PD - 91290C
功率MOSFET
直通孔（ TO- 257AA ）
产品概述
产品型号
IRFY340C
IRFY340CM
IRFY340C,IRFY340CM
400V N沟道
HEXFET
MOSFET技术
R
DS （ ON）
0.55
0.55
I
D
8.7A
8.7A
鸡眼
陶瓷的
陶瓷的
HEXFET
MOSFET技术的关键在于国际
IR的先进线路的功率MOSFET晶体管。该
高效的几何设计实现的状态非常低的重
sistance结合高跨导。
HEXFET
晶体管还具有所有的行之有效的研华的
MOSFET的每日新闻，诸如电压控制，速度非常快开关
荷兰国际集团，易于并联的电气和温度参数
稳定。它们非常适合用于诸如开关
荷兰国际集团的电源，电机控制，逆变器，砍砸器，
音频放大器，高能量脉冲电路，而且几乎
在需要高可靠性的应用程序。该
HEXFET
晶体管的完全隔离封装消除了
需要用于设备之间的附加绝缘材料
和散热器。这提高了热效率和
降低了漏极电容。
TO-257AA
产品特点：
n
n
n
n
n
n
简单的驱动要求
易于并联的
密封式
电气隔离
陶瓷鸡眼
非常适合用于空间层次
应用
绝对最大额定值
参数
ID @ VGS = 10V ， TC = 25°C连续漏电流
ID @ VGS = 10V ， TC = 100 ℃的连续漏电流
IDM
PD @ TC = 25°C
VGS
EAS
IAR
EAR
dv / dt的
TJ
T英镑
漏电流脉冲
马克斯。功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度
重量
对于脚注参考最后一页
8.7
5.5
35
100
0.8
±20
520
8.7
10
4.0
-55到150
300 （ 0.063英寸/ 1.6毫米的情况下，持续10秒）
4.3 （典型值）
W
W / ℃，
单位
A
V
mJ
A
mJ
V / ns的
o
C
g
www.irf.com
1
4/18/01
IRFY340C ， IRFY340CM
电气特性
@ TJ = 25 ° C（除非另有说明）
参数
BVDSS
漏极至源极击穿电压
ΔBV
细数DSS / ΔT 温度系数
电压
RDS （ ON）
静态漏 - 源极导通状态
阻力
VGS （ TH）
栅极阈值电压
政府飞行服务队
正向跨导
IDSS
零栅极电压漏极电流
民
400
—
—
2.0
4.9
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值最大值单位
—
0.46
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
6.8
—
—
0.55
4.0
—
25
250
100
-100
65
10
40.5
25
92
79
58
—
V
V /°C的
V
S( )
A
测试条件
VGS = 0V ，ID = 1.0毫安
参考至25℃ ， n = 1.0毫安
VGS = 10V ，ID = 5.5A
VDS = VGS ，ID = 250μA
VDS > 15V ， IDS = 5.5A
VDS = 320V ， VGS = 0V
VDS = 320V ，
VGS = 0V ， TJ = 125°C
VGS = 20V
VGS = -20V
VGS = 10V ，ID = 8.7A
VDS = 200V
VDD = 200V ， ID = 8.7A ，
RG = 9.1Ω
IGSS
IGSS
Qg
Q GS
Q GD
td
（上）
tr
td
（关闭）
tf
LS + LD
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（米勒?? ??）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总电感
nA
nC
ns
nH
从测得的漏极引线（6毫米/ 0.25英寸从
包）源铅（6毫米/ 0.25英寸从
包）
西塞
OSS
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
—
—
—
1400
350
230
—
—
—
pF
VGS = 0V ， VDS = 25V
F = 1.0MHz的
源极 - 漏极二极管额定值和特性
参数
IS
ISM
VSD
吨RR
Q RR
吨
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
最小典型最大单位
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
8.7
35
1.5
600
5.6
测试条件
A
V
nS
C
T
j
= 25°C ， IS = 8.7A ， VGS = 0V
TJ = 25°C ， IF = 8.7A ， di / dt的
≤
100A/s
VDD
≤
50V
固有的导通时间是可以忽略不计。接通速度基本上由LS + LD控制。
热阻
参数
RthJC
RthCS
RthJA
结到外壳
外壳到散热器
结到环境
最小典型最大单位
—
—
—
— 1.25
0.21 —
—
80
° C / W
测试条件
典型的插座安装
注：对应的香料和军刀车型可在G&S网站。
对于脚注参考最后一页
2
www.irf.com
IRFY310
尺寸以毫米（英寸） 。
10.6 (0.42)
0.8
(0.03)
4.6 (0.18)
16.5 (0.65)
3.70直径。喃
N沟道MOSFET的
一个密封
TO257AB金属封装。
1.5(0.53)
10.6 (0.42)
1 2 3
12.70 （ 0.50分）
V
DSS
= 400V
I
D
= 1.2A
R
DS （ ON）
= 4.15
所有Semelab密封产品可以
在按照要求处理
BS ， CECC和JAN ， JANTX ， JANTXV和
JANS规范。
2.54 (0.1)
BSC
1.0
(0.039)
2.70
(0.106)
TO257AB （ TO220M ）
引脚配置
1 - 门
2 - 漏
案例 - 来源
参数
V
DSS
I
D
P
D
R
DS （ ON）
C
国际空间站
Q
g
t
TD （上）
t
tr
t
TD （关闭）
t
f
漏极 - 源极击穿电压
连续漏电流
功耗
静态漏 - 源极导通电阻
输入电容
总栅极电荷
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
分钟。
典型值。
马克斯。
400
1.2
11
4.15
单位
V
A
W
pF
nC
ns
ns
ns
ns
170
8.4
15
20
35
30
这是一个简易模式数据表。对于一个完整的数据表，请联系
sales@semelab.co.uk 。
Semelab Plc的保留改变试验条件，参数限制和封装尺寸，恕不另行通知。提供的信息Semelab信
是既准确又可靠，在即将出版的时间。然而Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。
Semelab PLC 。
电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612 。
电子信箱：
sales@semelab.co.uk
网址：
http://www.semelab.co.uk
产生
13-Sep-02
QQ：2881677436 复制
