快速
4K ×8 FourPort
TM
静态RAM
.eatures
高速存取
- 商业：20 /25 /为35ns （最大值）
- 工业：为25ns （最大）
- 军事： 25 /为35ns （最大值）
低功耗工作
- IDT7054S
主动： 750MW （典型值）。
待机： 7.5MW （典型值）。
- IDT7054L
主动： 750MW （典型值）。
待机：为1.5mW （典型值）。
真正的FourPort存储单元，可同步
相同的存储器位置访问
从每四个端口完全异步操作：
P1，P2， P3和P4
x
x
IDT7054S/L
x
x
TTL兼容;单5V （ ± 10 ％ ）电源
提供128引脚薄型四方扁平封装和108引脚PGA
套餐
工业级温度范围（ ？ 40 ° C至+ 85°C ），可
对于选定的速度
x
描述
该IDT7054是一种高速4K ×8 FourPort 静态RAM设计
所用的系统中多址联接到一个共同的RAM是
所需。这FourPort静态RAM ，提供系统性能提高
在有必要进行实时通信和多处理器系统
还提供了额外的好处，对于高速系统中，多址接入
需要在同一周期。
的IDT7054也被设计在系统中使用，其中的片
不需要硬件端口仲裁。这部分适合于那些
无法容忍等待状态或系统被设计成能够
x
x
.UNCTIONAL框图
R/
W
P1
CE
P1
OE
P1
CE
P4
R/
W
P4
OE
P4
I / O
0P1
-I / O
7P1
COLUMN
I / O
COLUMN
I / O
I / O
0P4
-I / O
7P4
A
0P1
- A
11P1
端口1
地址
解码
逻辑
端口2
地址
解码
逻辑
内存
ARRAY
端口4
地址
解码
逻辑
端口3
地址
解码
逻辑
A
0P4
- A
11P4
A
0P2
- A
11P2
A
0P3
- A
11P3
I / O
0P2
-I / O
7P2
OE
P2
CE
P2
R/
W
P2
COLUMN
I / O
COLUMN
I / O
I / O
0P3
-I / O
7P3
OE
P3
CE
P3
R/
W
P3
3241 DRW 01
2001年11月
1
2001集成设备技术有限公司
DSC十一分之三千二百四十一
IDT7054S/L
高速4K ×8 FourPort 静态RAM
军事，工业和商业温度范围
外部仲裁或当所有端口同时承受争
访问同一个FourPort RAM的位置。
该IDT7054提供了独立控制四个独立端口，
地址和I / O引脚，允许自主，异步访问
读或写操作的任何位置在存储器中。这是用户的责任
保证数据的完整性，当同时访问同一存储器
位置从所有端口。自动断电功能，通过控制
CE，
允许片上电路，每个端口进入一个非常低功耗待机
功率模式。
采用IDT的CMOS高性能技术制造的这一点，
FourPort SRAM通常运行在只有750MW的电力。低功耗
（L）的版本提供电池备份数据保持能力与每个端口
通常从2V的电池消耗50μW 。
的IDT7054封装在陶瓷108针针脚栅格阵列（ PGA）的
并采用128引脚薄型四方扁平封装（ TQFP ） 。军用级产品
制造符合MIL -PRF- 38535的最新版本
QML ，使得它非常适合军事应用中的温度需求 -
荷兰国际集团的性能和可靠性的最高水平。
销刀豆网络gurations
(1,2,3)
11/14/01
81
80
77
74
72
69
68
65
63
60
57
54
R/
W
P2
84
A
11
P2
83
78
A
7
P2
76
A
5
P2
73
A
3
P2
70
A
0
P2
67
A
0
P3
64
A
3
P3
61
A
5
P3
59
A
7
P3
56
A
11
P3
53
R/
W
P3
NC
50
12
NC
87
86
OE
P2
82
A
8
P2
79
A
10
P2
75
A
4
P2
71
A
1
P2
66
A
1
P3
62
A
4
P3
A
6
P3
A
10
P3
58
55
A
8
P3
51
OE
P3
A
1
P4
49
47
11
A
2
P1
90
88
A
1
P1
85
CE
P2
A
0
P1
89
A
9
P2
A
6
P2
A
2
P2
A
2
P3
A
9
P3
52
CE
P3
A
0
P4
48
46
A
2
P4
A
5
P4
45
10
A
5
P1
92
91
A
3
P1
A
6
P1
94
93
A
3
P4
A
6
P4
43
42
09
A
10
P1
95
A
4
P1
V
CC
98
A
4
P4
IDT7054G
G108-1
(4)
108针PGA
顶视图
(5)
44
A
10
P4
A
8
P4
41
08
A
8
P1
96
97
A
7
P1
A
11
P1
100
GND
39
40
A
7
P4
A
11
P4
37
38
07
A
9
P1
99
CE
CE
P1
102
P4
35
A
9
P4
R/
W
P4
36
06
R/
W
P1
101
OE
P1
103
I / O
0
P1
106
GND
31
OE
05
P4
34
NC
104
I / O
1
P1
105
1
GND
4
8
12
17
21
25
GND
28
I / O
7
P4
32
33
NC
04
I / O
2
P1
107
2
I / O
3
P1
5
I / O
6
P1
7
V
CC
GND
10
V
CC
13
16
V
CC
GND
19
V
CC
22
24
I / O
2
P4
29
I / O
5
P4
I / O
3
P4
26
I / O
6
P4
30
03
I / O
4
P1
108
3
I / O
7
P1
6
I / O
0
P2
9
I / O
2
P2
I / O
3
P2
D
I / O
4
P2
11
I / O
6
P2
14
15
I / O
1
P3
I / O
0
P3
G
I / O
3
P3
18
I / O
5
P3
20
23
I / O
7
P3
I / O
6
P3
K
I / O
4
P4
27
02
I / O
5
P1
A
指数
NC
B
I / O
1
P2
C
I / O
5
P2
E
I / O
7
P2
F
I / O
2
P3
H
I / O
4
P3
J
I / O
0
P4
L
I / O
1
P4
M
01
3241 DRW 02
注意事项：
1.所有V
CC
引脚都必须连接到电源。
2.所有GND引脚都必须连接到接地电源。
3.包体约为1.21英寸x 1.21英寸x 0.16英寸
4.这个包的代码来引用该包图。
5.本文并不表示实际的部分标记的方向。
6.42
2
IDT7054S/L
高速4K ×8 FourPort 静态RAM
军事，工业和商业温度范围
销刀豆网络gurations
(1,2)
符号
A
0
P1 - 一个
11
P1
A
0
P2 - 一个
11
P2
A
0
P3 - 一个
11
P3
A
0
P4 - 一个
11
P4
I / O
0
P1 - I / O
7
P1
I / O
0
P2 - I / O
7
P2
I / O
0
P3 - I / O
7
P3
I / O
0
P4 - I / O
7
P4
R / W P1
R / W P2
R / W P3
R / W P4
GND
CE
P1
CE
P2
CE
P3
CE
P4
OE
P1
OE
P2
OE
P3
OE
P4
V
CC
引脚名称
地址线S - 端口1
地址线S - 端口2
地址线S - 3口
地址线S - 4端口
数据I / O - 端口1
数据I / O - 端口2
数据I / O - 端口3
数据I / O - 4端口
读/写 - 端口1
读/写 - 端口2
读/写 - 端口3
读/写 - 4端口
地
芯片ENAB乐 - 端口1
芯片ENAB乐 - 端口2
芯片ENAB乐 - 端口3
芯片ENAB乐 - 4端口
输出ENAB乐 - 端口1
输出ENAB乐 - 端口2
输出ENAB乐 - 端口3
输出ENAB乐 - 4端口
动力
3241 TBL 01
电容
(1)
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
产量
电容
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的） TQ.P ONLY
条件
(2)
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
9
10
单位
pF
pF
3241 TBL 03
注意事项：
1，这个参数是由器件特性决定的，但不是生产
测试。
2. 3DV引用插电容时的输入和输出
信号转换为0V至3V或3V至0V 。
最大工作温度
与电源电压
(1)
GRADE
军事
广告
产业
环境
温度
-55 ° C至+ 125°C
0
°
C至+70
°
C
-40 ° C至+ 85°C
GND
0V
0V
0V
VCC
5.0V
+
10%
5.0V
+
10%
5.0V
+
10%
3241 TBL 04
注意事项：
1.这是参数T
A
。这是"instant on"外壳温度。
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
(2)
等级
端电压
对于
到GND
温度
在偏置
存储
温度
直流输出电流
广告
＆放大器;产业
-0.5到+7.0
军事
-0.5到+7.0
单位
V
注意事项：
1.所有V
CC
引脚都必须连接到电源。
2.所有GND引脚都必须连接到接地电源。
T
BIAS
T
英镑
-55到+125
-65到+150
50
-65到+135
-65到+150
50
o
C
C
o
建议的直流工作
条件
符号
V
CC
GND
V
IH
V
IL
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
分钟。
4.5
0
2.2
-0.5
(1)
典型值。
5.0
0
____
I
OUT
单位
V
V
V
V
3241 TBL 02
mA
3241 TBL 05
马克斯。
5.5
0
6.0
(2)
0.8
____
注意事项：
1.强调超过绝对最大额定值可能
对器件造成永久性损坏。这是一个值仅为
该设备在这些或以上的任何其他条件的功能操作
在本规范的业务部门所标明是不是暗示。曝光
在绝对最大额定值条件下工作会影响
可靠性。
2. V
TERM
必须不超过Vcc的+ 10％的周期时间为10ns或25％以上
最大，并且被限制为< 20毫安为Ⅴ的周期
TERM
＆ GT ; V
CC
+ 10%.
注意事项：
1. V
IL
＆ GT ;
-1.5V脉冲宽度小于10ns的。
2. V
TERM
必须不超过Vcc的+ 10％ 。
6.42
4
IDT7054S/L
高速4K ×8 FourPort 静态RAM
军事，工业和商业温度范围
DC电气特性在工作
温度和电源电压范围
(1,5)
(V
CC
= 5.0V ± 10%)
7054X20
Com'l只有
符号
I
CC1
7054X25
Com'l ，工业
＆放大器;军事
典型值。
(2)
150
150
150
150
225
195
225
195
60
50
60
50
1.5
0.3
1.5
0.3
马克斯。
300
250
360
300
350
305
400
340
85
70
115
85
15
1.5
30
4.5
7054X35
Com'l &
军事
典型值。
(2)
150
150
150
150
210
180
210
180
40
35
40
35
1.5
0.3
1.5
0.3
马克斯。
300
250
360
300
335
290
395
330
75
60
110
80
15
1.5
30
4.5
单位
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
3241 TBL 06
参数
工作电源
电源电流
（所有端口有效）
条件
CE
= V
IL
输出禁用
f = 0
(3)
VERSION
Com'l 。
MIL 。 &
IND 。
Com'l 。
MIL 。 &
IND 。
Com'l 。
MIL 。 &
IND 。
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
典型值。
(2)
150
150
____
____
马克斯。
300
250
____
____
I
CC2
工作动态
当前
（所有端口有效）
CE
= V
IL
输出禁用
f = f
最大
(4)
240
210
____
____
370
325
____
____
I
SB
待机电流
（所有端口 - TTL电平
输入）
CE
= V
IH
f = f
最大
(4)
70
60
____
____
95
80
____
____
I
SB1
全待机电流
（所有端口 - 所有
CMOS电平输入）
所有端口
CE
＆ GT ; V
CC
- 0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或
V
IN
＆ LT ; 0.2V ， F = 0
(3)
Com'l 。
MIL 。 &
IND 。
1.5
0.3
____
____
15
1.5
____
____
注意事项：
部分1号“X”表示额定功率（S或L ） 。
2. V
CC
= 5V ，T
A
= + 25°C ，不生产测试。
3， F = 0表示无地址或控制线变化。
4.在f = F
最大
,
地址和控制线（除输出使能）被循环以1 /吨的最高频率的读周期
RC
，并使用“AC测试条件”输入
GND水平为3V 。
5.对于一个端口的情况下，分割上述适当的电流通过4 。
DC电气特性在工作
温度和电源电压范围
(V
CC
= 5.0V ± 10%)
7054S
符号
|I
LI
|
|I
LO
|
V
OL
V
OH
参数
输入漏电流
(1)
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
测试条件
V
CC
= 5.5V, V
IN
= 0V至V
CC
CE
= V
IH
, V
OUT
= 0V至V
CC
I
OL
= 4毫安
I
OH
= -4mA
分钟。
___
7054L
马克斯。
10
10
0.4
___
分钟。
___
马克斯。
5
5
0.4
___
单位
A
A
V
V
2674 TBL 07
___
___
___
___
2.4
2.4
注意：
1.在Vcc ＆ LT ; 2.0V输入泄漏是不确定的。
6.42
5
快速
4K ×8 FourPort
TM
静态RAM
.eatures
高速存取
- 商业：20 /25 /为35ns （最大值）
- 工业：为25ns （最大）
- 军事： 25 /为35ns （最大值）
低功耗工作
- IDT7054S
主动： 750MW （典型值）。
待机： 7.5MW （典型值）。
- IDT7054L
主动： 750MW （典型值）。
待机：为1.5mW （典型值）。
真正的FourPort存储单元，可同步
相同的存储器位置访问
从每四个端口完全异步操作：
P1，P2， P3和P4
x
x
IDT7054S/L
x
x
TTL兼容;单5V （ ± 10 ％ ）电源
提供128引脚薄型四方扁平封装和108引脚PGA
套餐
工业级温度范围（ ？ 40 ° C至+ 85°C ），可
对于选定的速度
x
描述
该IDT7054是一种高速4K ×8 FourPort 静态RAM设计
所用的系统中多址联接到一个共同的RAM是
所需。这FourPort静态RAM ，提供系统性能提高
在有必要进行实时通信和多处理器系统
还提供了额外的好处，对于高速系统中，多址接入
需要在同一周期。
的IDT7054也被设计在系统中使用，其中的片
不需要硬件端口仲裁。这部分适合于那些
无法容忍等待状态或系统被设计成能够
x
x
.UNCTIONAL框图
R/
W
P1
CE
P1
OE
P1
CE
P4
R/
W
P4
OE
P4
I / O
0P1
-I / O
7P1
COLUMN
I / O
COLUMN
I / O
I / O
0P4
-I / O
7P4
A
0P1
- A
11P1
端口1
地址
解码
逻辑
端口2
地址
解码
逻辑
内存
ARRAY
端口4
地址
解码
逻辑
端口3
地址
解码
逻辑
A
0P4
- A
11P4
A
0P2
- A
11P2
A
0P3
- A
11P3
I / O
0P2
-I / O
7P2
OE
P2
CE
P2
R/
W
P2
COLUMN
I / O
COLUMN
I / O
I / O
0P3
-I / O
7P3
OE
P3
CE
P3
R/
W
P3
3241 DRW 01
2001年11月
1
2001集成设备技术有限公司
DSC十一分之三千二百四十一
IDT7054S/L
高速4K ×8 FourPort 静态RAM
军事，工业和商业温度范围
外部仲裁或当所有端口同时承受争
访问同一个FourPort RAM的位置。
该IDT7054提供了独立控制四个独立端口，
地址和I / O引脚，允许自主，异步访问
读或写操作的任何位置在存储器中。这是用户的责任
保证数据的完整性，当同时访问同一存储器
位置从所有端口。自动断电功能，通过控制
CE，
允许片上电路，每个端口进入一个非常低功耗待机
功率模式。
采用IDT的CMOS高性能技术制造的这一点，
FourPort SRAM通常运行在只有750MW的电力。低功耗
（L）的版本提供电池备份数据保持能力与每个端口
通常从2V的电池消耗50μW 。
的IDT7054封装在陶瓷108针针脚栅格阵列（ PGA）的
并采用128引脚薄型四方扁平封装（ TQFP ） 。军用级产品
制造符合MIL -PRF- 38535的最新版本
QML ，使得它非常适合军事应用中的温度需求 -
荷兰国际集团的性能和可靠性的最高水平。
销刀豆网络gurations
(1,2,3)
11/14/01
81
80
77
74
72
69
68
65
63
60
57
54
R/
W
P2
84
A
11
P2
83
78
A
7
P2
76
A
5
P2
73
A
3
P2
70
A
0
P2
67
A
0
P3
64
A
3
P3
61
A
5
P3
59
A
7
P3
56
A
11
P3
53
R/
W
P3
NC
50
12
NC
87
86
OE
P2
82
A
8
P2
79
A
10
P2
75
A
4
P2
71
A
1
P2
66
A
1
P3
62
A
4
P3
A
6
P3
A
10
P3
58
55
A
8
P3
51
OE
P3
A
1
P4
49
47
11
A
2
P1
90
88
A
1
P1
85
CE
P2
A
0
P1
89
A
9
P2
A
6
P2
A
2
P2
A
2
P3
A
9
P3
52
CE
P3
A
0
P4
48
46
A
2
P4
A
5
P4
45
10
A
5
P1
92
91
A
3
P1
A
6
P1
94
93
A
3
P4
A
6
P4
43
42
09
A
10
P1
95
A
4
P1
V
CC
98
A
4
P4
IDT7054G
G108-1
(4)
108针PGA
顶视图
(5)
44
A
10
P4
A
8
P4
41
08
A
8
P1
96
97
A
7
P1
A
11
P1
100
GND
39
40
A
7
P4
A
11
P4
37
38
07
A
9
P1
99
CE
CE
P1
102
P4
35
A
9
P4
R/
W
P4
36
06
R/
W
P1
101
OE
P1
103
I / O
0
P1
106
GND
31
OE
05
P4
34
NC
104
I / O
1
P1
105
1
GND
4
8
12
17
21
25
GND
28
I / O
7
P4
32
33
NC
04
I / O
2
P1
107
2
I / O
3
P1
5
I / O
6
P1
7
V
CC
GND
10
V
CC
13
16
V
CC
GND
19
V
CC
22
24
I / O
2
P4
29
I / O
5
P4
I / O
3
P4
26
I / O
6
P4
30
03
I / O
4
P1
108
3
I / O
7
P1
6
I / O
0
P2
9
I / O
2
P2
I / O
3
P2
D
I / O
4
P2
11
I / O
6
P2
14
15
I / O
1
P3
I / O
0
P3
G
I / O
3
P3
18
I / O
5
P3
20
23
I / O
7
P3
I / O
6
P3
K
I / O
4
P4
27
02
I / O
5
P1
A
指数
NC
B
I / O
1
P2
C
I / O
5
P2
E
I / O
7
P2
F
I / O
2
P3
H
I / O
4
P3
J
I / O
0
P4
L
I / O
1
P4
M
01
3241 DRW 02
注意事项：
1.所有V
CC
引脚都必须连接到电源。
2.所有GND引脚都必须连接到接地电源。
3.包体约为1.21英寸x 1.21英寸x 0.16英寸
4.这个包的代码来引用该包图。
5.本文并不表示实际的部分标记的方向。
6.42
2
IDT7054S/L
高速4K ×8 FourPort 静态RAM
军事，工业和商业温度范围
销刀豆网络gurations
(1,2)
符号
A
0
P1 - 一个
11
P1
A
0
P2 - 一个
11
P2
A
0
P3 - 一个
11
P3
A
0
P4 - 一个
11
P4
I / O
0
P1 - I / O
7
P1
I / O
0
P2 - I / O
7
P2
I / O
0
P3 - I / O
7
P3
I / O
0
P4 - I / O
7
P4
R / W P1
R / W P2
R / W P3
R / W P4
GND
CE
P1
CE
P2
CE
P3
CE
P4
OE
P1
OE
P2
OE
P3
OE
P4
V
CC
引脚名称
地址线S - 端口1
地址线S - 端口2
地址线S - 3口
地址线S - 4端口
数据I / O - 端口1
数据I / O - 端口2
数据I / O - 端口3
数据I / O - 4端口
读/写 - 端口1
读/写 - 端口2
读/写 - 端口3
读/写 - 4端口
地
芯片ENAB乐 - 端口1
芯片ENAB乐 - 端口2
芯片ENAB乐 - 端口3
芯片ENAB乐 - 4端口
输出ENAB乐 - 端口1
输出ENAB乐 - 端口2
输出ENAB乐 - 端口3
输出ENAB乐 - 4端口
动力
3241 TBL 01
电容
(1)
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
产量
电容
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的） TQ.P ONLY
条件
(2)
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
9
10
单位
pF
pF
3241 TBL 03
注意事项：
1，这个参数是由器件特性决定的，但不是生产
测试。
2. 3DV引用插电容时的输入和输出
信号转换为0V至3V或3V至0V 。
最大工作温度
与电源电压
(1)
GRADE
军事
广告
产业
环境
温度
-55 ° C至+ 125°C
0
°
C至+70
°
C
-40 ° C至+ 85°C
GND
0V
0V
0V
VCC
5.0V
+
10%
5.0V
+
10%
5.0V
+
10%
3241 TBL 04
注意事项：
1.这是参数T
A
。这是"instant on"外壳温度。
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
(2)
等级
端电压
对于
到GND
温度
在偏置
存储
温度
直流输出电流
广告
＆放大器;产业
-0.5到+7.0
军事
-0.5到+7.0
单位
V
注意事项：
1.所有V
CC
引脚都必须连接到电源。
2.所有GND引脚都必须连接到接地电源。
T
BIAS
T
英镑
-55到+125
-65到+150
50
-65到+135
-65到+150
50
o
C
C
o
建议的直流工作
条件
符号
V
CC
GND
V
IH
V
IL
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
分钟。
4.5
0
2.2
-0.5
(1)
典型值。
5.0
0
____
I
OUT
单位
V
V
V
V
3241 TBL 02
mA
3241 TBL 05
马克斯。
5.5
0
6.0
(2)
0.8
____
注意事项：
1.强调超过绝对最大额定值可能
对器件造成永久性损坏。这是一个值仅为
该设备在这些或以上的任何其他条件的功能操作
在本规范的业务部门所标明是不是暗示。曝光
在绝对最大额定值条件下工作会影响
可靠性。
2. V
TERM
必须不超过Vcc的+ 10％的周期时间为10ns或25％以上
最大，并且被限制为< 20毫安为Ⅴ的周期
TERM
＆ GT ; V
CC
+ 10%.
注意事项：
1. V
IL
＆ GT ;
-1.5V脉冲宽度小于10ns的。
2. V
TERM
必须不超过Vcc的+ 10％ 。
6.42
4
IDT7054S/L
高速4K ×8 FourPort 静态RAM
军事，工业和商业温度范围
DC电气特性在工作
温度和电源电压范围
(1,5)
(V
CC
= 5.0V ± 10%)
7054X20
Com'l只有
符号
I
CC1
7054X25
Com'l ，工业
＆放大器;军事
典型值。
(2)
150
150
150
150
225
195
225
195
60
50
60
50
1.5
0.3
1.5
0.3
马克斯。
300
250
360
300
350
305
400
340
85
70
115
85
15
1.5
30
4.5
7054X35
Com'l &
军事
典型值。
(2)
150
150
150
150
210
180
210
180
40
35
40
35
1.5
0.3
1.5
0.3
马克斯。
300
250
360
300
335
290
395
330
75
60
110
80
15
1.5
30
4.5
单位
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
3241 TBL 06
参数
工作电源
电源电流
（所有端口有效）
条件
CE
= V
IL
输出禁用
f = 0
(3)
VERSION
Com'l 。
MIL 。 &
IND 。
Com'l 。
MIL 。 &
IND 。
Com'l 。
MIL 。 &
IND 。
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
典型值。
(2)
150
150
____
____
马克斯。
300
250
____
____
I
CC2
工作动态
当前
（所有端口有效）
CE
= V
IL
输出禁用
f = f
最大
(4)
240
210
____
____
370
325
____
____
I
SB
待机电流
（所有端口 - TTL电平
输入）
CE
= V
IH
f = f
最大
(4)
70
60
____
____
95
80
____
____
I
SB1
全待机电流
（所有端口 - 所有
CMOS电平输入）
所有端口
CE
＆ GT ; V
CC
- 0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或
V
IN
＆ LT ; 0.2V ， F = 0
(3)
Com'l 。
MIL 。 &
IND 。
1.5
0.3
____
____
15
1.5
____
____
注意事项：
部分1号“X”表示额定功率（S或L ） 。
2. V
CC
= 5V ，T
A
= + 25°C ，不生产测试。
3， F = 0表示无地址或控制线变化。
4.在f = F
最大
,
地址和控制线（除输出使能）被循环以1 /吨的最高频率的读周期
RC
，并使用“AC测试条件”输入
GND水平为3V 。
5.对于一个端口的情况下，分割上述适当的电流通过4 。
DC电气特性在工作
温度和电源电压范围
(V
CC
= 5.0V ± 10%)
7054S
符号
|I
LI
|
|I
LO
|
V
OL
V
OH
参数
输入漏电流
(1)
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
测试条件
V
CC
= 5.5V, V
IN
= 0V至V
CC
CE
= V
IH
, V
OUT
= 0V至V
CC
I
OL
= 4毫安
I
OH
= -4mA
分钟。
___
7054L
马克斯。
10
10
0.4
___
分钟。
___
马克斯。
5
5
0.4
___
单位
A
A
V
V
2674 TBL 07
___
___
___
___
2.4
2.4
注意：
1.在Vcc ＆ LT ; 2.0V输入泄漏是不确定的。
6.42
5
QQ：2880707522 复制
