
= -4毫安
2.4
VDD-0.4
2.5
0.5
V
mA
mA
空载
27
±50
AC电气特性
VDD = 3.3V ± 5 %
,环境温度0 + 70 ° C,除非另有说明
参数
输入频率
输出频率
输出上升时间
输出下降时间
输出上升时间
输出下降时间
输出时钟占空比
符号
f
in
f
OUT
t
OR
t
OF
t
OR
t
OF
t
D
条件
分钟。
125
典型值。
25
马克斯。
157.5
单位
兆赫
兆赫
ps
ps
20 %至80% ,C
L
=15pF,
VDD=3.3V
80 %至20% ,C
L
=15pF,
VDD=3.3V
20 %至80% ,C
L
=15pF,
VDDO’s=2.5V
80 %至20% ,C
L
=15pF,
VDDO’s=2.5V
在VDDO的/ 2 ,C
L
=15pF
45
700
700
1.0
1.0
50
55
ns
ns
%
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OW
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N
OISE
C
LOCK
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参数
最大输出抖动,
短期
最多一个西格玛抖动
相位噪声,相对于
运营商, 125 MHz的
相位噪声,相对于
运营商, 125 MHz的
相位噪声,相对于
运营商, 125 MHz的
相位噪声,相对于
运营商, 125 MHz的
SKEW
符号
t
J
t
SJ
条件
C
L
= 15pF的, 125MHz的输出
C
L
= 15pF的, 125MHz的输出
100 Hz的偏移
1 kHz偏置
10 kHz偏置
100 kHz偏置
VDDO1=VDDO2
分钟。
典型值。
±30
8
-90
-115
-120
-115
0
马克斯。
±60
20
单位
ps
ps
dBc的/赫兹
dBc的/赫兹
dBc的/赫兹
dBc的/赫兹
250
ps
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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