IRFB4321GPbF
静态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
符号
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
R
G（ INT ）
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
内部栅极电阻
分钟。典型值。马克斯。单位
150
–––
–––
3.0
–––
–––
–––
–––
–––
–––
150
12
–––
–––
–––
–––
–––
0.8
条件
–––
V V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
---毫伏/°C基准，以25 ° C，I
D
= 1毫安
15
毫欧V
GS
= 10V ，我
D
= 33A
5.0
V V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
20
μA V
DS
= 150V, V
GS
= 0V
1.0
毫安V
DS
= 150V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
100
nA的V
GS
= 20V
-100
V
GS
= -20V
–––
f
d
动态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
符号
政府飞行服务队
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
正向跨导
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
分钟。典型值。马克斯。单位
130
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
71
24
21
18
60
25
35
4460
390
82
–––
110
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
S
nC
条件
V
DS
= 25V ，我
D
= 50A
I
D
= 50A
V
DS
= 75V
V
GS
= 10V
V
DD
= 75V
I
D
= 50A
R
G
= 2.5
V
GS
= 10V
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz的
ns
f
f
pF
二极管的特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
on
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
83
条件
MOSFET符号
展示
整体反转
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= 50A ，V
GS
= 0V
I
D
= 50A
V
R
= 128V,
的di / dt = 100A / μs的
G
S
D
A
A
d
330
––– –––
1.3
V
–––
89
130
ns
––– 300 450
nC
–––
6.5
–––
A
固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的
f
f
注意事项：
基于最大允许计算出的连续电流
结温。
重复评价;脉冲宽度有限的最大值。连接点
温度。
限制T
JMAX
，起始物为
J
= 25℃时，L = 0.095mH
R
G
= 25, I
AS
= 50A ，V
GS
= 10V 。部分不推荐使用
高于此值。
脉冲宽度
≤
400μS ;占空比
≤
2%.
R
θ
测定在T
J
约90℃的
2
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1000
顶部
1000
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
底部
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.5V
6.0V
5.5V
5.0V
顶部
100
底部
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.5V
6.0V
5.5V
5.0V
10
10
5.0V
1
5.0V
0.1
0.1
1
≤
在60μs脉冲宽度
TJ = 25°C
1
10
100
0.1
1
≤
在60μs脉冲宽度
TJ = 175℃
10
100
VDS ，漏极至源极电压（ V）
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
1000
3.5
图2 。
典型的输出特性
RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻
（归一化）
ID = 50A
3.0
ID ，漏 - 源电流
(Α)
VGS = 10V
100
2.5
TJ = 175℃
10
2.0
1
TJ = 25°C
VDS = 25V
1.5
1.0
≤
在60μs脉冲宽度
0.1
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
0.5
-60 -40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
TJ ，结温（ ° C）
图3 。
典型的传输特性
7000
6000
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
西塞=的Cgs + Cgd的，光盘短路
CRSS = Cgd的
COSS =硫化镉+ Cgd的
图4 。
归一化的导通电阻与温度的关系
20
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
ID = 50A
VDS = 120V
VDS = 75V
VDS = 30V
16
C，电容（pF ）
5000
4000
3000
2000
1000
西塞
12
科斯
8
4
CRSS
0
1
10
100
0
0
20
40
60
80
100
120
QG总栅极电荷（ NC）
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图5 。
典型的电容与漏 - 源极电压
图6 。
典型栅极电荷与栅极至源极电压
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3
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1000
1000
在这一领域
限于由R DS （ ON）
100sec
1msec
ISD ，反向漏电流（ A）
100
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
TJ = 175℃
10
100
10
10msec
1
TJ = 25°C
1
TC = 25°C
TJ = 175℃
单脉冲
0.1
1
10
DC
VGS = 0V
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
100
1000
VSD ，源极到漏极电压（V ）
VDS ，漏toSource电压（V ）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
V（ BR ） DSS ，漏极至源极击穿电压
图8 。
最大安全工作区
190
90
80
70
ID ，漏电流（ A）
180
60
50
40
30
20
10
0
25
50
75
100
125
150
175
T C ，外壳温度（ ° C）
170
160
150
140
-60 -40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
TJ ，结温（ ° C）
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
5.0
图10 。
漏极至源极击穿电压
EAS ，单脉冲雪崩能量（兆焦耳）
500
4.0
400
I D
顶部
13A
20A
底部
50A
能量（ μJ ）
3.0
300
2.0
200
1.0
100
0.0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0
25
50
75
100
125
150
175
VDS ，漏极至源极电压（ V）
开始TJ ，结温（ ° C）
图11 。
典型的C
OSS
储能
图12 。
最大雪崩能量对比DrainCurrent
4
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1
热响应（ ZthJC ）
D = 0.50
0.1
0.20
0.10
0.05
τ
J
R
1
R
1
τ
J
τ
1
τ
2
R
2
R
2
R
3
R
3
τ
3
τ
C
τ
τ
3
RI（ ° C / W）
τι
（秒）
τ
1
τ
2
0.01
0.02
0.01
单脉冲
（热反应）
CI-
τi /日
CI-
τi /日
0.085239 0.000052
0.18817 0.00098
0.176912 0.008365
注意事项：
1.占空比D = T1 / T2
2.峰值TJ = P DM X Zthjc +锝
0.0001
0.001
0.01
0.1
0.001
1E-006
1E-005
T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）
图13 。
最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
100
占空比=单脉冲
0.01
雪崩电流（ A）
10
允许雪崩电流与雪崩
脉宽， TAV ，假设
环境温度为150 ℃，并
T开始= 25 ° C（单脉冲）
0.05
0.10
1
允许雪崩电流与雪崩
脉宽， TAV ，假设
Τ
J = 25 ℃，并
T开始= 150℃。
0.1
1.0E-06
1.0E-05
1.0E-04
1.0E-03
1.0E-02
1.0E-01
TAV （秒）
图14 。
典型的雪崩电流Vs.Pulsewidth
120
EAR ，雪崩能量（兆焦耳）
100
顶部
单脉冲
BOTTOM 1 ％占空比
ID = 50A
80
60
40
20
对重复性雪崩曲线指出，图14 ， 15 ：
（有关详细信息，请参阅AN -1005在www.irf.com ）
1.雪崩失效的假设：
纯粹的热现象而发生故障时，在远的温度
多余的T
JMAX
。这验证了每一部分的类型。
在雪崩2.安全操作是允许的，只要AST
JMAX
不超标。
下面3.方程基于电路和在图16a所示的波形， 16b中。
4. P
D（ AVE ）
=每单脉冲雪崩平均功耗。
5. BV =额定击穿电压（ 1.3系数占电压升高
在雪崩） 。
6. I
av
=允许雪崩电流。
7.
T
=
允许上升的结温，不超过牛逼
JMAX
（假定为
25℃下在图14中， 15）。
t
AV =
平均时间在雪崩。
D =占空比雪崩= T
av
·f
Z
thJC
（ D，T
av
） =瞬态热阻，参见图13 ）
175
0
25
50
75
100
125
150
开始TJ ，结温（ ° C）
P
D（ AVE ）
= 1/2（ 1.3 BV · ·我
av
) =
DT /
Z
thJC
I
av
= 2DT / [1.3 BV · ·
th
]
E
AS （ AR ）
= P
D（ AVE ）
·t
av
图15 。
最大雪崩能量比。温度
www.irf.com
5
QQ：2881677436 复制
