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数据表号PD60269
IRS2003(S)PbF
半桥驱动器
特点
设计为引导操作浮动通道
充分运作，以+200 V
耐负瞬态电压的dV / dt
免疫的
栅极驱动电压范围为10 V至20 V
欠压锁定
3.3 V ， 5 V和15 V逻辑兼容
跨导预防逻辑
匹配的传播延迟为两个通道
内部设置死区时间
高侧输出同相输入HIN
低侧输出的相位与
LIN
输入
符合RoHS
产品概述
V
OFFSET
I
O
+/-
V
OUT
t
开/关
（典型值）。
死区时间（典型值）。
200 V最大。
130毫安/ 270毫安
10 V - 20 V
680纳秒/ 150纳秒
520纳秒
套餐
描述
该IRS2003是高电压，高转速动力
MOSFET和IGBT驱动器与依赖高，
低侧参考输出通道。专有的HVIC
8引脚SOIC
8引脚PDIP
和锁存免疫CMOS技术使rugge-
IRS2003S
IRS2003
dized单片式结构。逻辑输入是
与标准CMOS或LSTTL输出，兼容下跌
至3.3 V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，最低驱动跨
传导。浮置沟道，可用于驱动一个N沟道功率MOSFET或IGBT在高侧
配置该工作频率高达200 V.
典型连接
到200伏
V
CC
V
CC
HIN
LIN
V
B
HO
V
S
LO
TO
负载
HIN
LIN
COM
（请参阅铅作业的正确配置） 。此图仅显示电气连接。请参阅
我们的应用笔记和DesignTips正确的电路板布局。
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1
IRS2003(S)PbF
绝对最大额定值
绝对最大额定值表明持续的界限，可能会损坏设备。所有的电压参
ETERS都是参考COM绝对的电压。热敏电阻和功率耗散的评分被测量
在船上安装和静止空气条件。
符号
V
B
V
S
V
HO
V
CC
V
LO
V
IN
DVS / DT
P
D
RTH
JA
T
J
T
S
T
L
德网络nition
高侧浮动绝对电压
高侧浮动电源偏置电压
高侧浮动输出电压
低侧和逻辑固定电源电压
低边输出电压
逻辑输入电压（ HIN &
LIN
)
允许的偏移电压瞬变
包装功耗@ T
A
≤
+25
°C
热阻，结到环境
结温
储存温度
引线温度（焊接， 10秒）
（ 8引脚PDIP ）
（ 8引脚SOIC ）
（ 8引脚PDIP ）
（ 8引脚SOIC ）
分钟。
-0.3
V
B
- 25
V
S
- 0.3
-0.3
-0.3
-0.3
—
—
—
—
—
—
-55
—
马克斯。
225
V
B
+ 0.3
V
B
+ 0.3
25
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
50
1.0
0.625
125
200
150
150
300
单位
V
V / ns的
W
° C / W
°C
推荐工作条件
的输入/输出逻辑的时序图中示出图1.对于正确的操作设备应在该使用
推荐的条件。在V
S
胶印的评价测试所有供应偏置15 V差分。
符号
V
B
V
S
V
HO
V
CC
V
LO
V
IN
T
A
德网络nition
高侧浮动电源电压的绝对值
高侧浮动电源偏置电压
高侧浮动输出电压
低侧和逻辑固定电源电压
低边输出电压
逻辑输入电压（ HIN &
LIN
)
环境温度
分钟。
V
S
+ 10
注1
V
S
10
0
0
-40
马克斯。
V
S
+ 20
200
V
B
20
V
CC
V
CC
125
单位
V
°C
注1 ：逻辑操作的V
S
-5 V至+200 V.逻辑状态保持V
S
-5 V至-V
BS
。 （请参考设计提示
DT97-3有详细介绍） 。
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2
IRS2003(S)PbF
动态电气特性
V
BIAS
(V
CC
, V
BS
）= 15 V ，C
L
= 1000 pF的和T
A
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
吨
花花公子
tr
tf
DT
MT
德网络nition
导通传播延迟
关断传播延迟
开启上升时间
关断下降时间
死区时间， LS关断到HS开启&
HS开启到LS关断
延时匹配，HS & LS的开启/关闭
分钟。典型值。马克斯。单位测试条件
—
—
—
—
400
—
680
150
70
35
520
—
820
220
170
90
650
60
ns
V
S
= 0 V
V
S
= 200 V
静态电气特性
V
BIAS
(V
CC
, V
BS
）= 15 V和T
A
= 25
°C
除非另有规定。在V
IN
, V
TH ，
我
IN
参数是参照
COM 。在V
O
我
O
参数参考COM和适用于各个输出引线： HO或LO 。
符号
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
LK
I
QBS
I
QCC
I
IN +
I
IN-
V
CCUV +
V
CCUV-
I
O+
I
O-
德网络nition
逻辑“1” （ HIN ） &逻辑“0” （
LIN
）输入电压
逻辑“0” （ HIN ） &逻辑“1” （
LIN
）输入电压
高电平输出电压V
BIAS
- V
O
低电平输出电压，V
O
偏置电源漏电流
静态V
BS
电源电流
静态V
CC
电源电流
逻辑“1”的输入偏置电流
逻辑“0”输入偏置电流
V
CC
电源欠压积极正在进行
门槛
V
CC
电源欠压负向
门槛
高输出短路电流脉冲
低输出短路脉冲电流
分钟。典型值。马克斯。单位测试条件
2.5
—
—
—
—
—
—
—
—
8
7.4
130
270
—
—
0.05
0.02
—
30
150
3
—
8.9
8.2
290
600
—
0.8
0.2
0.1
50
55
270
10
5
9.8
V
9
—
mA
—
V
O
= 0 V, V
IN
= V
IH
PW
≤
10
s
V
O
= 15 V, V
IN
= V
IL
PW
≤
10
s
A
V
IN
= 0 V或5 V
HIN = 5 V ，
LIN
= 0 V
HIN
= 0 V,
LIN
= 5 V
V
I
O
= 2毫安
V
B
= V
S
= 200 V
V
CC
= 10到20V
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3
IRS2003(S)PbF
功能框图
VB
HV
水平
移
脉冲
滤波器
Q
R
S
VS
HO
IHN
脉冲
根
死区时间&
SHOOT - THROUGH
预防
VCC
UV
检测
VCC
LIN
LO
COM
铅定义
符号说明
HIN
LIN
V
B
HO
V
S
V
CC
LO
COM
高侧栅极驱动器输出逻辑输入（ HO） ，相
低侧栅极驱动器输出（ LO ）的逻辑输入，错相
高侧浮动电源
高侧栅极驱动输出
高侧浮动电源返回
低侧和逻辑固定电源
低侧栅极驱动输出
低端回报
铅作业
1
2
3
4
VCC
HIN
LIN
COM
VB
HO
VS
LO
8
7
6
5
1
2
3
4
VCC
HIN
LIN
COM
VB
HO
VS
LO
8
7
6
5
8引脚PDIP
8引脚SOIC
IRS2003PbF
www.irf.com
IRS2003SPbF
4
IRS2003(S)PbF
HIN
LIN
50%
50%
LIN
吨
tr
90%
花花公子
90%
tf
HO
LO
LO
10%
10%
图1.输入/输出时序图
50%
50%
HIN
吨
tr
90%
花花公子
90%
tf
HO
HIN
LIN
50%
50%
10%
10%
图2.开关时间波形定义
90%
HO
DT
10%
DT
LO
90%
10%
图3.死区时间波形定义
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5
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ICL3232ECB-T
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IDT71V546S100PFI
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