数据表号PD60162版本V
IR2106(4)
(S)
特点
高端和低端驱动器
套餐
设计为引导操作浮动通道
充分运作，以+ 600V
耐负瞬态电压
的dV / dt免疫
栅极驱动电压范围为10 20V （ IR2106 （ 4 ） ）
欠压锁定两个通道
3.3V ， 5V和15V输入逻辑兼容
匹配的传播延迟为两个通道
逻辑和电源地+/- 5V的偏移。
较低的di /更好的抗噪声能力dt的栅极驱动器
输出同相输入端（ IR2106 ）
8引脚SOIC
8引脚PDIP
14引脚SOIC
14引脚PDIP
描述
的IR2106 （4）（ S）的高电压，
交
高速功率MOSFET和
输入
传导
死区时间
接地引脚
吨/吨OFF
部分
IGBT驱动器具有独立的高
预防
逻辑
逻辑
和低侧参考输出信
2106/2301
COM
HIN / LIN
no
无
220/200
内尔斯。专有的HVIC和锁存器
21064
VSS / COM
免疫CMOS技术使
2108
内部540ns
COM
HIN / LIN
是的
220/200
可编程0.54 5
s
21084
VSS / COM
坚固耐用的单片式结构。
2109/2302
内部540ns
COM
逻辑输入兼容
IN / SD
是的
750/200
可编程0.54 5
s
21094
VSS / COM
标准CMOS或LSTTL输出，
是的
160/140
内部为100ns
HIN / LIN
COM
2304
下降到3.3V逻辑。输出driv-
器具有高脉冲电流缓冲级，最小驱动器跨导。浮动
通道可用于驱动高侧配置中的N通道功率MOSFET或IGBT哪些
工作频率高达600伏。
2106/2301//2108//2109/2302/2304
功能比较
典型连接
V
CC
高达600V
V
CC
HIN
LIN
V
B
HO
V
S
LO
TO
负载
HIN
LIN
COM
IR2106
HO
V
CC
HIN
高达600V
V
CC
HIN
LIN
V
B
V
S
TO
负载
（请参阅铅分配其是否
RECT引脚配置） 。这个/这些
图（ s）显示电气连接
系统蒸发散而已。请参考我们的应用程序
阳离子笔记和DesignTips的
正确的电路板布局。
LIN
IR21064
COM
LO
V
SS
V
SS
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1
IR2106(4)
(S)
绝对最大额定值
绝对最大额定值表明持续的界限，可能会损坏设备。所有的电压参
ETERS都是参考COM绝对的电压。热敏电阻和功率耗散的评分被测量
在船上安装和静止空气条件。
符号
V
B
V
S
V
HO
V
CC
V
LO
V
IN
V
SS
dV
S
/ DT
P
D
德网络nition
高侧浮动绝对电压
高侧浮动电源偏置电压
高侧浮动输出电压
低侧和逻辑固定电源电压
低侧输出电压
逻辑输入电压
逻辑接地（ IR21064只）
允许的偏移电压瞬变
包装功耗@ T
A
≤
+25°C
（ 8引脚PDIP ）
（ 8引脚SOIC ）
（ 14引脚PDIP ）
（ 14引脚SOIC ）
分钟。
-0.3
V
B
- 25
V
S
- 0.3
-0.3
-0.3
V
SS
- 0.3
V
CC
- 25
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
-50
—
马克斯。
625
V
B
+ 0.3
V
B
+ 0.3
25
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
50
1.0
0.625
1.6
1.0
125
200
75
120
150
150
300
单位
V
V / ns的
W
RTH
JA
热阻，结到环境
（ 8引脚PDIP ）
（ 8引脚SOIC ）
（ 14引脚PDIP ）
（ 14引脚SOIC ）
° C / W
T
J
T
S
T
L
结温
储存温度
引线温度（焊接， 10秒）
°C
2
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IR2106(4)
(S)
推荐工作条件
的输入/输出逻辑的时序图示于图1中对于正确的操作设备应当在所述使用
推荐的条件。在V
S
和V
SS
胶印的评价与偏置在15V的差分所有电源进行测试。
符号
VB
V
S
V
HO
V
CC
V
LO
V
IN
V
SS
T
A
德网络nition
高侧浮动电源电压绝对IR2106 （ 4 ）
高侧浮动电源偏置电压
高侧浮动输出电压
低侧和逻辑固定电源电压IR2106 （ 4 ）
低侧输出电压
逻辑输入电压
逻辑接地（ IR21064只）
环境温度
分钟。
V
S
+ 10
注1
V
S
10
0
V
SS
-5
-40
马克斯。
V
S
+ 20
600
V
B
20
V
CC
V
CC
5
125
单位
V
°C
注1 ：逻辑操作的V
S
在-5至+ 600V 。举办了V逻辑状态
S
-5V至-V
BS
。 （请参考设计提示
DT97-3有详细介绍） 。
动态电气特性
V
BIAS
(V
CC
, V
BS
) = 15V, V
SS
= COM ，C
L
= 1000pF的，T
A
= 25°C.
符号
吨
花花公子
MT
tr
tf
德网络nition
导通传播延迟
关断传播延迟
延时匹配，HS & LS的开启/关闭
开启上升时间
关断下降时间
分钟。
—
—
—
—
—
典型值。
220
200
0
150
50
马克斯。单位测试条件
300
280
30
220
80
纳秒
V
S
= 0V
V
S
= 0V
V
S
= 0V
V
S
= 0V或600V
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3
数据表号PD60201 Rev.D
IR2301 （S） & （的PbF ）
高端和低端驱动器
特点
设计为引导操作浮动通道
充分运作，以+ 600V
耐负瞬态电压的dV / dt免疫
栅极驱动电压范围为5 20V
欠压锁定两个通道
3.3V ， 5V和15V输入逻辑兼容
匹配的传播延迟为两个通道
逻辑和电源地+/- 5V的偏移。
较低的di /更好的抗噪声能力dt的栅极驱动器
同相输入输出
也可用无铅（的PbF ）
套餐
8引脚PDIP
IR2301
8引脚SOIC
IR2301S
描述
二千三百零一分之二千一百零六// 2108 // 2109 /二千三百〇四分之二千三百〇二功能比较
的IR2301 （ S）的高电压，高速
交
输入
传导
功率MOSFET和IGBT驱动器与indepen-
死区时间
接地引脚
部分
预防
逻辑
凹痕高，低侧参考输出
逻辑
2106/2301
通道。专有的HVIC和锁存免疫
COM
HIN / LIN
no
无
21064
VSS / COM
CMOS技术使坚固耐用的单
2108
内部540ns
COM
HIN / LIN
是的
岩屑建设。逻辑输入兼容
可编程0.54 5
s
21084
VSS / COM
与标准CMOS或LSTTL输出，下降到
2109/2302
内部540ns
COM
IN / SD
是的
3.3V逻辑。输出驱动器具有高
可编程0.54 5
s
21094
VSS / COM
脉冲电流缓冲级，最低
是的
内部为100ns
HIN / LIN
COM
2304
驱动器跨导。浮置沟道
可用于驱动N沟道功率MOSFET或IGBT ，其中可在高达高侧配置
600伏。
典型连接
高达600V
（请参阅铅
分配
正确的针连接
成形） 。这种/
牛逼电子旗下ê
图（多个）
显示电
连接
只。请重新
FER我们的应用程序
阳离子笔记
和DesignTips
电路正常
电路板布局。
V
CC
V
CC
HIN
LIN
V
B
HO
V
S
LO
TO
负载
HIN
LIN
COM
IR2301
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1
IR2301 （S） & （的PbF ）
绝对最大额定值
绝对最大额定值表明持续的界限，可能会损坏设备。所有的电压参
ETERS都是参考COM绝对的电压。热敏电阻和功率耗散的评分被测量
在船上安装和静止空气条件。
符号
V
B
V
S
V
HO
V
CC
V
LO
V
IN
dV
S
/ DT
P
D
RTH
JA
T
J
T
S
T
L
德网络nition
高侧浮动绝对电压
高侧浮动电源偏置电压
高侧浮动输出电压
低侧和逻辑固定电源电压
低侧输出电压
逻辑输入电压
允许的偏移电压瞬变
包装功耗@ T
A
≤
+25°C
热阻，结到环境
结温
储存温度
引线温度（焊接， 10秒）
（ 8引脚PDIP ）
（ 8引脚SOIC ）
（ 8引脚PDIP ）
（ 8引脚SOIC ）
分钟。
-0.3
V
B
- 25
V
S
- 0.3
-0.3
-0.3
COM - 0.3
—
—
—
—
—
—
-50
—
马克斯。
625
V
B
+ 0.3
V
B
+ 0.3
25
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
50
1.0
0.625
125
200
150
150
300
单位
V
V / ns的
W
° C / W
°C
推荐工作条件
的输入/输出逻辑的时序图示于图1中对于正确的操作设备应当在所述使用
推荐的条件。在V
S
胶印的评价测试的所有物资偏置在15V的差分。
符号
VB
V
S
V
HO
V
CC
V
LO
V
IN
T
A
德网络nition
高侧浮动电源电压的绝对值
高侧浮动电源偏置电压
高侧浮动输出电压
低侧和逻辑固定电源电压
低侧输出电压
逻辑输入电压
环境温度
分钟。
V
S
+ 5
注1
V
S
5
0
COM
-40
马克斯。
V
S
+ 20
600
V
B
20
V
CC
V
CC
150
单位
V
°
C
注1 ：逻辑操作的V
S
在-5至+ 600V 。举办了V逻辑状态
S
-5V至-V
BS
。 （请参考设计提示
DT97-3有详细介绍） 。
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