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PD- 95537

开关电源MOSFET

IRFB33N15DPbF

IRFS33N15DPbF

IRFSL33N15DPbF

HEXFET

功率MOSFET

应用

l

高频DC- DC转换器

l

LEAD -FREE

好处

l

低栅极 - 漏极电荷降低

开关损耗

l

充分界定电容含

有效的C

OSS

为简化设计，（见

应用程序。注AN1001 ）

l

充分界定雪崩电压

和电流

V

DSS

150V

R

DS （ ON）

最大

0.056

I

D

33A

TO-220AB

IRFB33N15D

D

2

PAK

IRFS33N15D

TO-262

IRFSL33N15D

绝对最大额定值

参数

I

D

@ T

C

= 25°C

I

D

@ T

C

= 100°C

I

DM

P

D

@T

A

= 25°C

P

D

@T

C

= 25°C

V

GS

dv / dt的

T

J

T

英镑

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流， V

GS

@ 10V

漏电流脉冲

功耗

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

峰值二极管恢复的dv / dt

工作结

存储温度范围

焊接温度，持续10秒

安装torqe ， 6-32或M3螺丝？

马克斯。

33

24

130

3.8

170

1.1

± 30

4.4

-55 + 175

300 （ 1.6毫米从案例）

10磅在（ 1.1N m）的

单位

A

W

W / ℃，

V

V / ns的

°C

典型SMPS拓扑

l

电信48V输入有源钳位正激变换器

笔记

通过

在第11页

www.irf.com

1

7/21/04

IRFB/IRFS/IRFSL33N15DPbF

参数

V

（ BR ） DSS

漏极至源极击穿电压

V

（ BR ） DSS

/T

J

击穿电压温度。系数

R

DS （ ON）

静态漏 - 源极导通电阻

V

GS （ TH）

栅极阈值电压

I

DSS

I

GSS

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

参数

正向跨导

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

输出电容

输出电容

有效输出电容

静态@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

分钟。典型值。马克斯。单位

条件

150 ––– –––

V

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

--- 0.18 --- V / ° C参考到25° C，I

D

= 1毫安

––– ––– 0.056

V

GS

= 10V ，我

D

= 20A

3.0

––– 5.5

V

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250A

––– ––– 25

V

DS

= 150V, V

GS

= 0V

A

––– ––– 250

V

DS

= 120V, V

GS

= 0V ，T

J

= 150°C

––– ––– 100

V

GS

= 30V

nA

––– ––– -100

V

GS

= -30V

分钟。

14

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

典型值。

–––

60

17

27

13

38

23

21

2020

400

91

2440

180

320

MAX 。单位

条件

–––

S

V

DS

= 50V ，我

D

= 20A

90

I

D

= 20A

26

NC V

DS

= 120V

41

V

GS

= 10V,

–––

V

DD

= 75V

–––

I

D

= 20A

ns

–––

R

G

= 3.6

–––

V

GS

= 10V

–––

V

GS

= 0V

–––

V

DS

= 25V

–––

pF

= 1.0MHz的？

–––

V

GS

= 0V, V

DS

= 1.0V ， = 1.0MHz的

–––

V

GS

= 0V, V

DS

= 120V ， = 1.0MHz的

–––

V

GS

= 0V, V

DS

= 0V至120V

动态@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

g

fs

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

C

OSS

C

OSS

C

OSS

EFF 。

雪崩特性

参数

E

AS

I

AR

E

AR

单脉冲雪崩能量????

雪崩电流？

重复性雪崩能量？

典型值。

–––

–––

–––

马克斯。

330

20

17

单位

mJ

A

mJ

热阻

参数

R

θJC

R

θCS

R

θJA

R

θJA

结到外壳

案件到水槽，平面，脂表面

结至环境？

结至环境？

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向RecoveryCharge

向前开启时间

典型值。

–––

0.50

–––

–––

马克斯。

0.90

–––

62

40

单位

° C / W

二极管的特性

分钟。典型值。马克斯。单位

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

t

on

条件

D

MOSFET符号

33

––– –––

展示

A

G

整体反转

––– ––– 130

S

p-n结二极管。

––– ––– 1.3

V

T

J

= 25 ° C，I

S

= 20A ，V

GS

= 0V

––– 150 –––

ns

T

J

= 25 ° C，I

F

= 20A

––– 920 –––

nC

的di / dt = 100A / μs的

固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主

S

+L

D

)

2

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IRFB/IRFS/IRFSL33N15DPbF

1000

VGS

15V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

5.0V

BOTTOM 4.5V

顶部

1000

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

100

10

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

100

VGS

15V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

5.0V

BOTTOM 4.5V

顶部

10

1

4.5V

20μs的脉冲宽度

T

J

= 25

°

C

1

10

100

4.5V

20μs的脉冲宽度

T

J

= 175

°

C

1

10

100

0.1

0.1

1

0.1

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

1000

3.0

R

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

（归一化）

I

D

= 33A

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

2.5

100

T

J

= 175

°

C

10

2.0

1.5

T

J

= 25

°

C

1

1.0

0.5

0.1

V DS = 50V

20μs的脉冲宽度

4

5

6

7

8

9

10

11

12

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

0.0

-60 -40 -20 0

V

GS

= 10V

20 40 60 80 100 120 140 160 180

T

J

，结温（

°

C)

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

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3

IRFB/IRFS/IRFSL33N15DPbF

100000

20

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

VGS = 0V，

F = 1 MHz的

西塞= C + Cgd的，C

gs

DS短路

CRSS = C

gd

COSS = C + Cgd的

ds

I

D

= 20A

V

DS

= 120V

V

DS

= 75V

V

DS

= 30V

16

10000

C，电容（pF ）

西塞

1000

12

科斯

100

8

CRSS

4

10

1

10

100

1000

0

测试电路

见图13

0

20

40

60

80

100

VDS ，漏极至源极电压（ V）

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

1000

1000

I

SD

，反向漏电流（ A）

在这一领域有限

由R

DS （ ON）

I

D

，漏电流（ A）

100

100

T

J

= 175

°

C

10

10us

100us

10

1ms

1

T

J

= 25

°

C

0.1

0.2

V

GS

= 0 V

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1

T

C

= 25 ° C

T

J

= 175° C

单脉冲

1

10

100

10ms

1000

V

SD

，源极到漏极电压（V ）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

4

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IRFB/IRFS/IRFSL33N15DPbF

35

30

V

DS

V

GS

R

G

10V

脉冲宽度

≤ 1

s

占空比

≤ 0.1 %

R

D

D.U.T.

+

I

D

，漏电流（ A）

25

20

15

10

5

0

-

V

DD

图10A 。

开关时间测试电路

V

DS

90%

25

50

75

100

125

150

175

T

C

，外壳温度（ ° C）

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

10%

V

GS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

图10B 。

开关时间波形

1

热响应（Z

thJC

)

D = 0.50

0.20

0.10

0.05

0.02

0.01

单脉冲

（热反应）

P

DM

t

1

t

2

注意事项：

1.负载因数D = T

1

/ t

2

2.峰值牛逼

J

= P

DM

X Z

thJC

+ T

C

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

0.1

0.01

0.00001

t

1

，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

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5

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32210

DPAK-3 (TO-252-3)

代理Infineon Technologies专营，原装现货优势

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24+

5000

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

原装正品现货

深圳市鑫远鹏科技有限公司

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18+

15600

D2-pak

深圳市芯泽盛世科技有限公司

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联系人：李

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D2PAK

原厂一级代理，原装现货

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19000

D2PAK

全新原装现货，原厂代理。

深圳市科雨电子有限公司

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24+

3000

TO-263

★体验愉快问购元件！！就找我吧!《停产物料》

北京元坤国际科技有限公司

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IR

最新环保批次

28500

全新原装正品/质量有保证

上海金庆电子科技京城市场部

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