PD - 90426C
重复性一个ALANCHE和dv / dt评分
V
HEXFET晶体管
直通孔（ TO- 205AF ）
产品概述
产品型号
IRFF120
BVDSS
100V
R
DS （ ON）
0.30
I
D
6.0A
IRFF120
JANTX2N6788
JANTXV2N6788
REF ： MIL -PRF-五百五十五分之一万九千五
100V N沟道
该HEXFET技术是关键，国际
IR的先进线路的功率MOSFET晶体管。
高效的几何形状和这个最新独特的加工
“最先进的”设计实现：极低的通态电阻
tance结合高跨导。
该HEXFET晶体管还具有所有的井
MOSFET的既定优势，如电压
年龄控制，非常快速的切换，方便parelleling的
和温度的电气参数的稳定性。
它们非常适合用于诸如开关
荷兰国际集团的电源，电机控制，逆变器，斩波器
个人，音频放大器和高能量脉冲电路。
TO-39
产品特点：
n
n
n
n
n
重复雪崩额定值
动态的dv / dt额定值
密封式
简单的驱动要求
易于并联的
绝对最大额定值
参数
ID @ VGS = 10V ， TC = 25°C
ID @ VGS = 10V ， TC = 100℃
我DM
PD @ TC = 25°C
VGS
EAS
IAR
EAR
dv / dt的
TJ
T英镑
连续漏电流
连续漏电流
漏电流脉冲
马克斯。功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度
重量
对于脚注参考最后一页
6.0
3.5
24
20
0.16
±20
76
—
—
5.5
-55到150
300 （ 0.063英寸（ 1.6毫米）从案例10秒）
0.98(typical)
W
W / ℃，
单位
A
V
mJ
A
mJ
V / ns的
o
C
g
www.irf.com
1
01/22/01
IRFF120
电气特性
参数
BVDSS
ΔBV
DSS / ΔT
RDS （ ON）
VGS （ TH）
政府飞行服务队
IDSS
@ TJ = 25 ° C（除非另有说明）
民
100
—
—
—
2.0
1.5
—
—
—
—
7.7
0.7
2.0
—
—
—
—
—
典型值最大值单位
—
0.10
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
7.0
—
—
0.30
0.345
4.0
—
25
250
100
-100
17
4.0
7.7
40
70
40
70
—
V
V /°C的
V
S
( )
测试条件
VGS = 0V ，ID = 1.0毫安
参考至25℃ ， n = 1.0毫安
VGS = 10V ，ID = 3.5A
VGS = 10V ，ID = 6.0A
VDS = VGS ，ID = 250μA
VDS > 15V ， IDS = 3.5A
VDS = 80V ， VGS = 0V
VDS = 80V
VGS = 0V ， TJ = 125°C
VGS = 20V
VGS = -20V
VGS = 10V ，ID = 6.0A
VDS = 50V
VDD = 50V ， ID = 6.0A ，
RG = 7.5Ω
漏极至源极击穿电压
分解温度系数
电压
静态漏 - 源极导通状态
阻力
栅极阈值电压
正向跨导
零栅极电压漏极电流
A
我GSS
我GSS
Qg
QGS
QGD
td
（上）
tr
td
（关闭）
tf
LS + LD
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（米勒?? ??）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总电感
nA
nC
ns
nH
从测得的漏极引线（6毫米/ 0.25英寸从
包）源铅（6毫米/ 0.25英寸从
包）
西塞
科斯
CRSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
—
—
—
350
150
24
—
—
pF
VGS = 0V ， VDS = 25V
F = 1.0MHz的
源极 - 漏极二极管额定值和特性
参数
IS
ISM
VSD
吨RR
QRR
吨
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
最小典型最大单位
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
6.0
24
1.8
240
2.0
测试条件
A
V
nS
C
T
j
= 25°C ， IS = 6.0A ， VGS = 0V
TJ = 25°C ， IF = 6.0A ， di / dt的
≤
100A/s
VDD
≤
50V
固有的导通时间是可以忽略不计。接通速度基本上由LS + LD控制。
热阻
参数
RthJC
thJA
结到外壳
结到环境
最小典型最大单位
—
—
—
—
6.25
175
° C / W
测试条件
典型的插座安装。
注：对应的香料和军刀车型可在G&S网站。
对于脚注参考最后一页
2
www.irf.com
PD - 90426C
重复性一个ALANCHE和dv / dt评分
V
HEXFET晶体管
直通孔（ TO- 205AF ）
产品概述
产品型号
IRFF120
BVDSS
100V
R
DS （ ON）
0.30
I
D
6.0A
IRFF120
JANTX2N6788
JANTXV2N6788
REF ： MIL -PRF-五百五十五分之一万九千五
100V N沟道
该HEXFET技术是关键，国际
IR的先进线路的功率MOSFET晶体管。
高效的几何形状和这个最新独特的加工
“最先进的”设计实现：极低的通态电阻
tance结合高跨导。
该HEXFET晶体管还具有所有的井
MOSFET的既定优势，如电压
年龄控制，非常快速的切换，方便parelleling的
和温度的电气参数的稳定性。
它们非常适合用于诸如开关
荷兰国际集团的电源，电机控制，逆变器，斩波器
个人，音频放大器和高能量脉冲电路。
TO-39
产品特点：
n
n
n
n
n
重复雪崩额定值
动态的dv / dt额定值
密封式
简单的驱动要求
易于并联的
绝对最大额定值
参数
ID @ VGS = 10V ， TC = 25°C
ID @ VGS = 10V ， TC = 100℃
我DM
PD @ TC = 25°C
VGS
EAS
IAR
EAR
dv / dt的
TJ
T英镑
连续漏电流
连续漏电流
漏电流脉冲
马克斯。功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度
重量
对于脚注参考最后一页
6.0
3.5
24
20
0.16
±20
76
—
—
5.5
-55到150
300 （ 0.063英寸（ 1.6毫米）从案例10秒）
0.98(typical)
W
W / ℃，
单位
A
V
mJ
A
mJ
V / ns的
o
C
g
www.irf.com
1
01/22/01
IRFF120
电气特性
参数
BVDSS
ΔBV
DSS / ΔT
RDS （ ON）
VGS （ TH）
政府飞行服务队
IDSS
@ TJ = 25 ° C（除非另有说明）
民
100
—
—
—
2.0
1.5
—
—
—
—
7.7
0.7
2.0
—
—
—
—
—
典型值最大值单位
—
0.10
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
7.0
—
—
0.30
0.345
4.0
—
25
250
100
-100
17
4.0
7.7
40
70
40
70
—
V
V /°C的
V
S
( )
测试条件
VGS = 0V ，ID = 1.0毫安
参考至25℃ ， n = 1.0毫安
VGS = 10V ，ID = 3.5A
VGS = 10V ，ID = 6.0A
VDS = VGS ，ID = 250μA
VDS > 15V ， IDS = 3.5A
VDS = 80V ， VGS = 0V
VDS = 80V
VGS = 0V ， TJ = 125°C
VGS = 20V
VGS = -20V
VGS = 10V ，ID = 6.0A
VDS = 50V
VDD = 50V ， ID = 6.0A ，
RG = 7.5Ω
漏极至源极击穿电压
分解温度系数
电压
静态漏 - 源极导通状态
阻力
栅极阈值电压
正向跨导
零栅极电压漏极电流
A
我GSS
我GSS
Qg
QGS
QGD
td
（上）
tr
td
（关闭）
tf
LS + LD
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（米勒?? ??）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总电感
nA
nC
ns
nH
从测得的漏极引线（6毫米/ 0.25英寸从
包）源铅（6毫米/ 0.25英寸从
包）
西塞
科斯
CRSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
—
—
—
350
150
24
—
—
pF
VGS = 0V ， VDS = 25V
F = 1.0MHz的
源极 - 漏极二极管额定值和特性
参数
IS
ISM
VSD
吨RR
QRR
吨
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
最小典型最大单位
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
6.0
24
1.8
240
2.0
测试条件
A
V
nS
C
T
j
= 25°C ， IS = 6.0A ， VGS = 0V
TJ = 25°C ， IF = 6.0A ， di / dt的
≤
100A/s
VDD
≤
50V
固有的导通时间是可以忽略不计。接通速度基本上由LS + LD控制。
热阻
参数
RthJC
thJA
结到外壳
结到环境
最小典型最大单位
—
—
—
—
6.25
175
° C / W
测试条件
典型的插座安装。
注：对应的香料和军刀车型可在G&S网站。
对于脚注参考最后一页
2
www.irf.com
IRFF120
数据表
1999年3月
网络文件编号
1563.3
6.0A ， 100V ， 0.300 Ohm的N通道
功率MOSFET
这种N沟道增强型硅栅功率科幻场
场效应晶体管是一种先进的功率MOSFET设计，
经过测试，并保证能承受一个特定的编辑水平
能在操作中的击穿雪崩模式。所有
这些功率MOSFET设计用于应用程序，例如
开关稳压器，开关转换器，电机驱动器，
继电器驱动器，以及用于高功率双极开关的驱动
晶体管需要高速，低栅极驱动电源。
这些类型可以直接从集成操作
电路。
以前发育类型TA09594 。
特点
6.0A ， 100V
r
DS （ ON）
= 0.300
单脉冲能量额定雪崩
SOA是功耗有限公司
纳秒的开关速度
线性传输特性
高输入阻抗
相关文献
- TB334 “指南焊锡表面贴装
组件到PC板“
订购信息
产品型号
IRFF120
包
TO-205AF
BRAND
IRFF120
符号
D
注：订货时，使用整个零件编号。
G
S
包装
JEDEC TO- 205AF
漏
（案例）
来源
门
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的ESD处理程序。
http://www.intersil.com或407-727-9207
|
版权
Intersil公司1999
IRFF120
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
IRFF120
100
100
6.0
24
±20
20
0.16
36
-55到150
300
260
单位
V
V
A
A
V
W
W/
o
C
mJ
o
C
o
C
o
C
漏源极电压（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DS
漏极至栅极电压（R
GS
= 20kΩ时）（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DGR
连续漏电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
漏电流脉冲（注3 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
DM
门源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GS
最大功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
线性降额因子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
单脉冲雪崩能量额定值（注4 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ê
AS
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .T
J,
T
英镑
最高温度焊接
信息在0.063in （ 1.6毫米）从案例10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
包体为10S ，见Techbrief 334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
PKG
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1. T
J
= 25
o
C至125
o
C.
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
I
D（上）
I
GSS
r
DS （ ON）
g
fs
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
L
D
测量从排水
铅， 5.0毫米（ 0.2in ）从
标头的模具中心
从源测量
铅， 5.0毫米（ 0.2in ）从
头源极连接
PAD
修改MOSFET
符号显示的
内部设备
电感
D
L
D
G
L
S
S
电气连接特定的阳离子
参数
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V （图10）
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
V
DS
=额定BV
DSS
, V
GS
= 0V
V
DS
= 0.8×额定BV
DSS
, V
GS
= 0V ，T
C
= 125
o
C
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）最大值
, V
GS
= 10V
V
GS
=
±20V
I
D
= 3.0A ，V
GS
= 10V （图8,9 ）
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）最大值
, I
D
= 3.0A （图12）
V
DD
0.5倍额定BV
DSS
, I
D
=
6.0A ，R
G
= 9.1,
V
GS
= 10V （图17,18 ）中，R
L
= 8Ω的V
DSS
= 50V,
R
L
= 6.3Ω的V
DSS
= 40V ， MOSFET的开关
时间基本上是独立运行的
温度
V
GS
= 10V ，我
D
= 6.0A ，V
DS
= 0.8×额定BV
DSS
（图14 ， 19 ， 20 ）的栅极电荷本质
独立工作温度
民
100
2.0
-
-
6.0
-
-
1.5
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
0.25
2.9
20
37
50
35
10
6.0
4.0
450
20
50
5.0
最大
-
4.0
25
250
-
±100
0.300
-
40
70
100
70
15
-
-
-
-
-
-
单位
V
V
A
A
A
nA
S
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
pF
pF
pF
nH
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
通态漏电流（注2 ）
门源漏电流
漏极至源极导通电阻（注2 ）
正向跨导（注2 ）
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
（门源+栅漏）
门源费
栅漏（ “米勒” ）费
输入电容
输出电容
反向传输电容
内部排水电感
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V中，f = 1MHz的（图11）
-
-
-
-
内部源极电感
L
S
-
15
-
nH
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
R
θJC
R
θJA
自由空气操作
-
-
-
-
6.25
175
o
C / W
o
C / W
2
IRFF120
源极到漏极二极管特定网络阳离子
参数
连续源极到漏极电流
脉冲源极到漏极电流（注3 ）
符号
I
SD
I
SM
测试条件
修改MOSFET
符号显示的
整体逆转的p-n
结整流器
G
D
民
-
-
典型值
-
-
最大
6.0
24
单位
A
A
S
源极到漏极二极管电压（注2 ）
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
注意事项：
V
SD
t
rr
Q
RR
t
ON
T
J
= 25
o
C，我
SD
= 6.0A ，V
GS
= 0V （图13）
T
J
= 150
o
C，我
SD
= 6.0A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
T
J
= 150
o
C，我
SD
= 6.0A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
固有的导通时间可以忽略不计，导通
速度设为L基本上受控
S
+ L
D
-
-
-
-
-
230
1.0
-
2.5
-
-
-
V
ns
C
-
2.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%.
3.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温。见瞬态热阻抗曲线（图3 ） 。
4. V
DD
= 25V ，起始物为
J
= 25
o
C，L = 1.5mH ，R
G
= 25Ω ，峰值I
AS
= 6.0A （图15 ，16） 。
典型性能曲线
1.2
功耗乘法器
1.0
除非另有规定编
6.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
I
D
，漏电流（ A）
4.8
3.6
2.4
1.2
0
50
100
150
0
25
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（
o
C)
T
C
，外壳温度（
o
C)
图1.归功耗与案例
温度
图2.最大连续漏极电流VS
外壳温度
1.0
Z
θJC
归一化
热阻抗
0.5
0.2
P
DM
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
t
1
t
2
注意事项：
DUTY因子：D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θJC
个R
θJC
+ T
C
1
10
0.01
10
-5
t
1
，矩形脉冲持续时间（ S）
图3.归一化最大瞬态热阻抗
3
QQ：2881677436 复制
