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PD - 95512
IRFP3415PbF
HEXFET
功率MOSFET
l
l
l
l
l
l
先进的工艺技术
动态的dv / dt额定值
175 ° C工作温度
快速开关
全额定雪崩
LEAD -FREE
D
V
DSS
= 150V
G
S
R
DS （ ON）
= 0.042
I
D
= 43A
描述
第五代HEXFET
从功率MOSFET
国际整流器利用先进的加工
技术，以实现极低的导通电阻元
硅片面积。这样做的好处，结合快速
开关速度和坚固耐用的设备的设计，
HEXFET功率MOSFET是众所周知的，提供了
设计师用一种极其有效和可靠的
装置，用于在各种各样的应用中使用。
在TO- 247封装的首选commercial-
工业应用更高的功率电平
排除使用的TO-220的设备。该TO- 247
相似但优于早前TO- 218封装
因为它孤立的安装孔。
TO-247AC
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量？
雪崩电流？
重复性雪崩能量？
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
安装扭矩， 6-32或M3 srew
马克斯。
43
30
150
200
1.3
± 20
590
22
20
5.0
-55 + 175
300 （ 1.6毫米从案例）
10磅在（ 1.1N m）的
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θCS
R
θJA
结到外壳
案件到水槽，平面，脂表面
结到环境
典型值。
–––
0.24
–––
马克斯。
0.75
–––
40
单位
° C / W
www.irf.com
1
07/15/04
IRFP3415PbF
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
150
––– –––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
--- 0.17 --- V / ° C参考到25° C，I
D
= 1毫安
–––
––– 0.042
V
GS
= 10V ，我
D
= 22A
2.0
––– 4.0
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
19
––– –––
S
V
DS
= 50V ，我
D
= 22A
–––
–––
25
V
DS
= 150V, V
GS
= 0V
A
–––
––– 250
V
DS
= 120V, V
GS
= 0V ，T
J
= 150°C
–––
––– 100
V
GS
= 20V
nA
–––
––– -100
V
GS
= -20V
–––
––– 200
I
D
= 22A
–––
–––
17
nC
V
DS
= 120V
–––
–––
98
V
GS
= 10V ，参照图6和13
–––
12
–––
V
DD
= 75V
–––
55
–––
I
D
= 22A
ns
–––
71
–––
R
G
= 2.5
–––
69
–––
R
D
= 3.3Ω ，见图。 10
D
铅之间，
4.5 –––
–––
6毫米（0.25英寸）。
nH
G
从包
7.5
而中心的模具接触
S
––– 2400 –––
V
GS
= 0V
–––
640 –––
pF
V
DS
= 25V
–––
340 –––
= 1.0MHz的，见图。五
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向RecoveryCharge
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
–––
–––
260
2.2
43
150
1.3
390
3.3
V
ns
C
A
条件
MOSFET符号
展示
G
整体反转
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= 22A ，V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C，I
F
= 22A
的di / dt = 100A / μs的
D
S
注意事项：
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 （参见图11）
I
SD
≤
图22A ， di / dt的
≤
820A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
,
T
J
≤
175°C
V
DD
= 25V ，起始物为
J
= 25℃时，L = 2.4mH
R
G
= 25, I
AS
= 22A 。 （参见图12）
脉冲宽度
≤
300μS ;占空比
≤
2%.
2
www.irf.com
IRFP3415PbF
1000
VGS
顶部
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
1000
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
顶部
100
100
4.5V
大于20us脉宽
T
J
= 25
o
C
1
10
100
4.5V
大于20us脉宽
T
J
= 175
o
C
1
10
100
10
10
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
1000
3.0
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
I
D
= 37A
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
2.5
2.0
T
J
= 25
°
C
100
T
J
= 175
°
C
1.5
1.0
0.5
10
4
5
6
7
V DS = 50V
20μs的脉冲宽度
8
9
10
0.0
-60 -40 -20 0
V
GS
= 10V
20 40 60 80 100 120 140 160 180
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
J
，结温（
o
C)
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
www.irf.com
3
IRFP3415PbF
6000
5000
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
C
国际空间站
= C
gs
+ C
GD ，
C
ds
短
C
RSS
= C
gd
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
20
I
D
= 22A
V
DS
= 120V
V
DS
= 75V
V
DS
= 30V
16
C，电容（pF ）
4000
西塞
3000
12
8
2000
科斯
CRSS
1000
4
0
1
10
100
0
0
40
80
测试电路
见图13
120
160
200
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
1000
1000
I
SD
，反向漏电流（ A）
在这一领域有限
由R
DS （ ON）
I
D
，漏电流（ A）
100
100
10us
T
J
= 175
o
C
10
100us
T
J
= 25
o
C
1
10
1ms
0.1
0.2
V
GS
= 0 V
0.6
1.0
1.4
1.8
1
T
C
= 25
o
C
T
J
= 175
o
C
单脉冲
1
10
100
10ms
1000
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
www.irf.com
IRFP3415PbF
50
V
DS
V
GS
R
D
40
I
D
，漏电流（ A）
R
G
10V
脉冲宽度
≤ 1
s
占空比
≤ 0.1 %
D.U.T.
+
-
V
DD
30
20
图10A 。
开关时间测试电路
10
V
DS
90%
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
，外壳温度（ ° C）
10%
V
GS
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
图10B 。
开关时间波形
1
热响应（Z
thJC
)
D = 0.50
0.20
0.1
0.10
0.05
0.02
0.01
P
DM
t
1
单脉冲
（热反应）
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t
2
0.01
0.00001
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图11 。
最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
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5
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