数字音频MOSFET
IRFS5615PbF
IRFSL5615PbF
主要参数
150
34.5
26
11
2.7
175
D
D
PD - 96204
特点
优化的D类音频关键参数
扩增fi er应用
低R
DSON
为提高效率
低Q
G
和Q
SW
为更好的THD和改进
效率
低Q
RR
更好的总谐波失真和较低的EMI
175 ° C的工作结温
耐用性
可以提供高达每信道为300W到4Ω负载在
半桥配置放大器
G
S
D
V
DS
R
DS （ ON）
（典型值） 。 @ 10V
Q
g
典型值。
Q
sw
典型值。
R
G（ INT ）
典型值。
T
J
最大
V
m
:
nC
nC
°C
S
G
G
D
S
D
2
PAK
IRFS5615PbF
D
TO-262
IRFSL5615PbF
S
G
描述
门
漏
来源
这一数字音频MOSFET是专门为D类音频放大器应用设计的。这种MOSFET利用
最新的加工技术，以实现低的导通电阻每硅片面积。此外，栅极电荷，体二极管
反向恢复和内部栅极电阻进行了优化，以提高关键的D类音频放大器的性能
因素，如效率，THD和EMI 。这种MOSFET的附加功能是175 ° C的工作结
温度和重复雪崩能力。这些特性相结合，使该MOSFET的高效率，
坚固和可靠的设备，用于D类音频放大器应用。
绝对最大额定值
参数
V
DS
V
GS
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
P
D
@T
C
= 100°C
T
J
T
英镑
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
功耗
马克斯。
150
±20
33
24
140
144
72
0.96
-55 + 175
单位
V
f
f
c
A
W
W / ℃，
线性降额因子
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
（ 1.6毫米的情况下）
°C
300
热阻
R
θJC
R
θJA
结到外壳
结到环境（印刷电路板安装）
f
参数
h
典型值。
–––
–––
马克斯。
1.045
40
单位
° C / W
笔记
通过
在第2页
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1
12/18/08
IRFS/SL5615PbF
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
BV
DSS
ΒV
DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
/T
J
I
DSS
I
GSS
g
fs
Q
g
Q
gs1
Q
gs2
Q
gd
Q
godr
Q
sw
R
G（ INT ）
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
L
D
L
S
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
栅极阈值电压系数
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
正向跨导
总栅极电荷
预Vth的栅极 - 源极充电
后Vth的栅极至源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电荷过载
切换电荷（Q
gs2
+ Q
gd
)
内部栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
有效输出电容
内部排水电感
内部源极电感
分钟。
150
–––
–––
3.0
–––
–––
–––
–––
–––
35
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
TYP 。 MAX 。单位
–––
0.18
34.5
–––
-13
–––
–––
–––
–––
–––
26
6.4
2.2
9.0
8.9
11
2.7
8.9
23.1
17.2
13.1
1750
155
40
175
4.5
7.5
–––
–––
42
5.0
–––
20
250
100
-100
–––
40
–––
–––
–––
–––
–––
5.0
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
nH
–––
pF
条件
V V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V / ℃参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
毫欧V
GS
= 10V ，我
D
= 21A
V V
DS
= V
GS
, I
D
= 100A
e
毫伏/°C的
A
nA
S
V
DS
= 150V, V
GS
= 0V
V
DS
= 150V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
V
DS
= 50V ，我
D
= 21A
V
DS
=75V
nC
V
GS
= 10V
I
D
= 21A
参见图。 6和19
V
DD
= 75V, V
GS
= 10V
ns
I
D
= 21A
R
G
= 2.4
V
GS
= 0V
V
DS
= 50V
= 1.0MHz的，
e
见图5
D
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至120V
铅之间，
6毫米（0.25英寸）。
从包
而中心的模具接触
G
S
雪崩特性
参数
E
AS
I
AR
E
AR
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
g
d
典型值。
马克斯。
单位
mJ
A
mJ
–––
109
g
分钟。
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
80
312
参见图。 14，15， 17a和17b的
二极管的特性
参数
I
S
@ T
C
= 25 ° C连续源电流
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
注意事项：
TYP 。 MAX 。单位
33
A
140
1.3
120
468
V
ns
nC
条件
MOSFET符号
展示
整体反转
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= 21A ，V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C，I
F
= 21A ，V
R
=120V
的di / dt = 100A / μs的
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
e
e
由TJMAX限制。参见图。 14，15， 17A，17B用于重复
重复评价;脉冲宽度有限的最大值。结温。
雪崩信息
起始物为
J
= 25℃时，L = 0.51mH ，R
G
= 25, I
AS
= 21A.
当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料） 。为
脉冲宽度
≤
400μS ;占空比
≤
2%.
推荐的足迹和焊接技术参考
R
θ
的测量是在
T
J
大约90 ℃。
应用笔记＃ AN- 994 。
2
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IRFS/SL5615PbF
1000
顶部
VGS
15V
12V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
1000
顶部
VGS
15V
12V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
100
底部
10
底部
10
5.0V
1
1
5.0V
≤
在60μs脉冲宽度
TJ = 25°C
0.01
0.1
1
10
100
V DS ，漏极至源极电压（ V）
0.1
≤
在60μs脉冲宽度
TJ = 175℃
0.1
0.1
1
10
100
V DS ，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
1000
图2 。
典型的输出特性
3.0
RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻
（归一化）
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
2.5
ID = 21A
VGS = 10V
TJ = 175℃
TJ = 25°C
2.0
10
1.5
1
VDS = 50V
≤60s
脉冲宽度
0.1
2
4
6
8
10
12
14
16
1.0
0.5
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100120140160180
T J ，结温（ ° C）
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
图3 。
典型的传输特性
100000
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
西塞= C GS + C GD ，C DS短路
CRSS = C GD
COSS = C DS + C GD
图4 。
归一化的导通电阻与温度的关系
14.0
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
12.0
10.0
8.0
6.0
4.0
2.0
0.0
ID = 21A
VDS = 120V
VDS = 75V
VDS = 30V
10000
C，电容（pF ）
西塞
1000
科斯
CRSS
100
10
1
10
100
1000
VDS ，漏极至源极电压（ V）
0
5
10
15
20
25
30
35
QG ，总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容vs.Drain - to-Source电压
www.irf.com
图6 。
典型栅极电荷vs.Gate - to-Source电压
3
IRFS/SL5615PbF
RDS （ ON）时，漏 - 源极到导通电阻（
)
0.4
EAS ，单脉冲雪崩能量（兆焦耳）
500
0.35
0.3
ID = 21A
450
400
350
300
250
200
150
100
50
0
25
50
75
100
ID
顶部
2.8A
5.3A
BOTTOM 21A
0.25
0.2
0.15
0.1
TJ = 125°C
T J = 25°C
4
6
8
10
12
14
16
18
20
0.05
0
125
150
175
图12 。
导通电阻比。栅极电压
100
占空比=单脉冲
VGS ，门-to - 源电压（V ）
开始T J ，结温（ ° C）
图13 。
最大雪崩能量与漏电流
允许雪崩电流与雪崩
脉宽， TAV ，假设
-Tj
= 150 ℃，并
T开始= 25 ° C（单脉冲）
雪崩电流（ A）
10
0.01
0.05
0.10
1
允许雪崩电流与雪崩
脉宽， TAV ，假设
Τ
J = 25 ℃，并
T开始= 150℃。
0.1
1.0E-06
1.0E-05
1.0E-04
TAV （秒）
1.0E-03
1.0E-02
1.0E-01
图14 。
典型的雪崩电流Vs.Pulsewidth
120
100
80
60
40
20
0
25
50
75
100
125
150
175
开始T J ，结温（ ° C）
顶部
单脉冲
BOTTOM 1.0 ％占空比
ID = 21A
图15 。
最大雪崩能量比。温度
对重复性雪崩曲线指出，图14 ， 15 ：
（有关详细信息，请参阅AN -1005在www.irf.com ）
1.雪崩失效的假设：
纯粹的热现象而发生故障时，在一个
温度远远超过的T
JMAX
。这验证了
每一部分的类型。
在雪崩2.安全操作是允许的，只要没有
TJMAX也不IAV （最大值）的上限
下面3.方程基于电路和中所示的波形
图17a ， 17b中。
4. P
D（ AVE ）
每单=平均功耗
雪崩脉冲。
5. B
V
=额定击穿电压（ 1.3系数占
雪崩过程中电压上升） 。
6. I
av
=允许雪崩电流。
7.
T
=
允许上升的结温，不超过
T
JMAX
（假定为25 ℃，在图14中， 15）。
t
AV =
平均时间在雪崩。
D =占空比雪崩= T
av
·f
Z
thJC
（ D，T
av
） =瞬态热阻抗，参见图11）
P
D（ AVE ）
= 1/2（ 1.3 BV · ·我
av
) =
DT /
Z
thJC
I
av
= 2DT / [1.3 BV · ·
th
]
E
AS （ AR ）
= P
D（ AVE ）
·t
av
www.irf.com
EAR ，雪崩能量（兆焦耳）
5
QQ：2880707522 复制
