【POWERMOSFET概述这种高电压MOSFET采用先进的终止方案以提供增强的电压阻断能力在不降低性】,IC型号IRF6N60,IRF6N60 PDF资料,IRF6N60经销商,ic,电子元器件-51电子网

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P

OWER

MOSFET

概述

这种高电压MOSFET采用先进的终止

方案以提供增强的电压阻断能力

在不降低性能随着时间的推移。另外，该

先进的MOSFET被设计成能承受高能量的

雪崩和减刑模式。新能源

高效的设计还提供了一个漏极至源极二极管用

快速恢复时间。专为高电压，高转速

电源供应器，转换器，开关和应用

PWM电机控制，这些设备是特别好

适用于桥式电路中的二极管速度和

换向安全工作区域是至关重要的，并提供

针对突发的额外电压和安全边际

瞬变。

IRF6N60

特点

强大的高压端子

较高的雪崩能量

源极到漏极二极管恢复时间等同于

离散快速恢复二极管

二极管电桥电路的特点是使用

I

DSS

指定高温

引脚配置

TO-220/TO-220FP

符号

D

前视图

摹吃

SO URCE

漏

G

S

1

2

3

N沟道MOSFET

第1页

P

OWER

MOSFET

绝对最大额定值

等级

漏电流

连续

脉冲

栅极 - 源极电压

总功耗

TO-220

TO-220FP

工作和存储温度范围

单脉冲漏极至源雪崩能源

热阻

结到外壳

结到环境

最大的铅焊接温度的目的， 1/8“案件从10秒

（ 1 ） VDD = 50V ， ID = 6A

（2 ）脉冲宽度和频率由T限定

J（下最大）

和热响应

T

J

= 25

E

AS

JC

JA

IRF6N60

符号

I

D

I

DM

V

GS

V

GSM

P

D

价值

6.0

18

±20

±40

125

45

单位

A

V

V

W

CONTINUE

不重复

T

J

, T

英镑

-55到150

mJ

180

1.0

62.5

260

/W

(V

DD

= 100V, V

GS

= 10V ，我

L

= 6A ，L = 10MH ，R

G

= 25 )

T

L

订购信息

产品型号

....................IRF6N60FP

包

TO-220

FULL PAK

IRF6N60...............................................TO-220

测试电路

测试电路 - 雪崩能力

第2页

P

OWER

MOSFET

电气特性

除非另有规定，T

J

= 25

.

IRF6N60

特征

漏源击穿电压

(V

GS

= 0 V，I

D

= 250 A)

漏极 - 源极漏电流

(V

DS

= 600 V, V

GS

= 0 V)

(V

DS

= 480 V, V

GS

= 0 V ，T

J

= 125 )

门源漏电流，正向

(V

GSF

= 20 V, V

DS

= 0 V)

门源漏电流，反向

(V

GSR

= 20 V, V

DS

= 0 V)

栅极阈值电压

(V

DS

= V

GS

, I

D

= 250 A)

静态漏源导通电阻（V

GS

= 10 V，I

D

= 3.5A) *

正向跨导（V

DS

= 15 V，I

D

= 3.0A) *

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

(V

DS

= 25 V, V

GS

= 0 V,

F = 1.0兆赫）

(V

DD

= 300 V，I

D

= 6.0 A,

V

GS

= 10 V,

R

G

= 9.1 ) *

(V

DS

= 300 V，I

D

= 6.0 A,

V

GS

= 10 V)*

符号

V

（ BR ） DSS

I

DSS

100

50

I

GSSF

I

GSSR

V

GS （ TH）

R

DS （ ON）

g

FS

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

g

Q

gs

Q

gd

L

D

L

S

3.4

1498

158

29

14

19

40

26

35.5

8.1

14.1

4.5

7.5

2100

220

60

30

40

80

55

50

2.0

100

100

4.0

1.2

姆欧

pF

pF

pF

ns

ns

ns

ns

nC

nC

nC

nH

nH

nA

nA

V

民

600

典型值

最大

单位

V

A

IRF6N60

内部排水电感

（从漏测铅0.25“从包到模具的中心）

内部排水电感

（测量从源铅0.25 “从包装到源焊盘）

源极 - 漏极二极管的特性

正向导通电压（ 1）

向前开启时间

反向恢复时间

(I

S

= 6.0 A,

d

IS

/d

t

= 100A / μs）内

V

SD

t

on

t

rr

0.83

**

266

1.2

V

ns

ns

*脉冲测试：脉冲宽度300μS ，占空比

**忽略不计，占主导地位的电路中电感

2%

第3页

P

OWER

MOSFET

典型电气特性

IRF6N60

第4页

IRF6N60

功率MOSFET

包装尺寸为

TO-220

D

A

φ

F

E

c1

引脚1 ：门

引脚2 ：排水

引脚3 ：源

E1

A

A1

b

b1

c

c1

D

E

E1

e

e1

F

L

L1

L1

L

e

b1

e1

前视图

b

A1

c

SIDE VIEW

φ

TO-220FP

C

J

D

Q

H

R1

.5

0

R1

.5

0

B

0.1

8

.1

R3

0

I

A

B

A

C

D

E

E

P

K

O

G

H

I

J

K

M

N

O

P

Q

0

.6

R1

G

b

R

b

b1

b2

e

b1

e

前视图

b2

R

N

M

SIDE VIEW

后视图

第5页

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