【PD - 94357开关电源MOSFETIRFB52N15DIRFS52N15DIRFSL52N15】,IC型号IRFB52N15D,IRFB52N15D PDF资料,IRFB52N15D经销商,ic,电子元器件-51电子网

PD - 94357

开关电源MOSFET

IRFB52N15D

IRFS52N15D

IRFSL52N15D

HEXFET

功率MOSFET

应用

高频DC- DC转换器

好处

低栅极 - 漏极电荷降低

开关损耗

充分界定电容含

有效的C

OSS

为简化设计，（见

应用程序。注AN1001 ）

充分界定雪崩电压

和电流

DSS

150V

DS （ ON）

最大

0.032

60A

TO-220AB

IRFB52N15D

PAK

IRFS52N15D

TO-262

IRFSL52N15D

绝对最大额定值

参数

@ T

= 25°C

@ T

= 100°C

= 25°C

dv / dt的

英镑

连续漏电流， V

@ 10V

连续漏电流， V

@ 10V

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

峰值二极管恢复的dv / dt

工作结

存储温度范围

焊接温度，持续10秒

安装torqe ， 6-32或M3螺丝？

马克斯。

240

3.8

320

2.1

± 30

5.5

-55 + 175

300 （ 1.6毫米从案例）

10磅在（ 1.1N m）的

单位

W / ℃，

V / ns的

°C

热阻

参数

θJC

θCS

θJA

笔记

通过

结到外壳

案件到水槽，平面，脂表面

结至环境？

典型值。

–––

0.50

–––

马克斯。

0.47

–––

单位

° C / W

在第11页

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12/12/01

IRFB/IRFS/IRFSL52N15D

静态@ T

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

（ BR ） DSS

漏极至源极击穿电压

（ BR ） DSS

击穿电压温度。系数

DS （ ON）

静态漏 - 源极导通电阻

GS （ TH）

栅极阈值电压

DSS

GSS

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

分钟。

150

–––

3.0

–––

典型值。

–––

0.16

–––

MAX 。单位

条件

–––

= 0V时，我

= 250A

--- V / ° C参考到25° C，I

= 1毫安

0.032

= 10V ，我

= 36A

5.0

= V

, I

= 250A

= 150V, V

= 0V

250

= 120V, V

= 0V ，T

= 150°C

100

= 30V

-100

= -30V

动态@ T

= 25 ℃（除非另有规定）

D（上）

D（关闭）

国际空间站

OSS

RSS

OSS

EFF 。

参数

正向跨导

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

输出电容

有效输出电容

分钟。

–––

典型值。

–––

2770

590

110

3940

260

550

MAX 。单位

条件

–––

= 50V ，我

= 36A

120

= 36A

= 120V

= 10V,

–––

= 75V

–––

= 36A

–––

= 2.5

–––

= 10V

–––

= 0V

–––

= 25V

–––

= 1.0MHz的

–––

= 0V, V

= 1.0V ， = 1.0MHz的

–––

= 0V, V

= 120V ， = 1.0MHz的

–––

= 0V, V

= 0V至120V

雪崩特性

参数

单脉冲雪崩能量????

雪崩电流？

重复性雪崩能量？

典型值。

–––

马克斯。

470

单位

二极管的特性

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向RecoveryCharge

向前开启时间

分钟。典型值。马克斯。单位

条件

MOSFET符号

––– –––

展示

整体反转

––– ––– 240

p-n结二极管。

––– ––– 1.5

= 25 ° C，I

= 36A ，V

= 0V

––– 140 210

= 25 ° C，I

= 36A

--- 780 1170 NC的di / dt = 100A / μs的

固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主

)

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1000

VGS

15V

12V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

BOTTOM 5.0V

顶部

1000

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

100

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

100

VGS

15V

12V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

BOTTOM 5.0V

顶部

5.0V

300μS脉冲宽度

TJ = 25°C

0.1

100

0.1

300μS脉冲宽度

TJ = 175℃

100

VDS ，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

1000.00

3.0

= 60A

ID ，漏 - 源电流

(Α

)

2.5

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

100.00

（归一化）

T J = 175℃

2.0

1.5

10.00

T J = 25°C

1.0

1.00

5.0

7.0

9.0

VDS = 15V

300μS脉冲宽度

11.0

13.0

15.0

0.5

0.0

-60

-40

-20

= 10V

100 120 140 160 180

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

，结温

(

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

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100000

VGS = 0V，

F = 1 MHz的

西塞= C + Cgd的，C

DS短路

CRSS = C

COSS = C + C

DS GD

36A

= 120V

= 75V

= 30V

10000

C，电容（pF ）

西塞

1000

，栅 - 源极电压（ V）

科斯

100

CRSS

100

1000

100

VDS ，漏极至源极电压（ V）

，总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

1000.00

1000

在这一领域

限于由R DS （ ON）

T J = 175℃

100.00

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

ISD ，反向漏电流（ A）

100

100sec

1msec

10.00

T J = 25°C

1.00

VGS = 0V

0.10

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

VSD ，源toDrain电压（ V）

TC = 25°C

TJ = 175℃

单脉冲

100

10msec

0.1

1000

VDS ，漏toSource电压（V ）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

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D.U.T.

，漏电流（ A）

10V

脉冲宽度

≤ 1

占空比

≤ 0.1 %

图10A 。

开关时间测试电路

90%

100

125

150

175

，外壳温度

( ° C)

10%

D（上）

D（关闭）

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

图10B 。

开关时间波形

thJC

)

D = 0.50

0.1

0.20

0.10

热响应

0.05

0.02

0.01

单脉冲

（热反应）

注意事项：

0.001

0.00001

1.占空比系数D =

2.峰值牛逼

/ t

= P

X Z

thJC

0.1

0.0001

0.001

0.01

，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

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