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PD- 94062B
开关电源MOSFET
应用
高频隔离DC- DC
转换器的同步整流
对于电信和工业应用
高频降压转换器的
服务器处理器电源同步FET
优化的同步降压
转换器包括电容感应
开启免疫
好处
超低栅极阻抗
非常低的RDS（on ），在4.5V V
GS
充分界定雪崩电压
和电流
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
P
D
@T
A
= 25°C
T
J
, T
英镑
IRF3711
IRF3711S
IRF3711L
HEXFET
功率MOSFET
V
DSS
20V
R
DS （ ON）
最大
6.0m
I
D
110A
TO-220AB
IRF3711
D
2
PAK
IRF3711S
TO-262
IRF3711L
参数
漏源电压
栅极 - 源极电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
最大功率耗散
最大功率耗散
线性降额因子
结温和存储温度范围
马克斯。
20
± 20
110
69
440
120
3.1
0.96
-55到+ 150
单位
V
V
A
W
W
W / ℃，
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θCS
R
θJA
R
θJA
结到外壳
案件到水槽，平面，脂表面
结到环境
结到环境（印刷电路板安装）
典型值。
–––
0.50
–––
–––
马克斯。
1.04
–––
62
40
单位
° C / W
笔记
通过
在第11页
www.irf.com
1
11/15/01
IRF3711/3711S/3711L
静态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
V
（ BR ） DSS
漏极至源极击穿电压
V
（ BR ） DSS
/T
J
击穿电压温度。系数
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
分钟。
20
–––
–––
静态漏 - 源极导通电阻
–––
栅极阈值电压
1.0
–––
漏极至源极漏电流
–––
栅 - 源正向漏
–––
栅 - 源反向漏
–––
典型值。
–––
0.022
4.7
6.2
–––
–––
–––
–––
–––
MAX 。单位
条件
–––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
--- V / ° C参考到25° C，I
D
= 1毫安
6.0
V
GS
= 10V ，我
D
= 15A
m
8.5
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 12A
3.0
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
20
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V
A
100
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
200
V
GS
= 16V
nA
-200
V
GS
= -16V
动态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
符号
g
fs
Q
g
Q
gs
Q
gd
Q
OSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
正向跨导
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
输出栅极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
分钟。
53
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
29
7.3
8.9
33
12
220
17
12
2980
1770
280
MAX 。单位
条件
–––
S
V
DS
= 16V ，我
D
= 30A
44
I
D
= 15A
–––
nC
V
DS
= 10V
–––
V
GS
= 4.5V
–––
V
GS
= 0V, V
DS
= 10V
–––
V
DD
= 10V
–––
I
D
= 30A
ns
–––
R
G
= 1.8
–––
V
GS
= 4.5V
–––
V
GS
= 0V
–––
pF
V
DS
= 10V
–––
= 1.0MHz的
雪崩特性
符号
E
AS
I
AR
参数
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
典型值。
–––
–––
马克斯。
460
30
单位
mJ
A
二极管的特性
符号
I
S
I
SM
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向
反向
反向
反向
恢复
恢复
恢复
恢复
时间
收费
时间
收费
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
––– 110
A
–––
440
1.3
–––
75
92
72
98
V
ns
nC
ns
nC
V
SD
t
rr
Q
rr
t
rr
Q
rr
––– 0.88
––– 0.82
––– 50
––– 61
––– 48
––– 65
条件
MOSFET符号
展示
G
整体反转
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= 30A ，V
GS
= 0V
T
J
≤ 125 ° C，I
S
= 30A ，V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C，I
F
= 16A ，V
R
=10V
的di / dt = 100A / μs的
T
J
≤ 125 ° C，I
F
= 16A ，V
R
=10V
的di / dt = 100A / μs的
D
S
2
www.irf.com
IRF3711/3711S/3711L
1000
VGS
顶部
15V
10V
4.5V
3.7V
3.5V
3.3V
3.0V
BOTTOM 2.7V
1000
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
VGS
15V
10V
4.5V
3.7V
3.5V
3.3V
3.0V
BOTTOM 2.7V
顶部
100
100
2.7V
2.7V
20μs的脉冲宽度
T
J
= 25
°
C
1
10
100
10
0.1
10
0.1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 150
°
C
1
10
100
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
1000
T
J
= 25
°
C
T
J
= 150
°
C
100
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
2.0
I
D
= 110A
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
1.5
1.0
0.5
10
2.0
V DS = 25V
20μs的脉冲宽度
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
0.0
-60 -40 -20
V
GS
= 10V
0
20
40
60
80 100 120 140 160
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
J
，结温（
°
C)
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
www.irf.com
3
IRF3711/3711S/3711L
14
100000
I
D
= 30A
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
西塞= C + Cgd的，C
gs
DS短路
CRSS = C
gd
COSS = C + Cgd的
ds
12
10
8
6
4
2
0
0
20
V
DS
= 16V
V
DS
= 10V
C，电容（pF ）
10000
西塞
科斯
1000
CRSS
100
1
10
100
测试电路
见图13
40
60
80
VDS ，漏极至源极电压（ V）
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
1000
10000
在这一领域
限于由R DS （ ON）
I
SD
，反向漏电流（ A）
100
T
J
= 150
°
C
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
1000
10
100
100sec
1msec
T
J
= 25
°
C
1
10
TC = 25°C
TJ = 150℃
单脉冲
1
1
10
VDS ，漏toSource电压（V ）
100
10msec
0.1
0.2
V
GS
= 0 V
0.8
1.4
2.0
2.6
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
www.irf.com
IRF3711/3711S/3711L
120
V
DS
不限按包
R
D
100
V
GS
R
G
D.U.T.
+
I
D
，漏电流（ A）
80
-
V
DD
V
GS
60
脉冲宽度
≤ 1
s
占空比
≤ 0.1 %
40
图10A 。
开关时间测试电路
V
DS
90%
20
0
25
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（ ° C）
10%
V
GS
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
图10B 。
开关时间波形
10
热响应（Z
thJC
)
1
D = 0.50
0.20
0.10
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
（热反应）
P
DM
t
1
t
2
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.001
0.01
0.1
0.01
0.00001
0.0001
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图11 。
最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
www.irf.com
5
数据表No.94514
IRUK3055CQ01
电源管理芯片组
3相VRM 9.0转换器
特点
完整的VRM 9.0芯片组三相降压转换
变流器能够实现高达60A
优化的芯片组设计，方便大电流
多相DC-DC变换器具有符合
VRM 9.0规范
HEXFET MOSFET来控制和同步的
理性FET插座
描述
该IRUK3055CQ01是一个完整的电源管理
符合Intel的VRM 9.0规范的芯片组解决方案
系统蒸发散为CPU供电。该芯片组包含的
IRU3055CQ 3相PWM集成电路和匹配控制
（ IRF3704S ）和同步MOSFET （ IRF3711S ） 。
该IRUK3055CQ01TR芯片组简化采购
功率MOSFET和多相的，同步PWM
集成电路，以减少高电流DC-DC转换设计时间
变流器为CPU供电。当在一个3相DC -DC用
转换器的设计， IRUK3055CQ01TR芯片组可以亲
韦迪高达60A的微处理器V
CORE
要求。
应用
英特尔Pentium 4和AMD K7 CPU电源
低电压/高电流DC到DC转换
CHIPSET内容
每个IRUK3055CQTR芯片组包含：
产品编号
IRU3055CQ
IRF3704S
IRF3711S
描述
5位可编程3相同步PWM IC
20VN控制MOSFET ， 9MV （最大）
20VN同步MOSFET ， 6.5mV （最大值）
包
36引脚QSOP
D
2
PAK
D
2
PAK
数量
1
3
3
注意：
点击上表中的部件号链接到单个数据表。您也可以使用部分
在www.irf.com搜索引擎来访问各个部分的数据表。
订购信息
产品编号
IRUK3055CQ01TR
IRUK3055CQ01
描述
VRM 9.0功耗芯片组在磁带和卷轴
VRM 9.0功耗芯片组的散装
标准包装
1600
1
1.0版
06/26/02
www.irf.com
1
IRUK3055CQ01
典型应用电路
12V
D1
C1
1uF
C2
0.1uF
Q1
IRF3704S
R1
OCSET
C3
1uF
L1
1uH
C4
1000uF
V
CH3
5V
C5
1uF
V
CH12
VCC
V
CL1
V
CL23
HDrv1
C6
6× 1500uF
L2
2.2K
REF
LDrv1
Rt
PGnd1/
OCGnd
CS1
HDrv2
Q3
IRF3704S
Q4
IRF3711S
Q2
IRF3711S
1uH
R2
1.5K
C8
1uF
L3
1uH
R4
1.5K
C11
1.5V / 60A
SS
C9
1uF
R3
47K
C10
0.1uF
D4
IRU3055
LDrv2
PGnd2
D3
CS2
D2
HDrv3
D1
D0
C12
22nF
C7
100pF
Fb
R6
COMP
27K
CS3
LDrv3
PGnd3
Q5
IRF3704S
Q6
IRF3711S
1uF
L4
1uH
R5
1.5K
C13
1uF
C14
8X 2700uF
（可选）
图1 - 使用IRUK3055CQ01TR芯片组三相降压转换器应用电路。
V
OUT
= 1.5V @ 60A
IR全球总部：
233堪萨斯街El Segundo的加州90245 ， USA电话： （ 310 ） 252-7105
TAC传真： （ 310 ） 252-7903
请访问我们的www.irf.com销售联系人信息
数据和规格如有变更，恕不另行通知。 02/01
2
www.irf.com
1.0版
06/26/02
查看更多IRF3711SPDF信息
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ISL9014IRBBZ
IGP-28111J-70
IDT70121S35J
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IDT72T40118L6-7BB
IDT74ALVCH16823PV
IDT71V2548SA133BQI
IDT74FCT623ATPB
ICL7675IJA
IDT74FCT245ATPG
IQS2A300
IDT54FCT833ASOB
ICL3241EIAZ-T
IDT72421L12PFB
ISL9011IRBLZ-T
IB2412LS-1W
IRFS11N50ATRL
ISL6292B
ispLSI1032-60LJI
IS42S32160C-6BI
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    IRF3711S
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市创芯联盈电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881793588 复制

电话：0755-88291559
联系人：陈泽强
地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
IRF3711S
Infineon Technologies
2432+
3800
DPAK-3 (TO-252-3)
代理Infineon Technologies专营，原装现货优势
江苏芯钻时代电子科技有限公司
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电话：18913062888
联系人：陈先生
地址：江苏省苏州市昆山市昆山开发区朝阳东路109号
IRF3711S
Infineon Technologies
24+
5000
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
原装正品现货
深圳市集创讯科技有限公司
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电话：0755-83244680/82865294
联系人：吴小姐
地址：深圳市福田区华强北电子科技大厦A座36楼C09室
IRF3711S
IR
24+
15600
原装进口正品现货，只做原装，长期供货
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电话：13510131896
联系人：欧阳
地址：龙岗区布吉街道粤宝花园3栋514
IRF3711S
IR
20+
6000
TO263
百分之百原装进口现货
深圳市科恒伟业电子有限公司
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电话：0755-88917652分机801-83200050
联系人：柯
地址：深圳市福田区华强北振兴华101号华匀大厦二栋五楼516室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票！！
IRF3711S
IR
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9852
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电话：15112667855
联系人：谌小姐
地址：深圳市龙岗区横岗街道六约社区深峰路3号4E
IRF3711S
IR
18+
15600
TO-263
深圳市芯泽盛世科技有限公司
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电话：0755-89697985
联系人：李
地址：深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
IRF3711S
Infineon Technologies
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10000
D2PAK
原厂一级代理，原装现货
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联系人：陈泽强
地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
IRF3711S
75700
2443+
23000
10
一级代理专营，原装现货，价格优势
深圳市诺洋电子科技有限公司
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地址：福田区红荔路上步工业区201栋西座316
IRF3711S
IR
24+
9634
TO263
全新原装现货，原厂代理。
深圳市华斯顿电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1002316308 复制 点击这里给我发消息 QQ：515102657 复制
电话：0755-83777708/83777607/82799993
联系人：朱咸华
地址：美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
IRF3711S
IR
25+23+
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