PD- 93797
开关电源MOSFET
IRFS11N50A
HEXFET
功率MOSFET
应用
l
开关模式电源（SMPS ）
l
不间断电源
l
高速电源开关
好处
l
低栅极电荷Qg结果简单
驱动要求
l
改进的门，雪崩和动态
的dv / dt坚固
l
充分界定电容和
雪崩电压和电流
l
有效Coss规定（见AN 1001 ）
V
DSS
500V
RDS（ON）最大值
0.52
I
D
11A
D
2
P AK
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
马克斯。
11
7.0
44
170
1.3
± 30
6.9
-55到+ 150
300 （ 1.6毫米从案例）
单位
A
W
W / ℃，
V
V / ns的
°C
适用关Line开关电源拓扑：
l
l
l
两个管正激
半&全桥
功率因数校正升压
通过
是第8页
笔记
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1
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IRFS11N5OA
静态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
分钟。
500
–––
–––
2.0
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
0.060
–––
–––
–––
–––
–––
–––
MAX 。单位
条件
–––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
--- V / ° C参考到25° C，I
D
= 1毫安？
0.52
V
GS
= 10V ，我
D
= 6.6A
4.0
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
25
V
DS
= 500V, V
GS
= 0V
A
250
V
DS
= 400V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
100
V
GS
= 30V
nA
-100
V
GS
= -30V
动态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
g
fs
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
参数
正向跨导
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
输出电容
有效输出电容
分钟。
6.1
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
–––
–––
–––
14
35
32
28
1423
208
8.1
2000
55
97
MAX 。单位
条件
–––
S
V
DS
= 50V ，我
D
= 6.6A
52
I
D
= 11A
13
nC
V
DS
= 400V
18
V
GS
= 10V ，参照图6和13
–––
V
DD
= 250V
–––
I
D
= 11A
ns
–––
R
G
= 9.1
–––
R
D
= 22Ω ，见图。 10
–––
V
GS
= 0V
–––
V
DS
= 25V
–––
pF
= 1.0MHz的，见图。 5 ？
–––
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V ， = 1.0MHz的
–––
V
GS
= 0V, V
DS
= 400V ， = 1.0MHz的
–––
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至400V
雪崩特性
参数
E
AS
I
AR
E
AR
单脉冲雪崩能量????
雪崩电流？
重复性雪崩能量？
典型值。
–––
–––
–––
马克斯。
275
11
17
单位
mJ
A
mJ
热阻
参数
R
θJC
R
θCS
R
θJA
结到外壳
案件到水槽，平面，脂表面
结到环境
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向RecoveryCharge
向前开启时间
典型值。
–––
0.50
–––
马克斯。
0.75
–––
62
单位
° C / W
二极管的特性
分钟。典型值。马克斯。单位
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
条件
D
MOSFET符号
11
––– –––
展示
A
G
整体反转
––– –––
44
S
p-n结二极管。
––– ––– 1.5
V
T
J
= 25 ° C，I
S
= 11A ，V
GS
= 0V
––– 510 770
ns
T
J
= 25 ° C，I
F
= 11A
––– 3.4 5.1
μC的di / dt = 100A / μs的
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
+L
D
)
2
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100
VGS
顶部
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
100
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
10
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
4.5V
20μs的脉冲宽度
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
顶部
10
1
0.1
0.1
T
J
= 25
°
C
1
10
100
4.5V
1
1
10
20μs的脉冲宽度
T
J
= 150
°
C
100
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
100
3.0
I
D
= 11A
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
2.5
10
2.0
T
J
= 150
°
C
T
J
= 25
°
C
1
1.5
1.0
0.5
0.1
4.0
V DS = 50V
20μs的脉冲宽度
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
0.0
-60 -40 -20
V
GS
= 10V
0
20
40
60
80 100 120 140 160
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
J
，结温（
°
C)
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
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2400
2000
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
V
GS
C
为s
C
RSS
C
OSS
=
=
=
=
0V,
F = 100万赫兹
C
的s
+ C
克
, C
S
中文 T E
C
gd
C
ds
+ C
gd
20
I
D
=
11A
6.6A
V
DS
= 400V
V
DS
= 250V
V
DS
= 100V
C，C在PA itan权证（P F）
C
为s
1600
16
C
OSS
1200
12
8
800
C
RS s
400
4
0
1
10
100
1000
A
0
0
10
20
测试电路
见图13
30
40
50
V
S
，D雨来-S环境允许的V oltage （ V）
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
100
1000
在这一领域有限
由R
DS （ ON）
I
SD
，反向漏电流（ A）
100
10
I
D
，漏电流（ A）
T
J
= 150
°
C
10us
10
100us
1ms
1
10ms
1
T
J
= 25
°
C
0.1
0.0
V
GS
= 0 V
0.4
0.8
1.2
1.6
0.1
T
C
= 25 ° C
T
J
= 150 ° C
单脉冲
10
100
1000
10000
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
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12
V
DS
V
GS
R
G
R
D
10
D.U.T.
+
I
D
，漏电流（ A）
8
-
V
DD
10V
6
脉冲宽度
≤ 1
s
占空比
≤ 0.1 %
4
图10A 。
开关时间测试电路
V
DS
90%
2
0
25
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度
( °C)
10%
V
GS
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
图10B 。
开关时间波形
1
热响应（Z
thJC
)
D = 0.50
0.20
0.1
0.10
0.05
0.02
0.01
P
DM
t
1
单脉冲
（热反应）
t
2
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.001
0.01
0.1
1
0.01
0.00001
0.0001
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图11 。
最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
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功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= 10 V
52
13
18
单身
D
特点
500
0.52
低栅极电荷Q
g
结果简单驱动
需求
改进的门，雪崩和动态dv / dt的
耐用性
全
特征
电容
雪崩电压和电流
有效的C
OSS
特定网络版
铅（Pb） ，免费提供
和
可用的
RoHS指令*
柔顺
D
2
PAK （ TO-263 ）
应用
开关模式电源（SMPS ）
G
·不间断电源
高速电源开关
克
S
S
N沟道MOSFET
典型SMPS拓扑
双管正激
半桥和全桥
功率因数校正升压
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
记
一。请参阅设备的方向。
D
2
PAK （ TO-263 ）
IRFS11N50APbF
SiHFS11N50A-E3
IRFS11N50A
SiHFS11N50A
D
2
PAK （ TO-263 ）
IRFS11N50ATRRPbF
a
SiHFS11N50ATR-E3
a
-
-
D
2
PAK （ TO-263 ）
IRFS11N50ATRLPbF
a
SiHFS11N50ATL-E3
a
IRFS11N50ATRL
a
SiHFS11N50ATL
a
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
栅源电压
连续漏电流
脉冲漏
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
b
重复性雪崩电流
a
重复性雪崩能量
a
最大功率耗散
峰值二极管恢复的dv / dt
c
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
当前
a
V
GS
在10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
GS
I
D
I
DM
E
AS
I
AR
E
AR
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
极限
± 30
11
7.0
44
1.3
275
11
17
170
6.9
- 55至+ 150
300
d
单位
V
A
W / ℃，
mJ
A
mJ
W
V / ns的
°C
T
C
= 25 °C
10秒
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。起始物为
J
= 25 ° C，L = 19 mH的，R
G
= 25
Ω,
I
AS
= 5.5 A（见图12 ） 。
C.我
SD
≤
5.5 A， di / dt的
≤
90 A / μs的，V
DD
≤
V
DS
, T
J
≤
150 °C.
。 1.6毫米的情况。
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 91286
S-挂起-REV 。 A， 22 -JUL- 08
WORK -IN -PROGRESS
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IRFS11N50A ， SiHFS11N50A
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热电阻额定值
参数
最大结至外壳（漏）
案件到水槽，平面，脂表面
最大结点到环境
符号
R
thJC
R
乡镇卫生院
R
thJA
典型值。
-
0.50
-
马克斯。
0.75
-
62
° C / W
单位
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
漏源导通电阻
正向跨导
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
有效输出电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
向前开启时间
当前
a
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
MOSFET符号
展示
整体反转
P - N结二极管
D
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
DS
ΔV
DS
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= ± 30 V
V
DS
= 500 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 400 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125 °C
V
GS
= 10 V
I
D
= 6.6 A
b
V
DS
= 50 V，I
D
= 6.6 A
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
F = 1.0兆赫，见图。五
V
DS
= 1.0 V，F = 1.0 MHz的
V
GS
= 0 V
V
DS
= 400 V ， F = 1.0 MHz的
V
DS
= 0 V至400 V
c
I
D
= 11 A，V
DS
= 400 V
参见图。 6和13
b
500
-
2.0
-
-
-
-
6.1
-
0.060
-
-
-
-
-
-
-
-
4.0
± 100
25
250
0.52
-
V
V /°C的
V
nA
A
Ω
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS
= 10 V
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1423
208
8.1
2000
55
97
-
-
-
14
35
32
28
-
-
-
-
-
-
52
13
18
-
-
-
-
ns
nC
pF
V
DD
= 250 V，I
D
= 11 A
R
G
= 9.1
Ω,
R
D
= 22
Ω,
参见图。 10
b
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
510
3.4
11
A
44
1.5
770
5.1
V
ns
C
G
S
T
J
= 25 ° C，I
S
= 11 A，V
GS
= 0 V
b
T
J
= 25 ° C，I
F
= 11 A， di / dt的= 100 A / μs的
b
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
和L
D
)
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。脉冲宽度
≤
300微秒;占空比
≤
2 %.
c. C
OSS
EFF 。是一个固定的电容，赋予相同的充电时间为C
OSS
而V
DS
上升的FOM为0 80 ％的V
DS
.
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文档编号： 91286
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典型特征
25 ℃，除非另有说明
图。 1 - 典型的输出特性
图。 3 - 典型的传输特性
图。 2 - 典型的输出特性
图。 4 - 归通电阻与温度的关系
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图。 5 - 典型的电容与漏 - 源极电压
图。 7 - 典型的源漏二极管正向电压
图。 6 - 典型栅极电荷与栅极至源极电压
图。 8 - 最高安全工作区
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R
D
V
DS
V
GS
R
G
D.U.T.
+
-
V
DD
10
V
脉冲
宽度
≤
1
s
占空比
≤
0.1
%
图。 10A - 开关时间测试电路
V
DS
90 %
10 %
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
图。 9 - 最大漏极电流与外壳温度
图。 10B - 开关时间波形
图。 11 - 最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
15
V
V
DS
t
p
V
DS
L
司机
R
G
20
V
t
p
D.U.T.
I
AS
0.01
Ω
+
A
-
V
DD
I
AS
图。 12A - 非钳位感应测试电路
图。 12B - 松开电感的波形
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