PD - 90550D
IRFF9130
JANTX2N6849
重复性雪崩和dv / dt评分
JANTXV2N6849
HEXFET晶体管
JANS2N6849
直通孔（ TO- 205AF ）
REF ： MIL -PRF-五百六十四分之一万九千五
100V ， P- CHANNEL
产品概述
型号BVDSS
DS （ ON）
IRFF9130
-100V
0.30
I
D
-6.5A
该HEXFET技术是关键，国际
IR的先进线路的功率MOSFET晶体管。
高效的几何形状和这个最新独特的加工
“最先进的”设计实现：极低的通态电阻
tance结合高跨导。
该HEXFET晶体管还具有所有的井
MOSFET的既定优势，如电压
年龄控制，非常快速的切换，方便parelleling的
和温度的电气参数的稳定性。
它们非常适合用于诸如开关
荷兰国际集团的电源，电机控制，逆变器，斩波器
个人，音频放大器和高能量脉冲电路。
TO-39
产品特点：
n
n
n
n
n
重复雪崩额定值
动态的dv / dt额定值
密封式
简单的驱动要求
易于并联的
绝对最大额定值
参数
ID @ VGS = -10V ， TC = 25°C
连续漏电流
ID @ VGS = -10V ， TC = 100 ℃的连续漏电流
IDM
PD @ TC = 25°C
VGS
EAS
我AR
EAR
dv / dt的
TJ
TSTG
漏电流脉冲
马克斯。功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度
重量
对于脚注参考最后一页
-6.5
-4.1
-25
25
0.20
±20
92
—
—
-5.5
-55到150
300 （ 0.063英寸（ 1.6毫米）从案例10秒）
0.98(typical)
W
W / ℃，
单位
A
V
mJ
A
mJ
V / ns的
o
C
g
www.irf.com
1
04/20/01
IRFF9130
电气特性
@ TJ = 25 ° C（除非另有说明）
参数
BVDSS
ΔBV
DSS / ΔTJ
RDS （ ON）
VGS （ TH）
政府飞行服务队
IDSS
漏极至源极击穿电压
分解温度系数
电压
静态漏 - 源极导通状态
阻力
栅极阈值电压
正向跨导
零栅极电压漏极电流
民
-100
—
—
—
-2.0
2.5
—
—
—
—
14.7
1.0
2.0
—
—
—
—
—
典型值最大值单位
—
-0.10
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
7.0
—
—
0.30
0.345
-4.0
—
-25
-250
-100
100
34.8
7.1
21
60
140
140
140
—
V
V /°C的
V
S( )
A
测试条件
VGS = 0V ，ID = -1.0mA
参考至25℃ ， n = -1.0mA
VGS = -10V ，ID = -4.1A
VGS = -10V ，ID = -6.5A
VDS = VGS ，ID = -250μA
VDS > -15V ， IDS = -4.1A
VDS = -80V ， VGS = 0V
VDS = -80V
VGS = 0V ， TJ = 125°C
VGS = -20V
VGS = 20V
VGS = -10V ，ID = -6.5A
VDS = -50V
VDD = -50V ， ID = -6.5A ，
VGS = -10V ， RG = 7.5Ω
IGSS
IGSS
Qg
QGS
QGD
td
（上）
tr
td
（关闭）
tf
LS + LD
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（米勒?? ??）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总电感
nA
nC
ns
nH
从测得的漏极引线（6毫米/ 0.25英寸从
包）源铅（6毫米/ 0.25英寸从
包）
西塞
科斯
CRSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
—
—
—
800
350
125
—
—
pF
VGS = 0V ， VDS = -25V
F = 1.0MHz的
源极 - 漏极二极管额定值和特性
参数
IS
ISM
VSD
吨RR
QRR
T ON
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
最小典型最大单位
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
-6.5
-25
-4.7
250
3.0
测试条件
A
V
nS
C
T
j
= 25°C ， IS = -6.5A ， VGS = 0V
TJ = 25°C ， IF = -6.5A ， di / dt的
≤
-100A/s
VDD
≤
-50V
固有的导通时间是可以忽略不计。接通速度基本上由LS + LD控制。
热阻
参数
RthJC
RthJA
结到外壳
结到环境
最小典型最大单位
—
—
—
—
5.0
175
° C / W
测试条件
典型的插座安装
注：对应的香料和军刀车型可在G&S网站。
对于脚注参考最后一页
2
www.irf.com
IRFF9130
数据表
1999年2月
网络文件编号
2216.3
-6.5A ， -100V ， 0.300欧姆， P沟道功率
MOSFET
这种P沟道增强型硅栅功率音响场
场效应晶体管是一种先进的功率MOSFET设计，
经过测试，并保证能承受一个特定的编辑水平
能在操作中的击穿雪崩模式。所有
这些功率MOSFET设计用于应用程序，例如
开关稳压器，开关转换器，电机驱动器，
继电器驱动器，以及用于高功率双极开关的驱动
晶体管需要高速，低栅极驱动电源。
这些类型可以直接从集成操作
电路。
以前发育类型TA17511 。
特点
-6.5A ， -100V
r
DS （ ON）
= 0.300
单脉冲能量额定雪崩
SOA是功耗有限公司
纳秒的开关速度
线性传输特性
高输入阻抗
符号
D
订购信息
产品型号
IRFF9130
包
TO-205AF
BRAND
IRFF9130
G
S
注：订购时，包括整个零件编号。
包装
JEDEC TO- 205AF
漏
（案例）
来源
门
4-101
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的ESD处理程序。
http://www.intersil.com或407-727-9207
|
版权
Intersil公司1999
IRFF9130
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
IRFF9130
-100
-100
-6.5
-26
±20
25
0.2
500
-55到150
300
单位
V
V
A
A
V
W
W/
o
C
mJ
o
C
o
C
漏源极电压（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DS
漏极至栅极电压（R
GS
= 20MΩ ）（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DGR
连续漏电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
漏电流脉冲（注3 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .I
DM
门源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GS
最大功率耗散（图1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
线性降额因子（图1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
单脉冲雪崩能量额定值（注4 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ê
AS
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J
, T
英镑
最高温度焊接
信息在0.063in （ 1.6毫米）从案例10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .T
L
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1. T
J
= 25
o
C至125
o
C.
电气连接特定的阳离子
参数
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= -250μA ， （图10）
V
GS
= V
DS
, I
D
= -250A
V
DS
=额定BV
DSS
, V
GS
= 0V
V
DS
= 0.8×额定BV
DSS
, V
GS
= 0V ，T
C
= 125
o
C
民
-100
-2.0
-
-
-6.5
-
-
2.5
-
-
-
-
-
-
-
V
GS
= 0V, V
DS
= -25V ， F = 1.0MHz的， （图11）
-
-
-
测量从
漏极引线型，5mm （ 0.2in ）
从包装到中心
模具
测量从
来源铅的5mm
（ 0.2in ）从包头到
来源粘合垫
修改对称MOSFET
平原示出了内部
器件
电感
D
L
D
G
L
S
S
典型值
-
-
-
-
-
-
0.25
3.5
30
70
70
70
25
13
12
500
300
100
5.0
最大
-
-4.0
-25
-250
-
±100
0.300
-
60
140
140
140
45
-
-
-
-
-
-
单位
V
V
A
A
A
nA
S
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
pF
pF
pF
nH
漏源击穿电压
门至门限电压
零栅极电压漏极电流
通态漏电流（注2 ）
门源漏
漏极至源极导通电阻（注2 ）
正向跨导（注2 ）
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
（门源+栅漏）
门源费
栅漏“米勒”充电
输入电容
输出电容
反向传输电容
内部排水电感
I
D（上）
I
GSS
r
DS （ ON）
g
fs
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
L
D
V
DS
＆ GT ;我
D（ ON ）×
r
DS （ ON）最大值，
V
GS
= -10V
V
GS
=
±20V
V
GS
= -10V ，我
D
= -3A ， （图8,9 ）
V
DS
≥
I
D（上）
个R
DS （ ON）最大值
, I
D
= -3A,
（图12）
V
DD
= 0.5×额定BV
DSS
, I
D
≈
-6.5A ，R
G
= 9.1,
R
L
= 7.4Ω的BV
DSS
= -100V
R
L
= 5.8Ω的BV
DSS
= -80V
（图17,18 ） MOSFET开关时间是酯酶
sentially独立工作温度
V
GS
= -10V ，我
D
= -6.5A ，V
DS
= 0.8×额定BV
DSS ，
I
G（ REF ）
= -1.5mA ， （图14 ， 19 ， 20 ）
栅极电荷基本上是独立的
工作温度
-
内部源极电感
L
S
-
15
-
nH
结到外壳
结到环境
R
θJC
R
θJA
典型的插座安装
-
-
-
-
5.0
175
o
C / W
o
C / W
4-102
IRFF9130
源极到漏极二极管特定网络阳离子
参数
连续源极到漏极电流
脉冲源极到漏极电流
（注3）
符号
I
SD
I
SDM
测试条件
修改MOSFET
符号显示在 -
tegral反转
P-N结二极管
G
D
民
-
-
典型值
-
-
最大
-6.5
-26
单位
A
A
S
源极到漏极二极管电压（注2 ）
反向恢复时间
反向恢复电荷
注意事项：
V
SD
t
rr
Q
RR
T
C
= 25
o
C，我
SD
= 6.5A ，V
GS
= 0V （图13）
T
J
= 150
o
C，我
SD
= 6.5A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
T
J
= 150
o
C，我
SD
= 6.5A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
-
-
-
-
300
1.8
-1.5
-
-
V
ns
C
2.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%.
3.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温。见瞬态热阻抗曲线（图3 ） 。
4. V
DD
= 25V ，起始物为
J
= 25
o
C，L = 17.75mH ，R
G
= 25Ω ，峰值I
AS
= 6.5A 。 （图15 ，16） 。
典型性能曲线
1.2
功耗乘法器
1.0
0.8
除非另有规定编
-7.0
I
D,
漏电流（ A）
-5.6
-4.2
0.6
0.4
-2.8
0.2
0
0
25
50
75
100
T
C
，外壳温度（
o
C)
125
150
-1.4
0
25
50
75
100
125
o
C)
T
C,
外壳温度（
150
图1.归功耗与案例
温度
图2.最大连续漏极电流VS
外壳温度
1
0.5
Z
θJC
归一化
热阻抗
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
P
DM
t
1
t
2
注意事项：
DUTY因子：D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θJC
个R
θJC
+ T
C
10
-1
10
-3
10
-2
t
1
，矩形脉冲持续时间（ S）
1
10
0.01
10
-5
10
-4
图3.归一化最大瞬态热阻抗
4-103
P沟道
功率MOSFET
IRFF9130 / 2N6849
MOSFET晶体管在一个密封的金属TO- 205AF套餐
单脉冲雪崩能量额定
专为开关，电源供应器，
电机控制和放大器的应用
筛选选项可用
绝对最大额定值
（ TC = 25 ° C除非另有说明）
VDS
VDG
VGS
ID
ID
IDM
PD
EAS
TJ
TSTG
符号
R
θJC
R
θJA
漏 - 源极电压
漏极 - 栅极电压
栅 - 源电压
连续漏电流
连续漏电流
漏电流脉冲
(1)
在总功率耗散
RGS = 20K
TC = 25°C
TC = 100℃
TC = 25°C
减免上述25℃
单脉冲雪崩能量
(2)(4)
结温范围
存储温度范围
-100V
-100V
±20V
-6.5A
-4.1A
-25A
25W
0.2W/°C
500mJ
-55到+ 150°C
-55到+ 150°C
热性能
参数
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
马克斯。
5
175
单位
° C / W
° C / W
内部封装电感
符号
LS + LD
参数
总电感
典型值。
7
单位
nH
笔记
（ 1 ）重复评级：脉冲宽度有限的最高结温
（ 2 ） @VDD = -25V ，开始TJ = 25 ° C，L
=
17.25mH ，峰值IL = -6.5A ， VGS = -10V
(3)
(4)
脉冲宽度
≤
300us,
δ ≤
2%
通过设计只是，不是生产测试。
Semelab有限公司保留随时更改测试条件，参数限制和封装尺寸，恕不另行通知。
提供的信息Semelab被认为是既准确又可靠，在即将出版的时间。但
Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。 Semelab鼓励客户
验证数据表是在下订单之前电流。
Semelab有限公司
考文垂路，拉特沃思，莱斯特郡， LE17 4JB
电话：+44（ 0 ） 1455 556565
传真：+44（ 0 ） 1455 552612
电子邮件：
sales@semelab-tt.com
文档编号3098
问题2
第1页3
网址：
http://www.semelab-tt.com
P沟道
电源MOSET
IRFF9130 / 2N6849
电气特性
（ TC = 25 ° C除非另有说明）
符号
BVDSS
BVDSS
TJ
RDS （ ON）
参数
漏源击穿
电压
温度COEF网络分
击穿电压
静态漏源
导通状态电阻
测试条件
VGS = 0
参考
至25℃
VGS = -10V
分钟。
-100
典型值
马克斯。
单位
V
ID = -1.0mA
ID = -1.0mA
ID = -4.1A
(3)
-0.1
0.3
0.54
0.32
-2
-1.0
-5
(3)
V /°C的
TJ = 125°C
VGS = -10V
VDS = VGS
ID = -6.5A
(3)
ID = -250μA
TJ = 125°C
TJ = -55°C
-4
V
VGS （ TH）
栅极阈值电压
政府飞行服务队
IDSS
正向跨导
零栅极电压
漏电流
正向栅 - 源
泄漏
反向栅源
泄漏
VDS
≥
-5V
VGS = 0
I DS = -4.1A
2.5
3.5
7.5
25
250
100
S(
)
VDS = 0.8BVDSS
TJ = 125°C
A
IGSS
VGS = 20V
TJ = 125°C
VGS = -20V
TJ = 125°C
200
-100
-200
nA
IGSS
动态特性
西塞
科斯
CRSS
Qg
(4)
输入电容
输出电容
反向传输
电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
(4)
VGS = 0
VDS = -25V
F = 1.0MHz的
VGS = -10V
ID = -6.5A
VDS = 0.5BVDSS
VDD = -40V
ID = -4.1A
RG = 7.5
800
350
125
34.8
6.8
23.1
60
140
140
140
ns
nC
pF
QGS
QGD
(4)
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
源极 - 漏极二极管的特性
IS
ISM
VSD
TRR
QRR
连续源电流
脉冲源电流
(1)
-6.5
-25
IS = -6.5A
VGS = 0
(4)
A
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
TJ = 25°C
-4.3
250
(3)
V
ns
IS = -6.5A
VDD
≤
-50V
TJ = 25°C
的di / dt = 100A / μs的
3
C
Semelab有限公司
考文垂路，拉特沃思，莱斯特郡， LE17 4JB
电话：+44（ 0 ） 1455 556565
传真：+44（ 0 ） 1455 552612
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文档编号3098
问题2
分页： 1 2 3
P沟道
电源MOSET
IRFF9130 / 2N6849
机械数据
尺寸mm （英寸）
8.64 (0.34)
9.40 (0.37)
8.01 (0.315)
9.01 (0.355)
4.06 (0.16)
4.57 (0.18)
12.70
(0.500)
分钟。
0.89最大。
(0.035)
0.41 (0.016)
0.53 (0.021)
DIA 。
5.08 (0.200)
典型值。
2
1
0.74 (0.029)
1.14 (0.045)
0.71 (0.028)
0.53 (0.021)
2.54
(0.100)
3
45°
TO- 39 （ TO- 205AF ）
引脚1 - 来源
PIN 2 - GATE
3脚 - 漏
Semelab有限公司
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文档编号3098
问题2
第3页3
IRFF9130
尺寸以毫米（英寸） 。
8.64 (0.34)
9.40 (0.37)
8.01 (0.315)
9.01 (0.355)
4.06 (0.16)
4.57 (0.18)
P沟道MOSFET
IN A
密封TO39
金属包装。
12.70
(0.500)
分钟。
0.89最大。
(0.035)
0.41 (0.016)
0.53 (0.021)
DIA 。
P沟道MOSFET 。
5.08 (0.200)
典型值。
V
DSS
= 100V
2.54
(0.100)
2
1
0.74 (0.029)
1.14 (0.045)
0.71 (0.028)
0.53 (0.021)
I
D
= 6.5A
R
DS （ ON）
= 0.3
所有Semelab密封产品可以
在按照要求处理
BS ， CECC和JAN ， JANTX ， JANTXV和
JANS规范。
3
45°
TO39 （ TO205AF ）
引脚配置
1 - 来源
2 - 门
3 - 漏极
参数
V
DSS
I
D
P
D
R
DS （ ON）
C
国际空间站
Q
g
t
TD （上）
t
tr
t
TD （关闭）
t
f
漏极 - 源极击穿电压
连续漏电流
功耗
静态漏 - 源极导通电阻
输入电容
总栅极电荷
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
分钟。
典型值。
马克斯。
100
6.5
25
0.3
单位
V
A
W
pF
nC
ns
ns
ns
ns
800
34.8
60
140
140
140
这是一个简易模式数据表。对于一个完整的数据表，请联系
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Semelab Plc的保留改变试验条件，参数限制和封装尺寸，恕不另行通知。提供的信息Semelab信
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产生
11-Oct-02
QQ：2881677436 复制
