【PD - 97547AIRFHM830PbFHEXFET功率MOSFETVDSRDS （ ON） M】,IC型号IRFHM830TR2PBF,IRFHM830TR2PBF PDF资料,IRFHM830TR2PBF经销商,ic,电子元器件-51电子网

PD - 97547A

IRFHM830PbF

HEXFET

功率MOSFET

V

DS

R

DS （ ON） MAX

(@V

GS

= 10V)

30

3.8

15

2.5

40

h

V

m

nC

A

D 5

D 6

D 7

D 8

4 G

3 S

2 S

1 S

Q

G（典型值）

R

G（典型值）

I

D

(@T

C（下）

= 25°C)

3.3毫米X 3.3毫米PQFN

应用

电池供电的直流电动机逆变器MOSFET

特点和优点

特点

低R

DSON

(<3.8m)

低热阻的PCB （ <3.4 ° C / W）

100 ％通过Rg测试

薄型（ <1.0毫米）

结果

工业标准引脚

兼容现有的表面贴装技术

不含铅，无溴，无卤素RoHS标准

MSL1 ，工业资质

好处

更低的传导损耗

能更好的散热

提高可靠性

增加功率密度

多厂商兼容性

容易制造

环境友好

提高可靠性

订购型号

IRFHM830TRPBF

IRFHM830TR2PBF

套餐类型

PQFN 3.3毫米X 3.3毫米

标准包装

形式

QUANTITY

磁带和卷轴

4000

磁带和卷轴

400

记

绝对最大额定值

V

DS

V

GS

I

D

@ T

A

= 25°C

I

D

@ T

A

= 70°C

I

D

@ T

C（下）

= 25°C

I

D

@ T

C（下）

= 100°C

I

DM

P

D

@T

A

= 25°C

P

D

@ T

C（下）

= 25°C

T

J

T

英镑

参数

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流， V

GS

@ 10V

漏电流脉冲

功耗

马克斯。

30

±20

21

17

40

160

2.7

37

单位

V

g

c

h

A

W

W / ℃，

°C

线性降额因子

工作结

存储温度范围

g

0.022

-55到+ 150

笔记

通过

是第8页

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1

09/09/2010

IRFHM830PbF

静态@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

BV

DSS

ΒV

DSS

/T

J

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

V

GS （ TH）

I

DSS

I

GSS

政府飞行服务队

Q

g

Q

g

Q

gs1

Q

gs2

Q

gd

Q

godr

Q

sw

Q

OSS

R

G

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

参数

漏极至源极击穿电压

击穿电压温度。系数

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

栅极阈值电压系数

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

正向跨导

总栅极电荷

预Vth的栅极 - 源极充电

后Vth的栅极至源电荷

栅极 - 漏极电荷

栅极电荷过载

切换电荷（Q

gs2

+ Q

gd

)

输出充电

栅极电阻

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

参数

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

分钟。

30

–––

1.35

–––

52

–––

典型值。

–––

0.02

3.0

4.8

1.8

-6.3

–––

31

15

3.8

2.0

5.0

4.2

7.0

9.7

2.5

12

25

13

9.2

2155

350

160

条件

MAX 。单位

–––

V V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

--- V / ° C参考到25° C，I

D

= 1毫安

3.8

V

GS

= 10V ，我

D

= 20A

m

V

GS

= 4.5V ，我

D

= 20A

6.0

2.35

V

DS

= V

GS

, I

D

= 50A

---毫伏/°C的

1.0

V

DS

= 24V, V

GS

= 0V

A

V

DS

= 24V, V

GS

= 0V ，T

J

= 125°C

150

V

GS

= 20V

100

nA

-100

V

GS

= -20V

–––

s V

DS

= 15V ，我

D

= 20A

–––

NC V

GS

= 10V, V

DS

= 15V ，我

D

= 20A

23

V

DS

= 15V

–––

V

GS

= 4.5V

nC

I

D

= 20A

–––

参见图17 & 18

–––

NC V

DS

= 16V, V

GS

= 0V

e

–––

典型值。

–––

ns

V

DD

= 15V, V

GS

= 4.5V

I

D

= 20A

R

G

=1.8

见图15

V

GS

= 0V

V

DS

= 25V

= 1.0MHz的

马克斯。

82

20

条件

MOSFET符号

展示

整体反转

G

pF

雪崩特性

E

AS

I

AR

二极管的特性

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

t

on

d

分钟。

–––

典型值。

–––

单位

mJ

A

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

向前开启时间

MAX 。单位

40

A

160

h

D

–––

1.0

V

–––

17

26

ns

–––

23

35

nC

时间是由寄生电感为主

S

p-n结二极管。

T

J

= 25 ° C，I

S

= 20A ，V

GS

= 0V

T

J

= 25 ° C，I

F

= 20A ，V

DD

= 15V

的di / dt = 300A / μs的

e

热阻

R

θJC

（底部）

R

θJC

（ TOP）

R

θJA

R

θJA

(<10s)

结到外壳

结到环境

f

参数

g

典型值。

–––

马克斯。

3.4

37

46

31

单位

° C / W

2

www.irf.com

IRFHM830PbF

1000

顶部

VGS

10V

8.0V

4.5V

3.8V

3.5V

3.3V

3.0V

2.8V

1000

顶部

VGS

10V

8.0V

4.5V

3.8V

3.5V

3.3V

3.0V

2.8V

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

100

底部

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

100

底部

10

2.8V

10

2.8V

≤

在60μs脉冲宽度

TJ = 25°C

1

0.1

1

10

100

V DS ，漏极至源极电压（ V）

≤

在60μs脉冲宽度

TJ = 150℃

1

0.1

1

10

100

V DS ，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

1000

RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻

（归一化）

图2 。

典型的输出特性

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

ID = 20A

VGS = 10V

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

100

10

T J = 150℃

T J = 25°C

1

VDS = 15V

≤60s

脉冲宽度

0.1

1

2

3

4

5

-60 -40 -20 0

20 40 60 80 100 120 140 160

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

T J ，结温（ ° C）

图3 。

典型的传输特性

10000

VGS = 0V，

F = 1 MHz的

ISS = C GS + C GD ，C DS短路

RSS = C GD

OSS = C DS + C GD

图4 。

归一化的导通电阻与温度的关系

14.0

ID = 20A

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

12.0

10.0

8.0

6.0

4.0

2.0

0.0

C，电容（pF ）

西塞

VDS = 24V

VDS = 15V

VDS = 6.0V

1000

科斯

CRSS

100

1

10

VDS ，漏极至源极电压（ V）

100

0

10

20

30

40

QG ，总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容vs.Drain - to-Source电压

图6 。

典型栅极电荷vs.Gate - to-Source电压

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3

IRFHM830PbF

1000

在这一领域

限于由R DS （ ON）

100

1msec

10msec

10

TC = 25°C

TJ = 150℃

单脉冲

1

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

1.1

0

1

10

100

VSD ，源极到漏极电压（V ）

VDS ，漏极至源极电压（ V）

DC

100sec

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

ISD ，反向漏电流（ A）

100

T J = 150℃

T J = 25°C

10

VGS = 0V

1.0

图7 。

典型的源漏二极管正向电压

80

不限按包

图8 。

最大安全工作区

3.0

VGS （ th）时，栅极阈值电压（ V）

70

60

50

40

30

20

10

0

25

50

75

2.5

ID ，漏电流（ A）

2.0

1.5

1.0

ID = 50μA

ID = 250μA

ID = 1.0毫安

ID = 1.0A

0.5

100

125

150

-75 -50 -25

0

25

50

75 100 125 150

T C ，外壳温度（ ° C）

TJ ，温度（° C）

图9 。

最大漏极电流比。

案例（下）温度

10

热响应（Z thJC ）° C / W

图10 。

阈值电压与温度的关系

D = 0.50

1

0.20

0.10

0.05

0.1

0.02

0.01

单脉冲

（热反应）

1E-005

0.0001

0.001

0.01

注意事项：

1.占空比D = T1 / T2

2.峰值TJ = P DM X Zthjc +锝

0.1

1

0.001

1E-006

T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳（底部）

4

www.irf.com

IRFHM830PbF

RDS （ ON）时，漏 - 源极到导通电阻（M

)

12

400

EAS ，单脉冲雪崩能量（兆焦耳）

ID = 20A

10

300

ID

顶部

5.8A

11A

BOTTOM 20A

8

200

6

T J = 125°C

4

T J = 25°C

2

4

6

8

10

12

14

16

18

20

100

0

25

50

75

100

125

150

开始T J ，结温（ ° C）

VGS ，门-to - 源电压（V ）

图12 。

导通电阻比。栅极电压

图13 。

最大雪崩能量与漏电流

V

（ BR ） DSS

15V

tp

VDS

L

司机

RG

20V

D.U.T

IAS

tp

+

V

- DD

A

I

AS

0.01

图14A 。

非钳位感应测试电路

图14B 。

非钳位感应波形

V

DS

V

GS

R

G

V10V

GS

脉冲宽度

≤ 1

s

占空比

≤ 0.1

R

D

90%

D.U.T.

+

V

DS

-

V

DD

10%

V

GS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

图15A 。

开关时间测试电路

图15B 。

开关时间波形

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5