PD - 96902A
IRFB4410
IRFS4410
IRFSL4410
应用
l
高效率同步整流开关电源
l
不间断电源
l
高速电源开关
l
硬开关和高频电路
好处
l
改进的门，雪崩和动态的dV / dt
耐用性
l
充分界定电容和雪崩
SOA
l
增强型体二极管的dV / dt和di / dt能力
G
S
HEXFET
功率MOSFET
D
V
DSS
R
DS （ ON）
典型值。
马克斯。
I
D
100V
8.0m
:
10m
:
96A
g DS的
TO-220AB
IRFB4410
g DS的
D
2
PAK
IRFS4410
g DS的
TO-262
IRFSL4410
绝对最大额定值
符号
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
dv / dt的
T
J
T
英镑
参数
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
d
最大功率耗散
线性降额因子
栅极 - 源极电压
峰值二极管恢复
f
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
（ 1.6毫米的情况下）
安装扭矩， 6-32或M3螺丝
单脉冲雪崩能量
e
雪崩电流
c
重复性雪崩能量
g
马克斯。
96c
68c
380
250
1.6
± 20
19
-55 + 175
300
10lbxin （ 1.1Nxm ）
220
参见图。 14，15， 16a和16b的
单位
A
W
W / ℃，
V
V / ns的
°C
雪崩特性
E
AS （限热）
I
AR
E
AR
mJ
A
mJ
热阻
符号
R
θJC
R
θCS
R
θJA
R
θJA
参数
结到外壳
k
外壳到散热器，平板油脂润滑表面， TO- 220
结到环境， TO- 220
k
结到环境（ PCB安装） ，D白
jk
2
典型值。
–––
0.50
–––
–––
马克斯。
0.61
–––
62
40
单位
° C / W
www.irf.com
1
11/4/04
IRFB4410/IRFS4410/IRFSL4410
静态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
符号
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
R
G
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
门输入电阻
分钟。典型值。马克斯。单位
100
–––
–––
2.0
–––
–––
–––
–––
–––
––– –––
0.094 –––
8.0
10
–––
4.0
–––
20
––– 250
––– 200
––– -200
1.5
–––
条件
V V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V / ℃参考至25℃ ，我
D
= 1mAd
毫欧V
GS
= 10V ，我
D
= 58A
g
V V
DS
= V
GS
, I
D
= 150A
μA V
DS
= 100V, V
GS
= 0V
V
DS
= 100V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
nA的V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
F = 1MHz时，漏极开路
动态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
符号
政府飞行服务队
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
EFF 。 （ ER）的
C
OSS
EFF 。 （ TR）的
参数
正向跨导
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
有效的输出电容（能源相关）
有效的输出电容（时间相关）H
分钟。典型值。马克斯。单位
120
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
120
31
44
24
80
55
50
5150
360
190
420
500
–––
180
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
S
nC
条件
V
DS
= 50V ，我
D
= 58A
I
D
= 58A
V
DS
= 80V
V
GS
= 10V
g
V
DD
= 65V
I
D
= 58A
R
G
= 4.1
V
GS
= 10V
g
V
GS
= 0V
V
DS
= 50V
= 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至80V
i,
参见图11
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至80V
h,
参见图。五
ns
pF
二极管的特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
on
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
d
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
96c
380
A
A
条件
MOSFET符号
展示
整体反转
G
D
S
p-n结二极管。
––– –––
1.3
V T，
J
= 25 ° C，I
S
= 58A ，V
GS
= 0V
g
V
R
= 85V,
–––
38
56
NS牛逼
J
= 25°C
T
J
= 125°C
I
F
= 58A
–––
51
77
的di / dt = 100A / μs的
g
–––
61
92
NC牛逼
J
= 25°C
T
J
= 125°C
––– 110 170
–––
2.8
–––
一件T
J
= 25°C
固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的
注意事项：
基于最大允许结计算的连续电流
温度。套餐限制电流为75A 。
重复评价;脉冲宽度有限的最大值。连接点
温度。
限制T
JMAX
，起始物为
J
= 25℃时，L = 0.14mH
R
G
= 25, I
AS
= 58A ，V
GS
= 10V 。部分不推荐使用
高于此值。
I
SD
≤
58A ， di / dt的
≤
650A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
J
≤
175°C.
脉冲宽度
≤
400μS ;占空比
≤
2%.
C
OSS
EFF 。 （TR）是一个固定的电容，赋予相同的充电时间
为C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
DSS
.
C
OSS
EFF 。 （ER）是一种固定电容，赋予相同的能量
C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
DSS
.
当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料） 。对于推荐
足迹和焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994 。
R
θ
测定在T
J
大约90℃。
2
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IRFB4410/IRFS4410/IRFSL4410
1000
顶部
VGS
15V
10V
8.0V
6.0V
5.5V
5.0V
4.8V
4.5V
1000
顶部
VGS
15V
10V
8.0V
6.0V
5.5V
5.0V
4.8V
4.5V
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
底部
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
底部
10
10
4.5V
1
4.5V
≤
在60μs脉冲宽度
0.1
0.1
1
TJ = 25°C
10
1
100
1000
0.1
1
≤
在60μs脉冲宽度
TJ = 175℃
10
100
1000
V DS ，漏极至源极电压（ V）
V DS ，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
1000
3.0
图2 。
典型的输出特性
RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻
（归一化）
ID ，漏 - 源电流
(Α)
100
T J = 175℃
10
T J = 25°C
1
VDS = 25V
≤60s
脉冲宽度
0.1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
2.5
ID = 58A
VGS = 10V
2.0
1.5
1.0
0.5
-60 -40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
T J ，结温（ ° C）
图3 。
典型的传输特性
100000
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
ISS = C GS + C GD ，C DS短路
RSS = C GD
OSS = C DS + C GD
图4 。
归一化的导通电阻与温度的关系
12.0
ID = 58A
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
10.0
8.0
6.0
4.0
2.0
0.0
VDS = 80V
VDS = 50V
VDS = 20V
C，电容（pF ）
10000
西塞
1000
科斯
CRSS
100
1
10
VDS ，漏极至源极电压（ V）
100
0
20
40
60
80
100
120
QG总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容与漏 - 源极电压
图6 。
典型栅极电荷与栅极至源极电压
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3
IRFB4410/IRFS4410/IRFSL4410
1000
1000
在这一领域
限于由R DS （ ON）
100sec
1msec
100
T J = 175℃
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
ISD ，反向漏电流（ A）
100
10msec
10
DC
TC = 25°C
TJ = 175℃
单脉冲
1
0
1
10
100
1000
10
T J = 25°C
VGS = 0V
1
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8
VSD ，源极到漏极电压（V ）
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图7 。
典型的源漏二极管正向电压
100
90
80
ID ，漏电流（ A）
V（ BR ） DSS ，漏极至源极击穿电压（ V）
130
图8 。
最大安全工作区
不限按包
125
70
60
50
40
30
20
10
0
25
50
75
100
125
150
175
T C ，外壳温度（ ° C）
120
115
110
105
100
-60 -40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
T J ，温度（° C）
图9 。
最大漏极电流与外壳温度
2.0
EAS ，单脉冲雪崩能量（兆焦耳）
图10 。
漏极至源极击穿电压
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
1.5
能量（ μJ ）
ID
顶部
6.7A
9.7A
BOTTOM 58A
1.0
0.5
0.0
0
20
40
60
80
100
120
25
50
75
100
125
150
175
VDS ，漏极至源极电压（ V）
开始T J ，结温（ ° C）
4
图11 。
典型的C
OSS
储能
图12 。
最大雪崩能量对比DrainCurrent
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IRFB4410/IRFS4410/IRFSL4410
1
D = 0.50
热响应（Z thJC ）
0.1
0.20
0.10
0.05
0.01
0.02
0.01
τ
J
R
1
R
1
τ
J
τ
1
τ
2
R
2
R
2
τ
C
τ
τ
2
RI（ ° C / W）
τi
（秒）
0.2736 0.000376
0.3376
0.004143
τ
1
0.001
单脉冲
（热反应）
CI-
τi /日
次I /日
注意事项：
1.占空比D = T1 / T2
2.峰值TJ = P DM X Zthjc +锝
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
0.0001
T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）
图13 。
最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
1000
占空比=单脉冲
雪崩电流（ A）
100
0.01
0.05
0.10
允许雪崩电流与
雪崩脉冲宽度， TAV
假设
TJ =由于25℃
雪崩损失
10
1
0.1
1.0E-06
1.0E-05
1.0E-04
1.0E-03
1.0E-02
1.0E-01
TAV （秒）
图14 。
典型的雪崩电流Vs.Pulsewidth
250
EAR ，雪崩能量（兆焦耳）
200
顶部
单脉冲
BOTTOM 1 ％占空比
ID = 58A
150
100
50
对重复性雪崩曲线指出，图14 ， 15 ：
（有关详细信息，请参阅AN -1005在www.irf.com ）
1.雪崩失效的假设：
纯粹的热现象而发生故障时，在远的温度
多余的T
JMAX
。这验证了每一部分的类型。
在雪崩2.安全操作是允许的，只要AST
JMAX
不超标。
下面3.方程基于电路和在图16a所示的波形， 16b中。
4. P
D（ AVE ）
=每单脉冲雪崩平均功耗。
5. BV =额定击穿电压（ 1.3系数占电压升高
在雪崩） 。
6. I
av
=允许雪崩电流。
7.
T
=
允许上升的结温，不超过牛逼
JMAX
（假定为
25℃下在图14中， 15）。
t
AV =
平均时间在雪崩。
D =占空比雪崩= T
av
·f
Z
thJC
（ D，T
av
） =瞬态热阻，参见图13 ）
175
0
25
50
75
100
125
150
开始T J ，结温（ ° C）
P
D（ AVE ）
= 1/2（ 1.3 BV · ·我
av
) =
DT /
Z
thJC
I
av
= 2DT / [1.3 BV · ·
th
]
E
AS （ AR ）
= P
D（ AVE ）
·t
av
图15 。
最大雪崩能量比。温度
www.irf.com
5
QQ：2881677436 复制
