IRFR/U3711ZCPbF
静态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
BV
DSS
ΒV
DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
/T
J
I
DSS
I
GSS
政府飞行服务队
Q
g
Q
gs1
Q
gs2
Q
gd
Q
godr
Q
sw
Q
OSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
栅极阈值电压系数
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
正向跨导
总栅极电荷
预Vth的栅极 - 源极充电
后Vth的栅极至源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电荷过载
切换电荷（Q
gs2
+ Q
gd
)
输出充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
分钟。典型值。马克斯。单位
20
–––
–––
–––
1.55
–––
–––
–––
–––
–––
48
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
13
4.5
6.2
2.0
-5.4
–––
–––
–––
–––
–––
18
5.1
1.8
6.5
4.6
8.3
9.8
12
13
15
5.2
2160
700
360
–––
–––
5.7
7.8
2.45
–––
1.0
150
100
-100
–––
27
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
pF
V
GS
= 0V
V
DS
= 10V
ns
nC
nC
V
DS
= 10V
V
GS
= 4.5V
I
D
= 12A
S
nA
V
毫伏/°C的
A
V
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
毫伏/ ℃参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
毫欧V
GS
= 10V ，我
D
= 15A
V
GS
= 4.5V ，我
D
e
= 12A
e
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
V
DS
= 10V ，我
D
= 12A
参照图16
V
DS
= 10V, V
GS
= 0V
V
DD
= 15V, V
GS
= 4.5V
I
D
= 12A
钳位感性负载
e
= 1.0MHz的
雪崩特性
E
AS
I
AR
E
AR
参数
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
d
典型值。
–––
–––
–––
马克斯。
140
12
7.9
单位
mJ
A
mJ
重复性雪崩能量
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
19
9.4
二极管的特性
参数
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
93
f
条件
MOSFET符号
展示
整体反转
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= 12A ，V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C，I
F
= 12A ，V
DD
= 10V
的di / dt = 100A / μs的
A
370
1.0
28
14
V
ns
nC
e
e
固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的
2
www.irf.com
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1000
VGS
顶部
10V
4.5V
3.7V
3.5V
3.3V
3.0V
2.7V
BOTTOM 2.5V
1000
VGS
10V
4.5V
3.7V
3.5V
3.3V
3.0V
2.7V
BOTTOM 2.5V
顶部
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
10
10
2.5V
1
2.5V
20μs的脉冲宽度
TJ = 25°C
20μs的脉冲宽度
TJ = 175℃
1
10
0.1
1
10
0.1
0.1
1
VDS ，漏极至源极电压（ V）
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
1000
2.0
RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻
ID = 30A
VGS = 10V
ID ，漏 - 源电流
(Α
)
T J = 25°C
T J = 175℃
100
1.5
（归一化）
10
1.0
VDS = 10V
20μs的脉冲宽度
1
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
0.5
-60 -40 -20
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
T J ，结温（ ° C）
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
www.irf.com
3
IRFR/U3711ZCPbF
静态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
BV
DSS
ΒV
DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
/T
J
I
DSS
I
GSS
政府飞行服务队
Q
g
Q
gs1
Q
gs2
Q
gd
Q
godr
Q
sw
Q
OSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
栅极阈值电压系数
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
正向跨导
总栅极电荷
预Vth的栅极 - 源极充电
后Vth的栅极至源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电荷过载
切换电荷（Q
gs2
+ Q
gd
)
输出充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
分钟。典型值。马克斯。单位
20
–––
–––
–––
1.55
–––
–––
–––
–––
–––
48
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
13
4.5
6.2
2.0
-5.4
–––
–––
–––
–––
–––
18
5.1
1.8
6.5
4.6
8.3
9.8
12
13
15
5.2
2160
700
360
–––
–––
5.7
7.8
2.45
–––
1.0
150
100
-100
–––
27
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
pF
V
GS
= 0V
V
DS
= 10V
ns
nC
nC
V
DS
= 10V
V
GS
= 4.5V
I
D
= 12A
S
nA
V
毫伏/°C的
A
V
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
毫伏/ ℃参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
毫欧V
GS
= 10V ，我
D
= 15A
V
GS
= 4.5V ，我
D
e
= 12A
e
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
V
DS
= 10V ，我
D
= 12A
参照图16
V
DS
= 10V, V
GS
= 0V
V
DD
= 15V, V
GS
= 4.5V
I
D
= 12A
钳位感性负载
e
= 1.0MHz的
雪崩特性
E
AS
I
AR
E
AR
参数
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
d
典型值。
–––
–––
–––
马克斯。
140
12
7.9
单位
mJ
A
mJ
重复性雪崩能量
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
19
9.4
二极管的特性
参数
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
93
f
条件
MOSFET符号
展示
整体反转
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= 12A ，V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C，I
F
= 12A ，V
DD
= 10V
的di / dt = 100A / μs的
A
370
1.0
28
14
V
ns
nC
e
e
固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的
2
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1000
VGS
顶部
10V
4.5V
3.7V
3.5V
3.3V
3.0V
2.7V
BOTTOM 2.5V
1000
VGS
10V
4.5V
3.7V
3.5V
3.3V
3.0V
2.7V
BOTTOM 2.5V
顶部
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
10
10
2.5V
1
2.5V
20μs的脉冲宽度
TJ = 25°C
20μs的脉冲宽度
TJ = 175℃
1
10
0.1
1
10
0.1
0.1
1
VDS ，漏极至源极电压（ V）
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
1000
2.0
RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻
ID = 30A
VGS = 10V
ID ，漏 - 源电流
(Α
)
T J = 25°C
T J = 175℃
100
1.5
（归一化）
10
1.0
VDS = 10V
20μs的脉冲宽度
1
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
0.5
-60 -40 -20
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
T J ，结温（ ° C）
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
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3
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静态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
BV
DSS
ΒV
DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
/T
J
I
DSS
I
GSS
政府飞行服务队
Q
g
Q
gs1
Q
gs2
Q
gd
Q
godr
Q
sw
Q
OSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
栅极阈值电压系数
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
正向跨导
总栅极电荷
预Vth的栅极 - 源极充电
后Vth的栅极至源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电荷过载
切换电荷（Q
gs2
+ Q
gd
)
输出充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
分钟。典型值。马克斯。单位
20
–––
–––
–––
1.55
–––
–––
–––
–––
–––
48
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
13
4.5
6.2
2.0
-5.4
–––
–––
–––
–––
–––
18
5.1
1.8
6.5
4.6
8.3
9.8
12
13
15
5.2
2160
700
360
–––
–––
5.7
7.8
2.45
–––
1.0
150
100
-100
–––
27
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
pF
V
GS
= 0V
V
DS
= 10V
ns
nC
nC
V
DS
= 10V
V
GS
= 4.5V
I
D
= 12A
S
nA
V
毫伏/°C的
A
V
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
毫伏/ ℃参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
毫欧V
GS
= 10V ，我
D
= 15A
V
GS
= 4.5V ，我
D
e
= 12A
e
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
V
DS
= 10V ，我
D
= 12A
参照图16
V
DS
= 10V, V
GS
= 0V
V
DD
= 15V, V
GS
= 4.5V
I
D
= 12A
钳位感性负载
e
= 1.0MHz的
雪崩特性
E
AS
I
AR
E
AR
参数
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
d
典型值。
–––
–––
–––
马克斯。
140
12
7.9
单位
mJ
A
mJ
重复性雪崩能量
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
19
9.4
二极管的特性
参数
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
93
f
条件
MOSFET符号
展示
整体反转
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= 12A ，V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C，I
F
= 12A ，V
DD
= 10V
的di / dt = 100A / μs的
A
370
1.0
28
14
V
ns
nC
e
e
固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的
2
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IRFR/U3711ZCPbF
1000
VGS
顶部
10V
4.5V
3.7V
3.5V
3.3V
3.0V
2.7V
BOTTOM 2.5V
1000
VGS
10V
4.5V
3.7V
3.5V
3.3V
3.0V
2.7V
BOTTOM 2.5V
顶部
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
10
10
2.5V
1
2.5V
20μs的脉冲宽度
TJ = 25°C
20μs的脉冲宽度
TJ = 175℃
1
10
0.1
1
10
0.1
0.1
1
VDS ，漏极至源极电压（ V）
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
1000
2.0
RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻
ID = 30A
VGS = 10V
ID ，漏 - 源电流
(Α
)
T J = 25°C
T J = 175℃
100
1.5
（归一化）
10
1.0
VDS = 10V
20μs的脉冲宽度
1
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
0.5
-60 -40 -20
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
T J ，结温（ ° C）
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
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