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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第17页 > IDT72T40108L10BBI
2.5 VOLT HIGH -SPEED TeraSync DDR / SDR FIFO 40位配置
16,384 x 40, 32,768 x 40,
65,536 x 40, 131,072 x 40
IDT72T4088 , IDT72T4098
IDT72T40108 , IDT72T40118
特点
请选择以下内存组织之间:
IDT72T4088
16,384 x 40
IDT72T4098
32,768 x 40
IDT72T40108
65,536 x 40
IDT72T40118
131,072 x 40
截至时钟的250MHz的运行
- 4ns的读/写周期时间, 3.2ns访问时间
用户可选的输入端口到输出端口的数据传输速率, 500MB的/秒
数据速率
-DDR到DDR
-DDR以SDR
-SDR到DDR
-SDR以SDR
用户可选择HSTL或LVTTL的I / O
阅读启用&读时钟输出回波援助高速运转
2.5V LVTTL或1.8V , 1.5V HSTL端口可选的输入/输出继电器电压
3.3V输入宽容
马克&转发,复位读指针,以用户标记的位置
写片选( WCS )输入使能/禁止写
操作
读片选( RCS )的同步,以RCLK
可编程几乎空和几乎全部的标志,每个标志
可以默认为四个预选偏移1
专用的串行时钟输入标志偏移串行编程
用户可选的输入和输出端口,总线宽度调整
-X40到了X40
-X40到了X20
-X40到了X10
-x20到了X40
-X10到了X40
自动关机最大限度地降低待机功耗
主复位清除整个FIFO
部分复位清除数据,但保留可编程设置
空和满标志信号FIFO状态
选择IDT标准时间(使用
EF
FF
标志)或第一
字告吹时间(使用
OR
IR
标志)
输出使能卖出期权数据输出为高阻态
JTAG端口,提供边界扫描功能
208球栅阵列( PBGA ) , 17毫米x17毫米, 1mm节距
在深度和宽度易于扩展
独立的读写时钟(允许读取和写入
同时进行)
高性能的亚微米CMOS技术
工业级温度范围(-40 ° C至+ 85°C ),可
°
°
功能框图
D
0
-D
n
(x40, x20, x10)
WCS
WCLK
SREN SEN
SCLK
WSDR
输入寄存器
偏移寄存器
SI
SO
FF / IR
PAF
EF /或
PAE
FWFT
FSEL0
FSEL1
写控制
逻辑
RAM阵列
16,384 x 40,
32,768 x 40
65,536 x 40
131,072 x 40
逻辑
写指针
读指针
BM
IW
OW
太太
PRS
TCK
TRST
TMS
TDO
TDI
VREF
HSTL
公共汽车
CON组fi guration
RESET
逻辑
输出寄存器
控制
逻辑
RT
标志
RSDR
JTAG控制
(边界扫描)
RCLK
RCS
HSTL I / 0
控制
OE
EREN
5995 drw01
Q
0
-Q
n
(x40, x20, x10)
ERCLK
IDT和IDT标识是注册为Integrated Device Technology ,Inc.的商标的TeraSync是集成设备技术公司的商标。
商用和工业温度范围
1
2003集成设备技术, Inc.保留所有权利。产品规格如有变更,恕不另行通知。
2003年12月
DSC-5995/8
IDT72T4088 / 98 /一百十八分之一百零八2.5V HIGH -SPEED TeraSync DDR / SDR FIFO 40位
配置16,384 ×40 , 32,768 ×40 , 65,536 ×40和131,072 ×40
商业和工业
温度范围
销刀豆网络gurations
A1球焊垫角
A
V
CC
V
CC
D38
D1
D4
D7
D9
GND
GND
Q1
Q3
Q5
Q7
Q9
V
DDQ
V
DDQ
B
D35
D36
D39
D2
D5
D8
HSTL
GND
GND
Q0
Q2
Q4
Q6
Q8
Q22
Q23
C
D34
D37
D0
D3
D6
V
CC
V
CC
GND
GND
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
Q20
Q21
Q24
D
D33
D32
D31
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
GND
GND
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
Q27
Q26
Q25
E
D30
TDI
TRST
GND
V
DDQ
标志
Q29
Q28
F
TCK
TMS
TDO
V
DDQ
V
DDQ
RCS
RT
G
WCLK
FWFT
PAF
V
DDQ
GND
GND
GND
GND
GND
V
DDQ
OE
RCLK
H
WCS
FF / IR
V
DDQ
GND
GND
GND
GND
GND
V
DDQ
SCLK
SI
J
太太
FSEL1
FSEL0
GND
GND
GND
GND
GND
GND
V
DDQ
SEN
SREN
K
IW
BM
PRS
V
CC
GND
GND
GND
GND
GND
V
DDQ
SO
EREN
L
WSDR
RSDR
OW
V
CC
GND
V
DDQ
PAE
ERCLK
M
D27
D28
D29
V
CC
V
DDQ
EF
/
OR
Q30
Q31
N
D23
D20
D26
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
GND
GND
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
Q32
Q33
Q34
P
D24
D21
D18
GND
V
CC
V
CC
V
CC
GND
GND
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
Q35
Q36
Q37
R
D25
D22
D19
D16
D14
D12
D10
GND
GND
Q19
Q17
Q15
Q13
Q11
Q38
Q39
T
V
CC
V
CC
V
REF
D17
D15
D13
D11
GND
GND
Q18
Q16
Q14
Q12
Q10
V
DDQ
V
DDQ
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
5995 drw02
PBGA : 1mm节距, 17毫米x17毫米( BB208-1 ,订货代码: BB )
顶视图
2
IDT72T4088 / 98 /一百十八分之一百零八2.5V HIGH -SPEED TeraSync DDR / SDR FIFO 40位
配置16,384 ×40 , 32,768 ×40 , 65,536 ×40和131,072 ×40
商业和工业
温度范围
描述
该IDT72T4088 / 72T4098 / 72T40108 / 72T40118格外深,
极高速度, CMOS先入先出( FIFO)存储器的能力
读取和写入的时钟的上升沿和下降沿的数据。该装置具有
灵活的X40 / X20 / X10总线匹配模式和选项选择单人或
双数据速率的输入和输出端口。这些FIFO提供几个关键用户
好处:
灵活的X40 / X20 / X10上读取和写入端口总线匹配
能力,以读取和写入在时钟的上升沿和下降沿
用户可选择单个或的输入和输出端口双倍数据速率
对于重传用户可选择MARK位置
用户可选的I / O结构, HSTL或LVTTL
第一个字数据潜伏期,从时间的第一个字被写入
一个空的FIFO它可以读取时间,是固定的,短的。
高密度的产品高达5Mbit
高达250MHz的高速操作
总线匹配双数据速率的FIFO特别适合
网络,视频,电信,数据通信等应用
需要在时钟的上升沿和下降沿的快速数据传送系统蒸发散。
这是一个伟大的选择增加数据速率不延长的宽度
总线或设备的速度。它们也能有效地应用
需要缓存大量数据,并匹配不等大小的公共汽车。
每个FIFO具有一个数据输入端口(DN)和一个数据输出端口(尺寸Qn ),两者的
这可以假定任一40位, 20位,或10位宽度的测定
外部控制输入引脚宽度( IW ) ,输出宽度( OW ) ,以及巴士 - 国家
在主复位周期匹配( BM )引脚。
输入端口是由写时钟( WCLK )输入控制和写使能
( WEN)的输入。在DN上的数据的数据输入本可以被写入到FIFO
在WCLK时的每个上升沿和下降沿
断言和写入
单数据速率( WSDR )引脚保持高电平。数据可以选择只写
在WCLK的上升沿如果
WSDR
为有效。为了保证功能
该装置的,
必须是可控的信号,而不是接地。这是
重要的,因为
必须在时间为高电平时,主复位
( MRS)脉冲低。此外,该
WSDR
引脚必须连接到高电平或低电平。
它不是一个控制信号,并且可以FIFO的操作过程中不被改变。
写操作可以选择单个或双数据速率模式。
对于单倍数据速率操作,写入FIFO的要求写单
数据速率( WSDR )引脚被置为有效。数据将被写入到FIFO的
WCLK当写使能( WEN)的上升沿有效。双
数据速率操作,写入到FIFO中,需要
WSDR
被拉高。
数据将被写入到FIFO的WCLK时的上升沿和下降沿
为有效。
输出端口通过一个读时钟( RCLK )输入端和一个读控制
使能( REN)的输入。数据从FIFO中读出的每个上升沿和下降沿
RCLK时
断言和读取单倍数据速率( RSDR )引脚举行
HIGH 。数据可以选择仅在RCLK的上升沿,如果读
RSDR
为有效。为了保证设备的功能性,
必须是受控
信号,而不是接地。这是重要的,因为
必须为高电平
那段时间,当主复位( MRS)脉冲低。此外,该
RSDR
引脚必须连接到高电平或低电平。它不是一个控制信号,并且不能
FIFO的操作过程中被改变。
读操作可以被选择为任一单或双数据速率模式。
类似于写操作,从FIFO中在单数据速率读出要求
读单倍数据速率( RSDR )引脚被置为有效。数据将被从读
在FIFO在RCLK的上升沿时,读使能( REN)被置位。
对于双倍数据速率操作,读入FIFO要求
RSDR
拉高。数据将被读取FIFO的列于上升沿和下降沿
RCLK时和
为有效。
输入和输出端口可以被选择用于为2.5V的LVTTL或HSTL
操作。这可以通过捆绑的HSTL信号低的LVTTL或可实现
高为HSTL电压操作。当读取端口设置为HSTL模式,
读片选( RCS )的输入也有禁用读端口的好处
输入,提供额外的功耗。
对所用的输入和输出端口中选择不同的数据率的选项
该装置。共有四种组合的,双倍数据可供选择的
率双倍数据速率( DDR到DDR ) , DDR ,以单倍数据速率( DDR到
SDR ) ,以SDR DDR和SDR特别提款权。该速率可以设置使用
WSDR
RSDR
销。例如,设置输入到DDR的输出组合
以特别提款权(SDR)
WSDR
会很高,
RSDR
就为低。读取和写入操作
关于在RCLK和WCLK的上升沿被启动分别从不
下降沿。如果
or
后的时钟的上升沿被置位,没有读或
写操作将可能在那个相同的脉冲的下降沿。
一输出使能(OE)输入被提供为高阻抗控制
输出。一读片选( RCS )的输入,还提供了同步
启用/禁用读端口控制输入,
任志强。
RCS
输入是同步的
认列的读出时钟,并且还提供了高阻抗的控制对所述尺寸Qn
数据输出。当
RCS
被禁用,
将在内部禁用,
数据输出将在高阻抗。不同于读片选信号
不过,
OE
不同步的RCLK 。输出高impedanced
的延迟时间后不久,当
OE
从低转变为高。
回声读使能(二连)和回声读时钟( ERCLK )输出
被用来提供更紧密的同步之间正被发送的数据
从尺寸Qn输出,该数据被接收由输入装置。这些
需要进行高速数据通信从读端口的输出信号
阳离子。从读端口读出的数据是可用的相对于输出总线上
to
EREN
和ERCLK ,当数据正被读出的高速这是有用
操作,其中的同步是非常重要的。
的RCLK和WCLK信号两者的频率可以变化从0到f最大
完全独立。有一个的频率没有限制
时钟输入相对于另一个。
有操作这些设备的两种可能的时序模式: IDT
标准模式和第一个字告吹( FWFT )模式。
在IDT
标准模式下,
写入到一个空的FIFO的第一个字也不会出现
上的数据输出线,除非执行一个特定的读操作。读
运算,它由激活的
并实现上升RCLK边缘,
会从内部存储器中的字转移到数据输出线。要知道,
在双倍数据速率( DDR )模式下的IDT
标准模式
是可用的。
In
FWFT模式,
写入到一个空的FIFO中的第一个字是直接主频为
RCLK的3转换后的数据输出线。读操作不
已被执行来访问写入FIFO的第一个字。不过,
写入FIFO以后做的话就需要低
进行访问。
在FWFT输入的过程中主复位状态决定的定时模式
在使用中。
对于需要更多的数据存储容量比单个FIFO应用可以
提供的FWFT计时模式允许深度扩张链的FIFO
在一系列( 1 FIFO中即数据输出端被连接到相应的
的下一个数据输入)。无需外部逻辑是必要的。
这些FIFO中有四个标志引脚,
EF /或
(空标志或输出就绪) ,
FF/
IR
(满标志或输入就绪) ,
PAE
(可编程几乎空标志) ,并
PAF
(可编程几乎满标志) 。该
EF
FF
功能选择
在IDT标准模式。该
IR
OR
功能在FWFT模式选择。
PAE
PAF
你随时可以使用,不论定时模式。
3
IDT72T4088 / 98 /一百十八分之一百零八2.5V HIGH -SPEED TeraSync DDR / SDR FIFO 40位
配置16,384 ×40 , 32,768 ×40 , 65,536 ×40和131,072 ×40
商业和工业
温度范围
描述(续)
PAE
PAF
标志可以独立地进行编程,在任何点切换
在存储器中。可编程偏移标记的内部存储器中的位置
该激活
PAE
PAF
标志,并且只能进行串行编程。对
编程的偏移量,集
SEN
活性和数据可以通过串行输入被加载
(公制)针在SCLK的上升沿。以串行方式读出偏移寄存器,设置
SREN
活性和数据可以通过串行输出(SO )引脚在上升被读出
SCLK的边缘。还提供了四个默认偏移设置,从而使
PAE
可以
被标记在从空的边界的预定数量的位置,并
PAF
阈值也可以被标记在从满相似的预定义值
边界。默认的偏移值是由国家在主复位设置
的FSEL0和FSEL1引脚。
在主复位( MRS) ,将发生以下事件:读取和写入
指针设置到内部FIFO存储器的第一位置,所述FWFT销
选择IDT标准模式或FWFT模式的总线宽度配置
读取和写入端口由IW和OW的状态决定,并且该默认偏移
用于可编程标志值被设置。
该部分复位( PRS )还设置了读写指针到第
所述存储器的位置。然而,定时模式中的数据存储在
可编程的偏移部分复位寄存器之前保持不变。该
标志根据生效的定时模式和偏移量更新。
PRS
是有用的
用于重置设备中运行,重新编程时,编程
标志将是不希望的。
的时机
PAE
PAF
标志是同步的RCLK和WCLK ,
分别。该
PAE
标志被置位时RCLK的上升沿仅与
不WCLK 。同样,
PAF
被确认和更新的上升沿
WCLK ,而不是只RCLK 。
该器件包括从马克的功能,利用两个控制重传
输入,马克和
RT
(重发) 。如果标记的输入使能尊重
到RCLK ,存储器位置被读出将被标记的点。任何
随后的重传操作(当
RT
变低) ,将复位读
指向该“标记”的位置。
该设备可以具有不同的输入和输出的总线宽度为被构造
如前所述。这些比率是: X40到X40 , X40到X20 , X40到X10 , X20到
X40 , X10和X40来。
如果,在任何时间,在FIFO没有积极地执行一个操作,该芯片将
自动关机。一旦在断电状态下,待机电源
电流消耗最小化。启动任何操作(通过激活控制
输入)将立即停止设备的的掉电状态。
提供一个JTAG测试端口,这里的FIFO有功能齐全的边界
扫描功能,符合IEEE 1449.1标准测试访问端口和
边界扫描结构。
双倍数据速率FIFO有两种LVTTL工作的能力
或HSTL模式。 HSTL模式可以通过启用了HSTL销来选择。两
输入和输出端口,工作在任一HSTL或LVTTL的模式,但不能
选择相互独立的。
该IDT72T4088 / 72T4098 / 72T40108 / 72T40118使用制造
IDT的高速亚微米CMOS技术。
4
IDT72T4088 / 98 /一百十八分之一百零八2.5V HIGH -SPEED TeraSync DDR / SDR FIFO 40位
配置16,384 ×40 , 32,768 ×40 , 65,536 ×40和131,072 ×40
商业和工业
温度范围
部分复位( PRS )
写时钟( WCLK )
写使能( WEN )
写片选( WCS )
写单数据速率( WSDR )
( X40 , X20 , X10 ) DATA IN (D
0
- D
n
)
串行时钟( SCLK)
串行ENABLE ( SEN )
串行读使能( SREN )
第一个字告吹( FWFT )
串行输入( SI )
串行输出( SO )
满标志/ INPUT READY ( FF / IR )
可编程几乎全( PAF )
MASTER RESET ( MRS)
读时钟( RCLK )
读使能( REN)
输出使能( OE )
IDT
72T4088
72T4098
72T40108
72T40118
读片选( RCS )
阅读单数据速率( RSDR )
( X40 , X20 , X10 )数据输出( Q
0
- Q
n
)
RCLK ECHO ( ERCLK )
ECHO (二连)
标志
转发( RT )
空标志/ OUTPUT READY ( EF / OR)
可编程几乎空( PAE )
5995 drw03
输入宽度( IW )
输出宽度( OW )
图1.单设备配置信号流图
表1 - BUS匹配的配置模式
BM
L
H
H
H
H
注意:
在主复位1.引脚的状态。
IW
L
L
L
H
H
OW
L
L
H
L
H
写端口宽度
x40
x40
x40
x20
x10
读端口宽度
x40
x20
x10
x40
x40
表2 - 数据速率匹配配置模式
WSDR
H
H
L
L
RSDR
H
L
H
L
写端口宽度
双倍数据速率
双倍数据速率
单数据速率
单数据速率
读端口宽度
双倍数据速率
单数据速率
双倍数据速率
单数据速率
注意:
在主复位1.引脚的状态。
2.数据速率匹配可以与总线匹配模式结合使用。
5
2.5 VOLT HIGH -SPEED TeraSync DDR / SDR FIFO 40位配置
16,384 x 40, 32,768 x 40,
65,536 x 40, 131,072 x 40
IDT72T4088 , IDT72T4098
IDT72T40108 , IDT72T40118
特点
请选择以下内存组织之间:
IDT72T4088
16,384 x 40
IDT72T4098
32,768 x 40
IDT72T40108
65,536 x 40
IDT72T40118
131,072 x 40
截至时钟的250MHz的运行
- 4ns的读/写周期时间, 3.2ns访问时间
用户可选的输入端口到输出端口的数据传输速率, 500MB的/秒
数据速率
-DDR到DDR
-DDR以SDR
-SDR到DDR
-SDR以SDR
用户可选择HSTL或LVTTL的I / O
阅读启用&读时钟输出回波援助高速运转
2.5V LVTTL或1.8V , 1.5V HSTL端口可选的输入/输出继电器电压
3.3V输入宽容
马克&转发,复位读指针,以用户标记的位置
写片选( WCS )输入使能/禁止写
操作
读片选( RCS )的同步,以RCLK
可编程几乎空和几乎全部的标志,每个标志
可以默认为四个预选偏移1
专用的串行时钟输入标志偏移串行编程
用户可选的输入和输出端口,总线宽度调整
-X40到了X40
-X40到了X20
-X40到了X10
-x20到了X40
-X10到了X40
自动关机最大限度地降低待机功耗
主复位清除整个FIFO
部分复位清除数据,但保留可编程设置
空和满标志信号FIFO状态
选择IDT标准时间(使用
EF
FF
标志)或第一
字告吹时间(使用
OR
IR
标志)
输出使能卖出期权数据输出为高阻态
JTAG端口,提供边界扫描功能
208球栅阵列( PBGA ) , 17毫米x17毫米, 1mm节距
在深度和宽度易于扩展
独立的读写时钟(允许读取和写入
同时进行)
高性能的亚微米CMOS技术
工业级温度范围(-40 ° C至+ 85°C ),可
°
°
功能框图
D
0
-D
n
(x40, x20, x10)
WCS
WCLK
SREN SEN
SCLK
WSDR
输入寄存器
偏移寄存器
SI
SO
FF / IR
PAF
EF /或
PAE
FWFT
FSEL0
FSEL1
写控制
逻辑
RAM阵列
16,384 x 40,
32,768 x 40
65,536 x 40
131,072 x 40
逻辑
写指针
读指针
BM
IW
OW
太太
PRS
TCK
TRST
TMS
TDO
TDI
VREF
HSTL
公共汽车
CON组fi guration
RESET
逻辑
输出寄存器
控制
逻辑
RT
标志
RSDR
JTAG控制
(边界扫描)
RCLK
RCS
HSTL I / 0
控制
OE
EREN
5995 drw01
Q
0
-Q
n
(x40, x20, x10)
ERCLK
IDT和IDT标识是注册为Integrated Device Technology ,Inc.的商标的TeraSync是集成设备技术公司的商标。
商用和工业温度范围
1
2003集成设备技术, Inc.保留所有权利。产品规格如有变更,恕不另行通知。
2003年12月
DSC-5995/8
IDT72T4088 / 98 /一百十八分之一百零八2.5V HIGH -SPEED TeraSync DDR / SDR FIFO 40位
配置16,384 ×40 , 32,768 ×40 , 65,536 ×40和131,072 ×40
商业和工业
温度范围
销刀豆网络gurations
A1球焊垫角
A
V
CC
V
CC
D38
D1
D4
D7
D9
GND
GND
Q1
Q3
Q5
Q7
Q9
V
DDQ
V
DDQ
B
D35
D36
D39
D2
D5
D8
HSTL
GND
GND
Q0
Q2
Q4
Q6
Q8
Q22
Q23
C
D34
D37
D0
D3
D6
V
CC
V
CC
GND
GND
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
Q20
Q21
Q24
D
D33
D32
D31
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
GND
GND
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
Q27
Q26
Q25
E
D30
TDI
TRST
GND
V
DDQ
标志
Q29
Q28
F
TCK
TMS
TDO
V
DDQ
V
DDQ
RCS
RT
G
WCLK
FWFT
PAF
V
DDQ
GND
GND
GND
GND
GND
V
DDQ
OE
RCLK
H
WCS
FF / IR
V
DDQ
GND
GND
GND
GND
GND
V
DDQ
SCLK
SI
J
太太
FSEL1
FSEL0
GND
GND
GND
GND
GND
GND
V
DDQ
SEN
SREN
K
IW
BM
PRS
V
CC
GND
GND
GND
GND
GND
V
DDQ
SO
EREN
L
WSDR
RSDR
OW
V
CC
GND
V
DDQ
PAE
ERCLK
M
D27
D28
D29
V
CC
V
DDQ
EF
/
OR
Q30
Q31
N
D23
D20
D26
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
GND
GND
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
Q32
Q33
Q34
P
D24
D21
D18
GND
V
CC
V
CC
V
CC
GND
GND
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
Q35
Q36
Q37
R
D25
D22
D19
D16
D14
D12
D10
GND
GND
Q19
Q17
Q15
Q13
Q11
Q38
Q39
T
V
CC
V
CC
V
REF
D17
D15
D13
D11
GND
GND
Q18
Q16
Q14
Q12
Q10
V
DDQ
V
DDQ
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
5995 drw02
PBGA : 1mm节距, 17毫米x17毫米( BB208-1 ,订货代码: BB )
顶视图
2
IDT72T4088 / 98 /一百十八分之一百零八2.5V HIGH -SPEED TeraSync DDR / SDR FIFO 40位
配置16,384 ×40 , 32,768 ×40 , 65,536 ×40和131,072 ×40
商业和工业
温度范围
描述
该IDT72T4088 / 72T4098 / 72T40108 / 72T40118格外深,
极高速度, CMOS先入先出( FIFO)存储器的能力
读取和写入的时钟的上升沿和下降沿的数据。该装置具有
灵活的X40 / X20 / X10总线匹配模式和选项选择单人或
双数据速率的输入和输出端口。这些FIFO提供几个关键用户
好处:
灵活的X40 / X20 / X10上读取和写入端口总线匹配
能力,以读取和写入在时钟的上升沿和下降沿
用户可选择单个或的输入和输出端口双倍数据速率
对于重传用户可选择MARK位置
用户可选的I / O结构, HSTL或LVTTL
第一个字数据潜伏期,从时间的第一个字被写入
一个空的FIFO它可以读取时间,是固定的,短的。
高密度的产品高达5Mbit
高达250MHz的高速操作
总线匹配双数据速率的FIFO特别适合
网络,视频,电信,数据通信等应用
需要在时钟的上升沿和下降沿的快速数据传送系统蒸发散。
这是一个伟大的选择增加数据速率不延长的宽度
总线或设备的速度。它们也能有效地应用
需要缓存大量数据,并匹配不等大小的公共汽车。
每个FIFO具有一个数据输入端口(DN)和一个数据输出端口(尺寸Qn ),两者的
这可以假定任一40位, 20位,或10位宽度的测定
外部控制输入引脚宽度( IW ) ,输出宽度( OW ) ,以及巴士 - 国家
在主复位周期匹配( BM )引脚。
输入端口是由写时钟( WCLK )输入控制和写使能
( WEN)的输入。在DN上的数据的数据输入本可以被写入到FIFO
在WCLK时的每个上升沿和下降沿
断言和写入
单数据速率( WSDR )引脚保持高电平。数据可以选择只写
在WCLK的上升沿如果
WSDR
为有效。为了保证功能
该装置的,
必须是可控的信号,而不是接地。这是
重要的,因为
必须在时间为高电平时,主复位
( MRS)脉冲低。此外,该
WSDR
引脚必须连接到高电平或低电平。
它不是一个控制信号,并且可以FIFO的操作过程中不被改变。
写操作可以选择单个或双数据速率模式。
对于单倍数据速率操作,写入FIFO的要求写单
数据速率( WSDR )引脚被置为有效。数据将被写入到FIFO的
WCLK当写使能( WEN)的上升沿有效。双
数据速率操作,写入到FIFO中,需要
WSDR
被拉高。
数据将被写入到FIFO的WCLK时的上升沿和下降沿
为有效。
输出端口通过一个读时钟( RCLK )输入端和一个读控制
使能( REN)的输入。数据从FIFO中读出的每个上升沿和下降沿
RCLK时
断言和读取单倍数据速率( RSDR )引脚举行
HIGH 。数据可以选择仅在RCLK的上升沿,如果读
RSDR
为有效。为了保证设备的功能性,
必须是受控
信号,而不是接地。这是重要的,因为
必须为高电平
那段时间,当主复位( MRS)脉冲低。此外,该
RSDR
引脚必须连接到高电平或低电平。它不是一个控制信号,并且不能
FIFO的操作过程中被改变。
读操作可以被选择为任一单或双数据速率模式。
类似于写操作,从FIFO中在单数据速率读出要求
读单倍数据速率( RSDR )引脚被置为有效。数据将被从读
在FIFO在RCLK的上升沿时,读使能( REN)被置位。
对于双倍数据速率操作,读入FIFO要求
RSDR
拉高。数据将被读取FIFO的列于上升沿和下降沿
RCLK时和
为有效。
输入和输出端口可以被选择用于为2.5V的LVTTL或HSTL
操作。这可以通过捆绑的HSTL信号低的LVTTL或可实现
高为HSTL电压操作。当读取端口设置为HSTL模式,
读片选( RCS )的输入也有禁用读端口的好处
输入,提供额外的功耗。
对所用的输入和输出端口中选择不同的数据率的选项
该装置。共有四种组合的,双倍数据可供选择的
率双倍数据速率( DDR到DDR ) , DDR ,以单倍数据速率( DDR到
SDR ) ,以SDR DDR和SDR特别提款权。该速率可以设置使用
WSDR
RSDR
销。例如,设置输入到DDR的输出组合
以特别提款权(SDR)
WSDR
会很高,
RSDR
就为低。读取和写入操作
关于在RCLK和WCLK的上升沿被启动分别从不
下降沿。如果
or
后的时钟的上升沿被置位,没有读或
写操作将可能在那个相同的脉冲的下降沿。
一输出使能(OE)输入被提供为高阻抗控制
输出。一读片选( RCS )的输入,还提供了同步
启用/禁用读端口控制输入,
任志强。
RCS
输入是同步的
认列的读出时钟,并且还提供了高阻抗的控制对所述尺寸Qn
数据输出。当
RCS
被禁用,
将在内部禁用,
数据输出将在高阻抗。不同于读片选信号
不过,
OE
不同步的RCLK 。输出高impedanced
的延迟时间后不久,当
OE
从低转变为高。
回声读使能(二连)和回声读时钟( ERCLK )输出
被用来提供更紧密的同步之间正被发送的数据
从尺寸Qn输出,该数据被接收由输入装置。这些
需要进行高速数据通信从读端口的输出信号
阳离子。从读端口读出的数据是可用的相对于输出总线上
to
EREN
和ERCLK ,当数据正被读出的高速这是有用
操作,其中的同步是非常重要的。
的RCLK和WCLK信号两者的频率可以变化从0到f最大
完全独立。有一个的频率没有限制
时钟输入相对于另一个。
有操作这些设备的两种可能的时序模式: IDT
标准模式和第一个字告吹( FWFT )模式。
在IDT
标准模式下,
写入到一个空的FIFO的第一个字也不会出现
上的数据输出线,除非执行一个特定的读操作。读
运算,它由激活的
并实现上升RCLK边缘,
会从内部存储器中的字转移到数据输出线。要知道,
在双倍数据速率( DDR )模式下的IDT
标准模式
是可用的。
In
FWFT模式,
写入到一个空的FIFO中的第一个字是直接主频为
RCLK的3转换后的数据输出线。读操作不
已被执行来访问写入FIFO的第一个字。不过,
写入FIFO以后做的话就需要低
进行访问。
在FWFT输入的过程中主复位状态决定的定时模式
在使用中。
对于需要更多的数据存储容量比单个FIFO应用可以
提供的FWFT计时模式允许深度扩张链的FIFO
在一系列( 1 FIFO中即数据输出端被连接到相应的
的下一个数据输入)。无需外部逻辑是必要的。
这些FIFO中有四个标志引脚,
EF /或
(空标志或输出就绪) ,
FF/
IR
(满标志或输入就绪) ,
PAE
(可编程几乎空标志) ,并
PAF
(可编程几乎满标志) 。该
EF
FF
功能选择
在IDT标准模式。该
IR
OR
功能在FWFT模式选择。
PAE
PAF
你随时可以使用,不论定时模式。
3
IDT72T4088 / 98 /一百十八分之一百零八2.5V HIGH -SPEED TeraSync DDR / SDR FIFO 40位
配置16,384 ×40 , 32,768 ×40 , 65,536 ×40和131,072 ×40
商业和工业
温度范围
描述(续)
PAE
PAF
标志可以独立地进行编程,在任何点切换
在存储器中。可编程偏移标记的内部存储器中的位置
该激活
PAE
PAF
标志,并且只能进行串行编程。对
编程的偏移量,集
SEN
活性和数据可以通过串行输入被加载
(公制)针在SCLK的上升沿。以串行方式读出偏移寄存器,设置
SREN
活性和数据可以通过串行输出(SO )引脚在上升被读出
SCLK的边缘。还提供了四个默认偏移设置,从而使
PAE
可以
被标记在从空的边界的预定数量的位置,并
PAF
阈值也可以被标记在从满相似的预定义值
边界。默认的偏移值是由国家在主复位设置
的FSEL0和FSEL1引脚。
在主复位( MRS) ,将发生以下事件:读取和写入
指针设置到内部FIFO存储器的第一位置,所述FWFT销
选择IDT标准模式或FWFT模式的总线宽度配置
读取和写入端口由IW和OW的状态决定,并且该默认偏移
用于可编程标志值被设置。
该部分复位( PRS )还设置了读写指针到第
所述存储器的位置。然而,定时模式中的数据存储在
可编程的偏移部分复位寄存器之前保持不变。该
标志根据生效的定时模式和偏移量更新。
PRS
是有用的
用于重置设备中运行,重新编程时,编程
标志将是不希望的。
的时机
PAE
PAF
标志是同步的RCLK和WCLK ,
分别。该
PAE
标志被置位时RCLK的上升沿仅与
不WCLK 。同样,
PAF
被确认和更新的上升沿
WCLK ,而不是只RCLK 。
该器件包括从马克的功能,利用两个控制重传
输入,马克和
RT
(重发) 。如果标记的输入使能尊重
到RCLK ,存储器位置被读出将被标记的点。任何
随后的重传操作(当
RT
变低) ,将复位读
指向该“标记”的位置。
该设备可以具有不同的输入和输出的总线宽度为被构造
如前所述。这些比率是: X40到X40 , X40到X20 , X40到X10 , X20到
X40 , X10和X40来。
如果,在任何时间,在FIFO没有积极地执行一个操作,该芯片将
自动关机。一旦在断电状态下,待机电源
电流消耗最小化。启动任何操作(通过激活控制
输入)将立即停止设备的的掉电状态。
提供一个JTAG测试端口,这里的FIFO有功能齐全的边界
扫描功能,符合IEEE 1449.1标准测试访问端口和
边界扫描结构。
双倍数据速率FIFO有两种LVTTL工作的能力
或HSTL模式。 HSTL模式可以通过启用了HSTL销来选择。两
输入和输出端口,工作在任一HSTL或LVTTL的模式,但不能
选择相互独立的。
该IDT72T4088 / 72T4098 / 72T40108 / 72T40118使用制造
IDT的高速亚微米CMOS技术。
4
IDT72T4088 / 98 /一百十八分之一百零八2.5V HIGH -SPEED TeraSync DDR / SDR FIFO 40位
配置16,384 ×40 , 32,768 ×40 , 65,536 ×40和131,072 ×40
商业和工业
温度范围
部分复位( PRS )
写时钟( WCLK )
写使能( WEN )
写片选( WCS )
写单数据速率( WSDR )
( X40 , X20 , X10 ) DATA IN (D
0
- D
n
)
串行时钟( SCLK)
串行ENABLE ( SEN )
串行读使能( SREN )
第一个字告吹( FWFT )
串行输入( SI )
串行输出( SO )
满标志/ INPUT READY ( FF / IR )
可编程几乎全( PAF )
MASTER RESET ( MRS)
读时钟( RCLK )
读使能( REN)
输出使能( OE )
IDT
72T4088
72T4098
72T40108
72T40118
读片选( RCS )
阅读单数据速率( RSDR )
( X40 , X20 , X10 )数据输出( Q
0
- Q
n
)
RCLK ECHO ( ERCLK )
ECHO (二连)
标志
转发( RT )
空标志/ OUTPUT READY ( EF / OR)
可编程几乎空( PAE )
5995 drw03
输入宽度( IW )
输出宽度( OW )
图1.单设备配置信号流图
表1 - BUS匹配的配置模式
BM
L
H
H
H
H
注意:
在主复位1.引脚的状态。
IW
L
L
L
H
H
OW
L
L
H
L
H
写端口宽度
x40
x40
x40
x20
x10
读端口宽度
x40
x20
x10
x40
x40
表2 - 数据速率匹配配置模式
WSDR
H
H
L
L
RSDR
H
L
H
L
写端口宽度
双倍数据速率
双倍数据速率
单数据速率
单数据速率
读端口宽度
双倍数据速率
单数据速率
双倍数据速率
单数据速率
注意:
在主复位1.引脚的状态。
2.数据速率匹配可以与总线匹配模式结合使用。
5
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    -
    -
    -
    -
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