IRFS9N60A ， SiHFS9N60A
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= 10 V
49
13
20
单身
D
特点
600
0.75
低栅极电荷Q
g
结果简单驱动
需求
改进的门，雪崩和动态dv / dt的
耐用性
可用的
RoHS指令*
柔顺
充分界定电容和雪崩电压
和电流
铅（Pb） ，免费提供
D
2
PAK （ TO-263 ）
应用
开关模式电源（SMPS ）
·不间断电源
G
高速电源开关
克
S
S
N沟道MOSFET
适用关线SMPS拓扑
主动钳位正激
主开关
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
记
一。请参阅设备的方向。
D
2
PAK （ TO-263 ）
IRFS9N60APbF
SiHFS9N60A-E3
IRFS9N60A
SiHFS9N60A
D
2
PAK （ TO-263 ）
IRFS9N60ATRRPbF
a
SiHFS9N60ATR-E3
a
IRFS9N60ATRR
a
SiHFS9N60ATR
a
D
2
PAK （ TO-263 ）
IRFS9N60ATRLPbF
a
SiHFS9N60ATL-E3
a
IRFS9N60ATRL
a
SiHFS9N60ATL
a
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
脉冲漏
当前
a
V
GS
在10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
E
AS
I
AR
E
AR
T
C
= 25 °C
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
10秒
极限
600
± 30
9.2
5.8
37
1.3
290
9.2
17
170
5.0
- 55至+ 150
300
d
W / ℃，
mJ
A
mJ
W
V / ns的
°C
单位
V
A
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
b
重复性雪崩电流
a
重复性雪崩
能源
a
最大功率耗散
峰值二极管恢复的dv / dt
c
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。起始物为
J
= 25 ° C，L = 6.8 mH的，R
G
= 25
Ω,
I
AS
= 9.2 A（见图12 ） 。
C.我
SD
≤
9.2 A， di / dt的
≤
50 A / μs的，V
DD
≤
V
DS
, T
J
≤
150 °C.
。 1.6毫米的情况。
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
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WORK -IN -PROGRESS
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热电阻额定值
参数
最大结点到环境
最大结至外壳（漏）
符号
R
thJA
R
thJC
典型值。
-
-
马克斯。
40
0.75
单位
° C / W
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
漏源导通电阻
正向跨导
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
有效输出电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向电流
a
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
向前开启时间
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
MOSFET符号
展示
整体反转
P - N结二极管
D
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
DS
ΔV
DS
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= ± 30 V
V
DS
= 600 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 480 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125 °C
V
GS
= 10 V
I
D
= 5.5 A
b
V
DS
= 25 V，I
D
= 3.1 A
600
-
2.0
-
-
-
-
5.5
-
0.66
-
-
-
-
-
-
-
-
4.0
± 100
25
250
0.75
-
V
V /°C的
V
nA
A
Ω
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
F = 1.0兆赫，见图。五
V
DS
= 1.0 V，F = 1.0 MHz的
V
GS
= 0 V
V
DS
= 480 V ， F = 1.0 MHz的
V
DS
= 0 V至480 V
c
V
GS
= 10 V
I
D
= 9.2 A，V
DS
= 400 V
参见图。 6和13
b
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1400
180
7.1
1957
49
96
-
-
-
13
25
30
22
-
-
-
-
-
-
49
13
20
-
-
-
-
ns
nC
pF
V
DD
= 300 V，I
D
= 9.2 A
R
G
= 9.1
Ω,
R
D
= 35.5
Ω,
参见图。 10
b
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
530
3.0
9.2
A
37
1.5
800
4.4
V
ns
C
G
S
T
J
= 25 ° C，I
S
= 9.2 A，V
GS
= 0 V
b
T
J
= 25 ° C，I
F
= 9.2 A， di / dt的= 100 A / μs的
b
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
和L
D
)
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。脉冲宽度
≤
300微秒;占空比
≤
2 %.
c. C
OSS
EFF 。是一个固定的电容，赋予相同的充电时间为C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
DS
.
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典型特征
25 ℃，除非另有说明
100
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.7V
顶部
100
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
10
10
T
J
= 150
°
C
T
J
= 25
°
C
1
1
4.7V
20μs的脉冲宽度
T
J
= 25
°
C
1
10
100
0.1
0.1
0.1
4.0
V DS = 50V
20μs的脉冲宽度
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10.0
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图。 1 - 典型的输出特性
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
图。 3 - 典型的传输特性
100
顶部
r
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.7V
3.0
I
D
= 9.2A
2.5
2.0
10
1.5
1.0
4.7V
20μs的脉冲宽度
T
J
= 150
°
C
1
10
100
0.5
1
0.0
-60 -40 -20
V
GS
= 10V
0
20
40
60
80 100 120 140 160
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图。 2 - 典型的输出特性
T
J
，结温（
°
C)
图。 4 - 归通电阻与温度的关系
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2400
2000
C，电容（pF ）
国际空间站
1600
I
SD
，反向漏电流（ A）
V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
C
国际空间站
= C
gs
+ C
gd
, C
ds
短
C
RSS
= C
gd
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
100
10
OSS
1200
T
J
= 150
°
C
800
1
T
J
= 25
°
C
400
RSS
0
1
10
100
1000
A
0.1
0.2
V
GS
= 0 V
0.5
0.7
1.0
1.2
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图。 5 - 典型的电容与漏 - 源极电压
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
图。 7 - 典型的源漏二极管正向电压
20
I
D
= 9.2A
V
DS
= 480V
V
DS
= 300V
V
DS
= 120V
1000
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
在这一领域有限
由R
DS （ ON）
16
12
I
D
，漏电流（ A）
100
10us
10
100us
1ms
1
10ms
8
4
0
0
10
20
测试电路
见图13
30
40
50
0.1
T
C
= 25 ° C
T
J
= 150 ° C
单脉冲
10
100
1000
10000
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图。 6 - 典型栅极电荷与栅极至源极电压
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图。 8 - 最高安全工作区
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R
D
10.0
V
GS
V
DS
D.U.T.
+
-
V
DD
10 V
8.0
R
G
I
D
，漏电流（ A）
6.0
脉冲宽度
≤
1 s
占空比
≤
0.1 %
图。 10A - 开关时间测试电路
4.0
V
DS
90 %
2.0
0.0
25
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图。 9 - 最大漏极电流与外壳温度
1
10 %
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
图。 10B - 开关时间波形
热响应（Z
thJC
)
D = 0.50
0.20
0.1
0.10
0.05
0.02
0.01
P
DM
t
1
单脉冲
（热反应）
t
2
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.001
0.01
0.1
1
0.01
0.00001
0.0001
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图。 11 - 最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
15 V
V
DS
t
p
V
DS
L
司机
R
G
20 V
t
p
D.U.T
I
AS
0.01
Ω
+
A
- V
DD
I
AS
图。 12A - 非钳位感应测试电路
图。 12B - 松开电感的波形
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