POLAR
TM
功率MOSFET
HiPerFET
TM
N沟道增强模式
额定雪崩
快速内在二极管
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
AR
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
V
ISOL
M
d
重量
1.6毫米（ 0.062英寸）从案例10秒
50/60赫兹， RMS
I
ISOL
≤
1mA
安装力矩
终端连接扭矩
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25° C到150° C，R
GS
= 1MΩ
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 25 ° C，脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
≤
I
DM
, V
DD
≤
V
DSS
, T
J
≤
150°C
T
C
= 25°C
IXFN44N100P
V
DSS
I
D25
R
DS （ ON）
t
rr
=
=
≤
≤
1000V
37A
220mΩ
Ω
300ns
最大额定值
1000
1000
±
30
±
40
37
110
22
2
20
890
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
2500
3000
1.5/13
1.3/11.5
30
V
V
V
V
A
A
A
J
V / ns的
W
°C
°C
°C
°C
V~
V~
纳米/ lb.in 。
纳米/ lb.in 。
g
miniBLOC ， SOT- 227 B（ IXFN ）
E153432
S
G
S
D
G =门
S =源
D =漏
任一源极端S能够被用作
源端或开尔文源（门
返回）端子。
特点
国际标准套餐
环氧树脂封装符合
UL 94 V - 0阻燃等级
miniBLOC与氮化铝
隔离
快恢复二极管
非钳位感应开关（ UIS）
评级
低封装电感
- 易于驾驶和保护
T = 1分
T = 1秒
优势
易于安装
节省空间
高功率密度
应用
3.5
6.5
±
200
T
J
= 125°C
V
nA
开关模式和谐振模
电源
DC- DC转换器
激光驱动器
AC和DC电机控制
机器人和伺服控制
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS
= 0V时，我
D
= 3毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 1毫安
V
GS
=
±
30V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
DSS
V
GS
= 0V
V
GS
= 10V ，我
D
= 22A ，注1
特征值
分钟。
典型值。马克斯。
1000
V
50
μA
3毫安
220 mΩ
2008 IXYS公司，保留所有权利。
DS99879A(4/08)
IXFN44N100P
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
g
fs
R
Gi
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
乡镇卫生院
0.05
V
GS
= 10V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 22A
电阻开关时间
V
GS
= 10V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 22A
R
G
= 1Ω （外部）
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V ， F = 1MHz的
V
DS
= 20V ，我
D
= 22A ，注1
门输入电阻
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
20
35
1.70
19
1060
41
60
68
90
54
305
104
125
0.14
S
Ω
nF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
° C / W
° C / W
SOT- 227B外形
源极 - 漏极二极管
T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
V
GS
= 0V
重复，脉冲宽度为T有限公司
JM
I
F
= I
S
, V
GS
= 0V ，说明1
I
F
= 22A ， -di / DT = 100A / μs的
V
R
= 100V
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
44
176
1.5
A
A
V
300纳秒
2.5
17
μC
A
注1 ：脉冲检验，t
≤
300μS ;占空比D
≤
2%.
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT覆盖
4,835,592
通过以下一种或多项美国专利： 4850072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,727,585
7,005,734 B2
6,710,405 B2 6,759,692
7,063,975 B2
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
7,157,338B2
IXFN44N100P
图。 7.输入导纳
50
45
40
60
55
50
45
T
J
= 125C
25C
- 40C
25C
125C
T
J
= - 40C
图。 8.跨导
g
F小号
- 西门子
35
I
D
- 安培
40
35
30
25
20
15
30
25
20
15
10
5
0
5
5.5
6
10
5
0
6.5
7
7.5
8
8.5
9
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
V
GS
- 伏特
I
D
- 安培
图。 9.正向电压降
征二极管
130
120
110
100
90
12
16
14
V
DS
= 500V
I
D
= 22A
I
G
= 10毫安
图。 10.栅极电荷
I
S
- 安培
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
T
J
= 25C
T
J
= 125C
V
GS
- 伏特
10
8
6
4
2
0
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
V
SD
- 伏特
Q
G
- nanocoulombs
图。 11.电容
100,000
F = 1 MHz的
1.000
图。 12.最大瞬态热
阻抗
电容 - 皮法
10,000
西塞
1,000
科斯
100
CRSS
10
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Z
（日） JC
- C / W
0.100
0.010
V
DS
- 伏特
脉冲宽度 - 秒
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS REF ： F_44N100P （ 97 ） 08年4月1日-D
QQ：2881677436 复制
