【先进的功率MOSFET特点IRFM120ABVDSS= 100 VRDS （ ON）= 0.2!ID】,IC型号IRFM120A,IRFM120A PDF资料,IRFM120A经销商,ic,电子元器件-51电子网

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先进的功率MOSFET

特点

IRFM120A

BV

DSS

= 100 V

R

DS （ ON）

= 0.2

!

I

D

= 2.3 A

SOT-223

2

符合IEEE802.3af兼容

!

雪崩坚固的技术

!

坚固的门栅氧化层技术

!

较低的输入电容

!

改进的栅极电荷

!

扩展安全工作区

!

低漏电流： 10

#A

（最大值） @ V

DS

= 100V

!

低

DS （ ON）

: 0.155

!

（典型值）。

1

3

1.门2.排水3.源

绝对最大额定值

符号

V

DSS

I

D

I

DM

V

GS

E

AS

I

AR

E

AR

dv / dt的

P

D

T

J

, T

英镑

T

L

特征

漏极至源极电压

连续漏电流（T

A

=25%)

连续漏电流（T

A

=70%)

漏电流脉冲

栅极 - 源极电压

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

重复性雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt

总功率耗散（T

A

=25%) *

线性降额因子*

工作结

存储温度范围

最大的铅温度。焊锡

目的， 1/8“案件从5秒

'

＆放大器;

＆放大器;

(

＆放大器;

价值

100

2.3

1.84

18

"20

123

2.3

0.24

6.5

2.4

0.019

- 55 + 150

单位

V

A

A

V

mJ

A

mJ

V / ns的

W

W/%

%

300

热阻

符号

R

$ JA

特征

结到环境*

典型值。

--

马克斯。

52

单位

%/W

*

当安装在推荐的最小焊盘尺寸（ PCB安装）。

版本C

IRFM120A

电气特性

(T

A

= 25％，除非另有规定）

符号

BV

DSS

.BV / .T

J

V

GS （ TH）

I

GSS

特征

漏源击穿电压

击穿电压温度。 COEFF 。

栅极阈值电压

门源泄漏，正向

门源漏，反

漏极至源极漏电流

分钟。典型值。马克斯。单位

100

--

2.0

--

--

--

I

DSS

--

--

静态漏源

R

DS （ ON）

g

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

g

Q

gs

Q

gd

导通状态电阻

正向跨导

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅 - 漏极（ “米勒” ）费

--

--

--

--

--

--

--

--

--

--

--

--

--

0.12

--

--

--

--

--

--

--

3.12

370

95

38

14

14

36

28

16

2.7

7.8

--

--

4.0

100

-100

1

10

100

0.2

--

480

110

45

40

40

90

70

22

--

--

nC

ns

pF

)

S

#A

V

V/%

V

nA

N沟道

功率MOSFET

测试条件

V

GS

=0V,I

D

=250#A

I

D

=250#A

V

GS

=20V

V

GS

=-20V

V

DS

=30V

V

DS

=100V

V

DS

=80V,T

A

=125%

V

GS

=10V,I

D

=1.15A

V

DS

=40V,I

D

=1.15A

+

+

-

参见图7

V

DS

=5V,I

D

=250#A

V

GS

=0V,V

DS

= 25V ， F = 1MHz的

参见图5

V

DD

=50V,I

D

=9.2A,

R

G

=18)

见图13

V

DS

=80V,V

GS

=10V,

I

D

=9.2A

参见图6 &图12

+ ,

+,

源极 - 漏极二极管额定值和特性

符号

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

特征

连续源电流

脉冲源电流

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

＆放大器;

+

分钟。典型值。马克斯。单位

--

--

--

--

--

--

--

--

98

0.34

2.3

18

1.5

--

--

A

V

ns

#C

测试条件

积分反向PN二极管

在MOSFET

T

J

=25%,I

S

=2.3A,V

GS

=0V

T

J

=25%,I

F

=9.2A

di

F

/dt=100A/#s

+

注意事项;

＆放大器;

重复评价：脉冲宽度由最大结温的限制

'

L = 35mH ，我

AS

= 2.3A ，V

DD

= 25V ，R

G

=27

)

，起始物为

J

=25%

(

I

SD

*9.2A,

的di / dt * 300A / ＃ S，V

DD

* BV

DSS

，起始物为

J

=25%

+

脉冲测试：脉冲宽度= 250 ＃ S，占空比

*

2%

,

基本上是独立工作温度

-

调整后的思科

N沟道

功率MOSFET

看图1，输出特性

V

GS

上图：

15V

10 V

8.0 V

7.0 V

6.0 V

5.5V

5.0 V

下图： 4.5V

IRFM120A

如图2传输特性

I

D

，漏电流[ A]

I

D

，漏电流[ A]

1

1

0

1

1

0

1 0

o

C

5

1

0

0

2

o

C

5

@Nts ：

oe

1 V =0V

.

GS

2 V =4 V

.

DS

0

3 20

＆ QUOT ;

PleTs

。 5秒美国东部

6

8

1

0

1

0

0

@Nts ：

oe

1 20

＆ QUOT ;

PleTs

。 5秒美国东部

2 T = 2

o

C

.

A

5

1

-1

0

1

0

0

1

1

0

- 5

o

C

5

1

-1

0

2

4

V

DS

，漏源电压[V]

V

GS

，栅源电压[V]

图3.导通电阻与漏电流

04

.

图4.源极 - 漏极二极管正向电压

I

DR

，反向漏电流[ A]

R

DS （ ON）

, [

#

]

漏源导通电阻

03

.

V =1 V

0

GS

1

1

0

02

.

1

0

0

01

.

V =2 V

0

GS

1 0

o

C

5

2

o

C

5

1

-1

0

04

.

06

.

08

.

10

.

12

.

14

.

@ N T： T = 2

o

C

oe

J

5

00

.

0

1

0

2

0

3

0

4

0

@Nts ：

oe

1 V =0V

.

GS

2 20

＆ QUOT ;

PleTs

。 5秒美国东部

16

.

18

.

20

.

22

.

I

D

，漏电流[ A]

V

SD

，源极 - 漏极电压[ V]

图5.电容与漏源电压

60

0

C

国际空间站

C = C + C（ C = SOTD ）

ISS GS GD

ds

H·R ê

C =C +C

OSS DS GD

C =C

RSS GD

图6.栅极电荷与栅源电压

V =2 V

0

DS

1

0

V

GS

，栅源电压[V]

V =5 V

0

DS

V =8 V

0

DS

电容[ pF的]

40

0

C

OSS

20

0

C

RSS

@Nts ：

oe

1 V =0V

.

GS

2 F = 1MZ

.

H

5

@Nts ： I = 92A

oe

.

D

0

0

5

1

0

1

5

2

0

0

0

1

0

1

1

0

V

DS

，漏源电压[V]

Q

G

，总栅极电荷[ NC ]

IRFM120A

图7.击穿电压与温度的关系

12

.

30

.

N沟道

功率MOSFET

图8.导通电阻与温度的关系

BV

DSS

（归一化）

漏源击穿电压

11

.

R

DS （ ON）

（归一化）

漏源导通电阻

25

.

20

.

10

.

15

.

10

.

@Nts ：

oe

1 V =1 V

.

GS

0

2 I = 46A

.

D

.

-0

5

-5

2

0

2

5

5

0

7

5

10

0

o

09

.

@Nts ：

oe

1 V =0V

.

GS

2 I =20

＆ QUOT ;

.

D

5 A

-0

5

-5

2

0

2

5

5

0

7

5

10

0

o

05

.

08

.

-5

7

15

2

10

5

15

7

00

.

-5

7

15

2

10

5

15

7

T

J

，结温[C]

T

J

，结温[C]

图9.最大。安全工作区

1

2

0

Oeaini钛阂

prto HS RA

我L M T d设定B R

DS （ ON）

s IIE

10

＆ QUOT ;

0 s

1m

s

1 m

0 s

10m

0 s

D

C

@Nts ：

oe

1 T = 2

o

C

.

A

5

2 T = 1 0

o

C

.

J

5

3 SNL PLE

。 IGE美国

1

-2 -1

0

1

0

1

0

0

1

1

0

1

2

0

1

＆ QUOT ;

0 s

图10.最大。漏极电流与环境温度

25

.

I

D

，漏电流[ A]

1

1

0

I

D

，漏电流[ A]

20

.

15

.

1

0

0

10

.

1

-1

0

05

.

00

.

2

5

5

0

7

5

10

0

15

2

10

5

V

DS

，漏源电压[V]

T

A

，环境温度[

o

C]

图11.热响应

热响应

10

2

D=0.5

10

1

0.2

0.1

0.05

10

0

0.02

0.01

@注意事项：

1. Z

!

A

(t)=52

o

C / W最大。

J

2.占空比，D = T

1

/t

2

3. T

J·M

-T

A

=P

D M

*Z

!

A

(t)

J

P

DM

t

1

t

2

Z

JA

(t) ,

!

单脉冲

10

-1

10

- 5

10

- 4

10

- 3

10

- 2

10

- 1

10

0

10

1

10

2

10

3

t

1

，方波脉冲持续时间

[秒]

N沟道

功率MOSFET

图12.栅极电荷测试电路波形&

IRFM120A

*电流调节器“

50K!

12V

200nF

300nF

同一类型

作为DUT

V

GS

Q

g

10V

V

DS

V

GS

DUT

3mA

Q

gs

Q

gd

R

1

电流取样（我

G

)

电阻器

R

2

电流取样（我

D

)

电阻器

收费

图13.电阻开关测试电路波形&

R

L

V

OUT

V

in

R

G

DUT

V

in

10V

t

D（上）

t

on

t

r

t

D（关闭）

t

关闭

t

f

10%

V

OUT

V

DD

（ 0.5额定V

DS

)

90%

图14.非钳位感应开关测试电路波形&

L

L

V

DS

异吨

p

获得

所需的峰值I

D

BV

DSS

1

E

AS

= ---- L

L

I

AS2

--------------------

2

BV

DSS

-- V

DD

BV

DSS

I

AS

C

V

DD

V

DD

t

p

I

D

R

G

DUT

10V

t

p

I

D

(t)

V

DS

(t)

时间

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IRFM120A

-

-

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-

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柒号芯城电子商务（深圳）有限公司

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IRFM120A

ABRACON

2023+

6845

SOT-223

专注进口原装，公司现货出售

锦迅科技(香港)有限公司

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IRFM120A

IR

21+

11

SOT223

只做原装正品,提供一站式BOM配单服务

深圳市银芯龙科技有限公司

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IRFM120A

FAIRCILD

20+

3000

SOT-223

原装正品可以提供样品

深圳市晶美隆科技有限公司销售一部

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24+

15372

SOT-22

全新原装正品现货热卖

深圳市鑫远鹏科技有限公司

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联系人：谌小姐

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18+

16000

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深圳市创芯联盈电子有限公司

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FAIRCHILD/仙童

2443+

23000

SOT223

一级代理专营，原装现货，价格优势

深圳市诺洋电子科技有限公司

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联系人：朱

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IRFM120A

FAIRCHILD/仙童

24+

12300

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全新原装现货，原厂代理。

深圳市华斯顿电子科技有限公司

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VB

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35500

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深圳市科恒伟业电子有限公司

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1922+

9825

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