汽车级
PD - 97597A
AUIRFR4105
HEXFET
功率MOSFET
特点
●
●
●
●
●
●
●
●
●
高级平面技术
低导通电阻
动态的dv / dt额定值
175 ° C工作温度
快速开关
全额定雪崩
重复性雪崩允许
达toTjmax
无铅，符合RoHS
汽车合格*
D
V
（ BR ） DSS
R
DS （ ON）
马克斯。
I
D（硅有限公司）
55V
45mΩ
27A
20A
G
S
I
D（包装有限公司）
g
D
S
G
描述
专为汽车应用，
HEXFET功率MOSFET的这种蜂窝设计
采用最新的加工技术，以实现
低导通电阻每硅片面积。这样做的好处
结合快速开关速度和
坚固耐用的设备的设计，HEXFET功率
MOSFET是众所周知的，为设计者提供
用一个非常有效和可靠的装置，用于使用
在汽车和各种其他应用程序。
D- PAK
AUIRFR4105
G
D
S
门
漏
来源
绝对最大额定值
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些
只是应力额定值;并且该设备在这些或超出在标明的任何其他条件的功能操作
规格是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下长时间工作会影响器件
可靠性。热电阻和功耗额定值下板安装和静止空气条件下测得的。
环境温度（T
A
）是25℃ ，除非另有说明。
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
D
@ T
C
= 25°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V （硅有限公司）
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V （包装有限公司）
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量（热有限公司）
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度， 10秒（从案例1.6毫米）
马克斯。
27
19
20
100
68
0.45
± 20
65
16
6.8
5.0
-55 + 175
300
g
单位
A
d
e
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
°C
热阻
R
θJC
R
θJA
R
θJA
结到外壳
结到环境（印刷电路板安装） **
结到环境
h
参数
典型值。
–––
–––
–––
马克斯。
2.2
50
110
单位
° C / W
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1
07/05/11
AUIRFR4105
静态电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
V
（ BR ） DSS
ΔV
（ BR ） DSS
/ΔT
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
政府飞行服务队
I
DSS
I
GSS
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
分钟。典型值。马克斯。单位
55
–––
–––
2.0
6.5
–––
–––
–––
–––
–––
0.052
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
45
4.0
–––
25
250
100
-100
条件
V V
GS
= 0V时，我
D
= 250μA
V / ℃参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
毫欧V
GS
= 10V ，我
D
= 16A
V V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
s V
DS
= 25V ，我
D
= 16A
μA
V
DS
= 55V, V
GS
= 0V
V
DS
= 44V, V
GS
= 0V ，T
J
= 150°C
nA的V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
f
动态电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
7.0
49
31
40
4.5
7.5
700
240
100
34
6.8
14
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
nC
条件
I
D
= 16A
V
DS
= 44V
V
GS
= 10V ，参照图6 & 13
V
DD
= 28V
I
D
= 16A
R
G
= 18Ω
R
D
= 1.8Ω ，见图。 10
铅之间，
f
ns
f
G
D
nH
6毫米（0.25英寸）。
从包
pF
而中心的模具接触
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz的，见图。五
S
二极管的特性
参数
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
57
130
27
g
条件
MOSFET符号
展示
整体反转
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= 16A ，V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C，I
F
= 16A
的di / dt = 100A / μs的
A
100
1.6
86
200
V
ns
nC
f
f
固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的
注意事项：
重复评价;脉冲宽度有限的
脉冲宽度
≤
300μS ;占空比
≤
2%.
基于最大允许计算出的连续电流
结温;套餐限制电流= 20A 。
最大。结温。 （参见图11）
V
DD
= 25V ，起始物为
J
= 25℃时，L = 410μH
R
G
= 25Ω, I
AS
= 16A 。 （参见图12）
T
J
≤
175°C.
I
SD
≤
图16A ， di / dt的
≤
420A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
,
R
θ
处测得的TJ约90℃。
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