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PD - 94114
临时
开关电源MOSFET
IRFB42N20D
IRFS42N20D
IRFSL42N20D
HEXFET
功率MOSFET
应用
l
高频DC- DC转换器
V
DSS
200V
R
DS ( ON)
最大
0.055
I
D
42.6A
好处
l
低栅极 - 漏极电荷降低
开关损耗
l
充分界定电容含
有效的C
OSS
为简化设计, (见
应用程序。注AN1001 )
TO-220AB
l
充分界定雪崩电压
IRFB42N20D
和电流
D
2
PAK
IRFS42N20D
TO-262
IRFSL42N20D
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流, V
GS
@ 10V
连续漏电流, V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度,持续10秒
安装torqe , 6-32或M3螺丝?
马克斯。
42.6
30
170
3.8
300
2
± 30
待定
-55 + 175
260 ( 1.6毫米从案例)
10磅在( 1.1N m)的
单位
A
W
W / ℃,
V
V / ns的
°C
典型SMPS拓扑
l
电信48V输入DC-DC有源钳位复位正激变换器
笔记
通过
在第6页
www.irf.com
1
03/05/01
IRFB/IRFS/IRFSL42N20D
静态@ T
J
= 25 ℃(除非另有规定)
参数
V
( BR ) DSS
漏极至源极击穿电压
V
( BR ) DSS
/T
J
击穿电压温度。系数
R
DS ( ON)
静态漏 - 源极导通电阻
V
GS ( TH)
栅极阈值电压
I
DSS
I
GSS
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
分钟。
200
–––
–––
3.0
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
待定
–––
–––
–––
–––
–––
–––
临时
MAX 。单位
条件
–––
V
V
GS
= 0V时,我
D
= 250A
--- V / ° C参考到25° C,I
D
= 1毫安
0.055
V
GS
= 10V ,我
D
= 25.5A
5.5
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
25
V
DS
= 200V, V
GS
= 0V
A
250
V
DS
= 160V, V
GS
= 0V ,T
J
= 150°C
100
V
GS
= 30V
nA
-100
V
GS
= -30V
动态@ T
J
= 25 ℃(除非另有规定)
g
fs
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
参数
正向跨导
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极( "Miller" )充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
输出电容
有效输出电容
分钟。
待定
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
103
26
48
待定
待定
待定
待定
3470
560
120
待定
待定
待定
MAX 。单位
条件
–––
S
V
DS
= 25V ,我
D
= 25.5A
–––
I
D
= 25.5A
–––
nC
V
DS
= 160V
–––
V
GS
= 10V
–––
V
DD
= 100V
–––
I
D
= 25.5A
ns
–––
R
G
= TBDΩ
–––
V
GS
= 10V
–––
V
GS
= 0V
–––
V
DS
= 25V
–––
pF
= 1.0MHz的?
–––
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V , = 1.0MHz的
–––
V
GS
= 0V, V
DS
= 160V , = 1.0MHz的
–––
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至160V
雪崩特性
参数
E
AS
I
AR
E
AR
单脉冲雪崩能量?
雪崩电流?
重复性雪崩能量?
典型值。
–––
–––
–––
马克斯。
待定
25.5
30
单位
mJ
A
mJ
热阻
参数
R
θJC
R
θCS
R
θJA
R
θJA
结到外壳
案件到水槽,平面,脂表面
结至环境?
结至环境?
参数
连续源电流
(体二极管)
脉冲源电流
(体二极管)
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向RecoveryCharge
向前开启时间
典型值。
–––
0.50
–––
–––
马克斯。
0.5
–––
62
40
单位
° C / W
二极管的特性
分钟。典型值。马克斯。单位
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
条件
D
MOSFET符号
42.6
––– –––
展示
A
G
整体反转
170
––– –––
S
p-n结二极管。
––– ––– 1.3
V
T
J
= 25 ° C,I
S
= 25.5A ,V
GS
= 0V
---待定待定
ns
T
J
= 25 ° C,I
F
= 25.5A
––– 2.4 3.6
μC的di / dt = 100A / μs的
固有的导通时间是可以忽略的(导通用L为主
S
+L
D
)
2
www.irf.com
临时
IRFB/IRFS/IRFSL42N20D
TO- 220AB封装外形
尺寸以毫米(英寸)
2 .8 7 (.1 1 3 )
2 .6 2 (.1 0 3 )
1 0 .5 4 (.4 1 5 )
1 0 .2 9 (.4 0 5 )
3 .7 8 (.1 4 9 )
3 .5 4 (.1 3 9 )
-A -
6.4 7 (.2 5 5 )
6.1 0 (.2 4 0 )
-B -
4 .6 9 (.1 8 5 )
4 .2 0 (.1 6 5 )
1 .3 2 (.0 5 2 )
1 .2 2 (.0 4 8 )
4
1 5 .2 4 (.6 0 0 )
1 4 .8 4 (.5 8 4 )
1 .1 5 (.0 4 5 )
1
2
3
L E A D A S S小IG M E N牛逼S
1 - GATE
2 - ,D R A IN
3 - S OU RC ê
2,4 - D R A IN
1 4 .0 9 (.5 5 5 )
1 3 .4 7 (.5 3 0 )
4 .0 6 (.1 6 0 )
3 .5 5 (.1 4 0 )
3X
1 .4 0 (.0 5 5 )
3X
1 .1 5 (.0 4 5 )
2 .5 4 (.1 0 0)
2X
N 2 O TE S:
0 .9 3 (.0 3 7 )
0 .6 9 (.0 2 7 )
M
B A M
3X
0 .5 5 (.0 2 2 )
0 .4 6 (.0 1 8 )
0 .3 6 (.0 1 4 )
2 .9 2 (.1 1 5 )
2 .6 4 (.1 0 4 )
1个D IM 北南IO N的G&放大器; TOLERANC在GPERANSIY 1 4 1.5米, 1 9 8 2 。
2 C 0 NT· R 0 L L G中 IM è北南IO N:在建华
3 OUTL在ECONFORMSTOJEDECOUTL在ETO -2 2 0 AB 。
4热火以K & LEADMEASUREMENTSDONOT在CLUDEBURRS 。
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A
IN T E R N为T IO A L
权证■如果IE浏览器
标志
ASSEM BLY
LOT COD ê
PART NU 2M误码
红外F 1 0 1 0
9246
9B
1M
ATE CO DE
( Y Y W W )
YY =年
W W = W克朗
www.irf.com
3
IRFB/IRFS/IRFSL42N20D
D
2
PAK封装外形
临时
1 0.54 (.415 )
1 0.29 (.405 )
1.4 0 (.055 )
M AX 。
-A-
2
4 .6 9 (.18 5)
4 .2 0 (.16 5)
-B-
1.3 2 (.05 2)
1.2 2 (.04 8)
10 .1 6 (.4 00 )
F.
6.47 (.2 55 )
6.18 (.2 43 )
1 5.49 (.6 10)
1 4.73 (.5 80)
5.28 (.2 08 )
4.78 (.1 88 )
2.7 9 (.110 )
2.2 9 (.090 )
2.61 (.1 03 )
2.32 (.0 91 )
1.3 9 (.0 55 )
1.1 4 (.0 45 )
8.8 9 (.3 50 )
F.
1.7 8 (.07 0)
1.2 7 (.05 0)
1
3
3X
1.40 (.0 55)
1.14 (.0 45)
3X
5 .08 (.20 0)
0.9 3 (.0 37 )
0.6 9 (.0 27 )
0.25 (.0 10 )
M
B A M
0.55 (.0 22)
0.46 (.0 18)
M IN IM ü M R EC M M é é ND D F O O TP R IN牛逼
1 1.43 (.4 50 )
NO TE S:
1个D IM EN S IO北南方式后SO劳工处电子R D所IP 。
2 D IM EN S IO N的摹&勒为r的C IN GP ER AN SI Y1 4.5M , 19 82 。
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2 - D RA IN
3 - 你还是你R C ê
8 .89 (.35 0)
17 .78 (.70 0)
3.81 (.1 5 0)
2.0 8 (.08 2)
2X
2.5 4 (.100 )
2X
D
2
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LO克邻
A S性S E M B LY
LO T C D E
PART NUM BER
F530S
9 24 6
9B
1M
A
日期代码
(Y YW W)
YY = Y ê A R
W W = W克朗
4
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临时
IRFB/IRFS/IRFSL42N20D
TO- 262封装外形
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    IRFSL42N20D
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电话:13910052844(微信同步)
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地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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联系人:米小姐,黄小姐
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格科技园2栋西
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IR
21+
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TO-262
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电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
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