半导体
IRFD1Z0 ， IRFD1Z1 ，
IRFD1Z2 ， IRFD1Z3
0.4A和0.5A ， 60V和100V ， 2.4和3.2欧姆，
N沟道功率MOSFET
描述
这些都是N沟道增强型硅栅
电源连接的场效晶体管设计的应用，
开关稳压器，开关转换器，电机驱动器，
继电器驱动器，以及用于高功率双极开关的驱动
晶体管需要高速，低栅极驱动电源。
它们可以直接从集成电路来操作。
以前发育类型TA17451 。
1998年7月
特点
0.4A和0.5A ， 60V和100V
r
DS （ ON）
= 2.4Ω和3.2Ω
SOA是功耗有限公司
纳秒的开关速度
线性传输特性
高输入阻抗
多数载波设备
相关文献
- TB334 “指南焊锡表面贴装
组件到PC板“
符号
D
订购信息
产品型号
IRFD1Z0
IRFD1Z1
IRFD1Z2
IRFD1Z3
包
HEXDIP
HEXDIP
HEXDIP
HEXDIP
BRAND
IRFD1Z0
IRFD1Z1
IRFD1Z2
IRFD1Z3
G
S
注：订货时，使用整个零件编号。
包装
HEXDIP
漏
门
来源
注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的ESD处理程序。
版权
1998年哈里斯公司
网络文件编号
2313.1
5-1
IRFD1Z0 ， IRFD1Z1 ， IRFD1Z2 ， IRFD1Z3
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
IRFD1Z0
100
100
0.5
4.0
±20
1.0
0.008
-55到150
300
260
IRFD1Z1
60
60
0.5
4.0
±20
1.0
0.008
-55到150
300
260
IRFD1Z2
100
100
0.4
3.2
±20
1.0
0.008
-55到150
300
260
IRFD1Z3
60
60
0.4
3.2
±20
1.0
0.008
-55到150
300
260
单位
V
V
A
A
V
W
W/
o
C
o
C
o
C
o
C
漏极至源极（注1） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DS
漏极至栅极电压（R
GS
= 20kΩ时）（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 .V
DGR
连续漏电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
漏电流脉冲。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
DM
门源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GS
最大功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
线性降额因子（参见图1） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J,
T
英镑
最高温度焊接
信息在0.063in （ 1.6毫米）从案例10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
包体为10S ，见Techbrief 334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
PKG
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意：
1. T
J
= 25
o
C至125
o
C.
电气连接特定的阳离子
参数
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
BV
DSS
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V （参见图9）
100
60
V
GS （ TH）
I
DSS
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
V
DS
=额定BV
DSS
, V
GS
= 0V
V
DS
= 0.8×额定BV
DSS
, V
GS
= 0V,
T
C
= 125
o
C
2.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
4.0
25
250
V
V
V
A
A
民
典型值
最大
单位
漏源击穿电压
IRFD1Z0 ， IRFD1Z2
IRFD1Z1 ， IRFD1Z3
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
通态漏电流（注2 ）
IRFD1Z0 ， IRFD1Z1
IRFD1Z2 ， IRFD1Z3
门源漏电流
漏极至源极导通电阻（注2 ）
IRFD1Z0 ， IRFD1Z1
IRFD1Z2 ， IRFD1Z3
正向跨导（注2 ）
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
（门源+栅漏）
门源费
栅漏“米勒”充电
输入电容
输出电容
反向传输电容
I
D（上）
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）最大值
, V
GS
= 10V
（参见图6）
0.5
0.4
-
-
-
-
-
±100
A
A
nA
S
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
pF
pF
pF
I
GSS
r
DS （ ON）
V
GS
=
±20V
I
D
= 0.25A ，V
GS
= 10V （请参阅图7，图8）
-
-
-
政府飞行服务队
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V ， F = 1MHz的
（图10 ）
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）最大值
, I
D
= 0.25A
V
DD
0.5倍额定BV
DSS
, I
D
= 0.25A,
R
G
= 50Ω （图14 ，图15， 16）的
R
L
= 198Ω为BV
DSS
= 100V
R
L
= 118Ω为BV
DSS
= 60V
MOSFET开关时间基本上是不知疲倦
工作温度的吊灯
V
GS
= 10V ，我
D
= 1.2A ，V
DS
= 0.8×额定BV
DSS
（图13 ，16，17 ）的栅极电荷是基本上
独立工作温度
0.25
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
2.2
2.8
0.35
10
15
15
10
2.0
1.0
1.0
50
20
5
2.4
3.2
-
20
25
25
20
3.0
-
-
-
-
-
5-2
IRFD1Z0 ， IRFD1Z1 ， IRFD1Z2 ， IRFD1Z3
电气连接特定的阳离子
参数
内部排水电感
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
（续）
符号
L
D
测试条件
测量从
漏极引线的2mm
（ 0.08in ）从包
以模具中心
测量从
来源铅的2mm
（ 0.08in ）从包头到
来源粘合垫
修改MOSFET
符号显示的
内部设备
电感
D
L
D
G
L
S
S
民
-
典型值
4.0
最大
-
单位
nH
内部源极电感
L
S
-
6.0
-
nH
热阻结到环境
R
θJA
自由空气操作
-
-
120
o
C / W
源极到漏极二极管特定网络阳离子
参数
连续源极到漏极电流
IRFD1Z0 ， IRFD1Z1
IRFD1Z2 ， IRFD1Z3
脉冲源极到漏极电流
IRFD1Z0 ， IRFD1Z1
IRFD1Z2 ， IRFD1Z3
源极到漏极二极管电压（注2 ）
IRFD1Z0 ， IRFD1Z1
IRFD1Z2 ， IRFD1Z3
反向恢复时间
反向恢复电荷
注意事项：
2.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%.
3.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温。
t
rr
Q
RR
V
SD
T
A
= 25
o
C，我
SD
= 0.5A ，V
GS
= 0V
T
A
= 25
o
C，我
SD
= 0.4A ，V
GS
= 0V
T
J
= 150
o
C，我
SD
= 0.5A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
T
J
= 150
o
C，我
SD
= 0.5A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
-
-
-
-
-
-
100
0.2
1.4
1.3
-
-
V
V
ns
C
S
符号
I
SD
测试条件
修改MOSFET
符号显示的
整体反转
P-N结二极管
G
D
民
典型值
最大
单位
-
-
-
-
0.5
0.4
A
A
I
SDM
-
-
-
-
4.0
3.2
A
A
典型性能曲线
1.2
功耗乘法器
1.0
除非另有规定编
0.5
I
D,
漏电流（ A）
0.4
IRFD1Z0 ， IRFD1Z1
0.3
IRFD1Z2 ， IRFD1Z3
0.2
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0
25
50
75
100
125
T
A
，环境温度（
o
C)
150
0.1
0
25
50
75
100
125
T
A
，环境温度（
o
C)
150
图1.归功耗与
环境温度
图2.最大连续漏极电流VS
环境温度
5-3
IRFD1Z0 ， IRFD1Z1 ， IRFD1Z2 ， IRFD1Z3
典型性能曲线
10
IRFD1Z0 ， IRFD1Z1
I
D
，漏电流（ A）
IRFD1Z2,
IRFD1Z3
1 IRFD1Z0 ，
IRFD1Z1
IRFD1Z2,
IRFD1Z3
0.1
100s
1ms
o
0.01 T
J
= 150℃ MAX
单脉冲
除非另有规定编
（续）
2.0
10V
10s
I
D
，漏电流（ A）
操作在此
区域可以
限于由R
DS （ ON）
1.6
8V
1.2
7V
0.8
V
GS
= 6V
0.4
5V
4V
0
0
10
20
30
40
V
DS
，漏源极电压（ V）
50
脉冲持续时间为80μs =
9V
IRFD1Z1,
IRFD1Z3
10ms
DC
IRFD1Z0 ， IRFD1Z2
1000
1
10
100
V
DS
，漏源极电压（ V）
图3.正向偏置安全工作区
图4.输出特性
脉冲持续时间为80μs =
I
DS （ ON）
，漏源电流（A）
2.0
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
2
4
6
8
10
12
V
GS
，门源电压（ V）
脉冲持续时间为80μs =
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）最大值
T
J
= -55
o
C
T
J
= 25
o
C
T
J
= 125
o
C
10V
9V
1.6
I
D
，漏电流（ A）
8V
1.2
7V
0.8
V
GS
= 6V
0.4
5V
4V
0
0
1
2
3
4
V
DS
，漏源极电压（ V）
5
图5.饱和特性
图6.传热特性
8
脉冲宽度为2μs =
r
DS （ ON）
，漏极到源极
导通电阻（ Ω ）
V
GS
= 10V
归一漏极至源极
抗性
2.5
V
GS
= 10V ，我
D
= 0.5A
2.0
6
1.5
4
V
GS
= 20V
2
1.0
0.5
0
0
1
2
I
D
，漏电流（ A）
3
4
0
-40
0
40
80
120
160
T
J
，结温（
o
C)
注：为2μs脉冲加热效果甚微。
图7.漏极至源极导通电阻VS门
电压和漏极电流
图8.归漏极至源极导
电阻与结温
5-4
IRFD1Z0 ， IRFD1Z1 ， IRFD1Z2 ， IRFD1Z3
典型性能曲线
1.25
归一漏极至源极
击穿电压
除非另有规定编
（续）
100
V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
C
国际空间站
= C
GS
+ C
GD
C
RSS
= C
GD
C
OSS
= C
DS
+ C
GD
1.15
C，电容（pF ）
80
1.05
60
C
国际空间站
40
C
OSS
20
C
RSS
0.95
0.85
0.75
-40
0
40
80
120
T
J
，结温（
o
C)
160
0
0
10
30
40
20
V
DS
，漏源极电压（ V）
50
图9.归一漏极至源极击穿
电压Vs结温
图10.电容VS漏源极电压
0.6
0.5
0.4
T
J
= -55
o
C
T
J
= 25
o
C
T
J
= 125
o
C
0.3
0.2
I
SD
，源极到漏极电流（A）
脉冲持续时间为80μs =
10
g
FS ，
跨导（S ）
1.0
0.1
0
0
0.25
0.50
0.75
1.0
I
D
，漏电流（ A）
1.25
1.5
T
J
= 150
o
C
0.1
T
J
= 25
o
C
0
0.4
0.8
1.2
1.6
V
SD
，源极到漏极电压（ V）
2.0
图11.跨VS漏极电流
图12.源极到漏极二极管电压
20
I
D
= 1.2A
V
GS
，门源（ V）
15
V
DS
= 20V
V
DS
= 50V
10
V
DS
= 80V
IRFD1Z0,
IRFD1Z2
5
0
0
2
3
1
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
4
图13.栅极至源极电压Vs栅极电压
5-5
QQ：2881677436 复制
