IRFY130
机械数据
尺寸mm （英寸）
4.70
5.00
0.70
0.90
3.56
DIA 。
3.81
10.41
10.67
N沟道
功率MOSFET
FOR HI- REL
应用
V
DSS
I
D（续）
R
DS （ ON）
特点
0.89
1.14
16.38
16.89
13.39
13.64
1 2 3
12.70
19.05
100V
11A
0.19
W
10.41
10.92
2.54
BSC
2.65
2.75
密封TO -220金属
包
简单的驱动要求
TO- 220M - 金属封装
垫1 - 门
垫2 - 漏
垫3 - 来源
轻
筛选选项可用
所有引线分离CASE
绝对最大额定值
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
V
GS
I
D
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
R
q
JC
R
q
JA
栅 - 源电压
连续漏电流@ T
例
= 25°C
连续漏电流@ T
例
= 100°C
漏电流脉冲
功率耗散@ T
例
= 25°C
线性降额因子
工作和存储温度范围
热阻结到外壳
热阻结到环境
±20V
11A
7A
44A
45W
0.36W/°C
-55 ℃150℃
2.8 ° C / W最大。
80 ° C / W最大。
Semelab PLC 。
电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612 。
电子信箱：
sales@semelab.co.uk
网址：
http://www.semelab.co.uk
Prelim.4/98
IRFY130
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
BV
DSS
静电额定值
漏极 - 源极击穿电压
测试条件
V
GS
= 0
I
D
= 1毫安
V
GS
= 10V
V
GS
= 10V
V
DS
= V
GS
V
DS
15V
V
GS
= 0
V
GS
= 20V
V
GS
= –20V
V
GS
= 0
V
DS
= 25V
F = 1MHz的
V
GS
= 10V
V
DS
= 0.5BV
DSS
I
D
= 11A
V
DS
= 0.5BV
DSS
V
DD
= 50V
I
D
= 11A
R
G
= 7.5
W
I
D
= 11A
I
D
= 7A
I
D
= 11A
I
D
= 250
m
A
I
DS
= 7A
V
DS
= 0.8BV
DSS
T
J
= 125°C
I
D
= 1毫安
分钟。
100
典型值。
马克斯。
单位
V
D
BV
DSS
温度COEF网络cient
D
T
J
击穿电压
R
DS （ ON）
静态漏 - 源极导通状态
阻力
正向跨导
零栅极电压漏极电流
正向栅 - 源极漏
反向栅极 - 源极漏
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅 - 源电荷
门 - 漏极（ “米勒” ）费
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
参考至25℃
0.1
0.19
0.22
2
3
25
250
100
-100
650
240
44
12.8
1.0
3.8
28.5
6.3
16.6
30
75
40
45
11
43
4
V /°C的
W
V
)
W
(
S(
W
V
GS （ TH）
栅极阈值电压
g
fs
I
DSS
I
GSS
I
GSS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
L
D
L
S
m
A
nA
pF
nC
nC
ns
源 - 漏极二极管的特性
连续源电流
脉冲源电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
封装特性
内部排水电感
内部源极电感
I
S
= 11A
V
GS
= 0
I
S
= 11A
T
J
= 25°C
d
i
/ d
t
100A/
m
s V
DD
50V
（从6mm向下漏极引线焊盘到模具的中心）
A
V
ns
T
J
= 25°C
1.5
240
3
8.7
8.7
m
C
nH
（从6mm下来源铅源焊盘中心）
Semelab PLC 。
电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612 。
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Prelim.4/98
PD - 94183
功率MOSFET
直通孔（ TO- 257AA ）
产品概述
产品型号
IRFY130
IRFY130M
IRFY130,IRFY130M
100V N沟道
HEXFET
MOSFET技术
R
DS （ ON）
0.18
0.18
I
D
14.4A
14.4A
鸡眼
玻璃
玻璃
HEXFET
MOSFET技术的关键在于国际
IR的先进线路的功率MOSFET晶体管。该
高效的几何设计实现的状态非常低的重
sistance结合高跨导。
HEXFET
晶体管还具有所有的行之有效的研华的
MOSFET的每日新闻，诸如电压控制，速度非常快开关
荷兰国际集团，易于并联的电气和温度参数
稳定。它们非常适合用于诸如开关
荷兰国际集团的电源，电机控制，逆变器，砍砸器，
音频放大器，高能量脉冲电路，而且几乎
在需要高可靠性的应用程序。该
HEXFET
晶体管的完全隔离封装消除了
需要用于设备之间的附加绝缘材料
和散热器。这提高了热效率和
降低了漏极电容。
TO-257AA
产品特点：
n
n
n
n
n
n
简单的驱动要求
易于并联的
密封式
电气隔离
玻璃鸡眼
对于空间层次的应用
是指陶瓷版的一部分
数字IRFY130C ， IRFY130CM
绝对最大额定值
参数
ID @ VGS = 10V ， TC = 25°C连续漏电流
ID @ VGS = 10V ， TC = 100 ℃的连续漏电流
IDM
PD @ TC = 25°C
VGS
EAS
IAR
EAR
dv / dt的
TJ
T英镑
漏电流脉冲
马克斯。功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度
重量
对于脚注参考最后一页
14.4
9.1
57.6
75
0.6
±20
69
14.4
7.5
5.5
-55到150
300 （ 0.063英寸/ 1.6毫米的情况下，持续10秒）
3.3 （典型值）
W
W / ℃，
单位
A
V
mJ
A
mJ
V / ns的
o
C
g
www.irf.com
1
4/18/01
IRFY130 ， IRFY130M
电气特性
@ TJ = 25 ° C（除非另有说明）
参数
BVDSS
漏极至源极击穿电压
ΔBV
细数DSS / ΔT 温度系数
电压
RDS （ ON）
静态漏 - 源极导通状态
阻力
VGS （ TH）
栅极阈值电压
政府飞行服务队
正向跨导
IDSS
零栅极电压漏极电流
民
100
—
—
2.0
3.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值最大值单位
—
0.1
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
6.8
—
—
0.18
4.0
—
25
250
100
-100
28.5
6.3
16.6
30
75
40
45
—
V
V /°C的
V
S( )
A
测试条件
VGS = 0V ，ID = 1.0毫安
参考至25℃ ， n = 1.0毫安
VGS = 10V ，ID = 9.1A
VDS = VGS ，ID = 250μA
VDS > 15V ， IDS = 9.1A
VDS = 80V ， VGS = 0V
VDS = 80V ，
VGS = 0V ， TJ = 125°C
VGS = 20V
VGS = -20V
VGS = 10V ，ID = 14.4A
VDS = 50V
VDD = 50V ， ID = 14.4A ，
RG = 7.5Ω
IGSS
IGSS
Qg
Q GS
Q GD
td
（上）
tr
td
（关闭）
tf
LS + LD
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（米勒?? ??）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总电感
nA
nC
ns
nH
从测得的漏极引线（6毫米/ 0.25英寸从
包）源铅（6毫米/ 0.25英寸从
包）
西塞
OSS
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
—
—
—
650
240
44
—
—
—
pF
VGS = 0V ， VDS = 25V
F = 1.0MHz的
源极 - 漏极二极管额定值和特性
参数
IS
ISM
VSD
吨RR
Q RR
吨
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
最小典型最大单位
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
14.4
57.6
1.5
300
3.0
测试条件
A
V
nS
C
T
j
= 25°C ， IS = 14.4A ， VGS = 0V
TJ = 25 ° C， IF = 14.4A ， di / dt的
≤
100A/s
VDD
≤
50V
固有的导通时间是可以忽略不计。接通速度基本上由LS + LD控制。
热阻
参数
RthJC
RthCS
RthJA
结到外壳
外壳到散热器
结到环境
最小典型最大单位
—
—
—
— 1.67
0.21 —
—
80
° C / W
测试条件
典型的插座安装
注：对应的香料和军刀车型可在G&S网站。
对于脚注参考最后一页
2
www.irf.com
QQ：2881677436 复制
