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PD-91816B

开关电源MOSFET

IRFIB5N65A

HEXFET

功率MOSFET

应用

开关模式电源（SMPS ）

不间断电源

高速电源开关

高电压隔离= 2.5KVRMS ？

好处

低栅极电荷Qg结果简单

驱动要求

改进的门，雪崩和动态

的dv / dt坚固

充分界定电容和

雪崩电压和电流

DSS

650V

DS （ ON）

最大

0.93

5.1A

TO- 220全白

GDS

绝对最大额定值

参数

@ T

= 25°C

@ T

= 100°C

= 25°C

dv / dt的

英镑

连续漏电流， V

@ 10V

连续漏电流， V

@ 10V

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

峰值二极管恢复的dv / dt

工作结

存储温度范围

焊接温度，持续10秒

安装torqe ， 6-32或M3螺丝

马克斯。

5.1

3.2

0.48

± 30

2.8

-55到+ 150

300 （ 1.6毫米从案例）

10磅在（ 1.1N m）的

单位

W / ℃，

V / ns的

°C

典型SMPS拓扑

单管反激

单管正激

笔记

通过

......是

第8页

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6/21/00

IRFIB5N65A

静态@ T

= 25 ℃（除非另有规定）

（ BR ） DSS

DS （ ON）

GS （ TH）

DSS

GSS

参数

漏极至源极击穿电压

击穿电压温度。系数

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

分钟。典型值。马克斯。单位

条件

650 ––– –––

= 0V时，我

= 250A

--- 0.67 --- V / ° C参考到25° C，I

= 1毫安？

––– ––– 0.93

= 10V ，我

= 3.1.A

2.0

––– 4.0

= V

, I

= 250A

––– ––– 25

= 650V, V

= 0V

––– ––– 250

= 520V, V

= 0V ，T

= 125°C

––– ––– 100

= 30V

––– ––– -100

= -30V

动态@ T

= 25 ℃（除非另有规定）

D（上）

D（关闭）

国际空间站

OSS

RSS

OSS

EFF 。

参数

正向跨导

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

输出电容

有效输出电容

分钟。

3.9

–––

典型值。

–––

1417

177

7.0

1912

MAX 。单位

条件

–––

= 50V ，我

= 3.1A

= 5.2A

NC V

= 400V

= 10V ，参照图6和13

–––

= 325V

–––

= 5.2A

–––

= 9.1

–––

= 62Ω ，参照图10

–––

= 0V

–––

= 25V

–––

= 1.0MHz的，见图。五

–––

= 0V, V

= 1.0V ， = 1.0MHz的

–––

= 0V, V

= 520V ， = 1.0MHz的

–––

= 0V, V

= 0V至520V

雪崩特性

参数

单脉冲雪崩能量？

雪崩电流？

重复性雪崩能量？

典型值。

–––

马克斯。

325

5.2

单位

热阻

参数

θJC

θJA

结到外壳

结到环境

典型值。

–––

马克斯。

2.1

单位

° C / W

二极管的特性

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向RecoveryCharge

向前开启时间

分钟。典型值。马克斯。单位

条件

MOSFET符号

5.2

––– –––

展示

整体反转

––– –––

p-n结二极管。

––– ––– 1.5

= 25 ° C，I

= 5.2A ，V

= 0V

––– 493 739

= 25 ° C，I

= 5.2A

––– 2.1 3.2

μC的di / dt = 100A / μs的

固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主

)

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100

VGS

顶部

15V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

5.0V

BOTTOM 4.5V

100

，漏极 - 源极电流（A ）

VGS

15V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

5.0V

BOTTOM 4.5V

顶部

4.5V

0.1

4.5V

= 25

20μs的脉冲宽度

0.1

100

20μs的脉冲宽度

= 150

100

，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

100

3.0

= 5.2A

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

（归一化）

，漏极 - 源极电流（A ）

2.5

2.0

= 150

1.5

= 25

1.0

0.5

0.1

4.0

V DS = 100V

20μs的脉冲宽度

5.0

6.0

7.0

8.0

9.0

0.0

-60 -40 -20

= 10V

80 100 120 140 160

，栅 - 源极电压（ V）

，结温（

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

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2000

，栅 - 源极电压（ V）

1600

为s

RSS

OSS

0V,

F = 100万赫兹

的s

+ C

克

, C

中文 T E

+ C

= 5.2A

400V

520V

= 325V

= 130V

C，C在PA itan权证（P F）

为s

1200

OSS

800

400

RS s

100

1000

测试电路

见图13

，D雨来-S环境允许的V oltage （ V）

，总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

100

在这一领域有限

由R

DS （ ON）

，反向漏电流（ A）

10us

，漏电流（ A）

100us

= 150

1ms

10ms

= 25

= 0 V

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

0.1

0.2

0.1

= 25 ° C

= 150 ° C

单脉冲

100

1000

10000

，源极到漏极电压（V ）

，漏极至源极电压（ V）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

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6.0

5.0

D.U.T.

，漏电流（ A）

4.0

10V

3.0

脉冲宽度

≤ 1

占空比

≤ 0.1 %

2.0

图10A 。

开关时间测试电路

90%

1.0

0.0

100

125

150

，外壳温度

( °C)

10%

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

D（上）

D（关闭）

图10B 。

开关时间波形

热响应（Z

thJC

)

D = 0.50

0.20

0.10

0.05

0.1

0.02

0.01

单脉冲

（热反应）

注意事项：

1.负载因数D = T

/ t

2.峰值牛逼

= P

X Z

thJC

+ T

0.001

0.01

0.1

0.01

0.00001

0.0001

，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

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