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日前,Vishay
ILD615 / ILQ615
威世半导体
光电耦合器,光电晶体管输出(双通道,四通道)
特点
相同的通道到通道足迹
双核和四包的特点:
- 减少电路板空间
- 更低的引脚和零件计数
- 更好的通道间匹配CTR
- 改进的共模抑制
从双模压封装隔离测试电压
年龄, 5300 V
RMS
无铅组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
双通道
A 1
C 2
A 3
C 4
8 C
7 E
6 C
5 E
四通道
机构认证
UL1577 ,文件号E52744系统代码H或按J ,
双重保护
CSA 93751
BSI IEC60950 IEC60965
DIN EN 60747-5-2 ( VDE0884 )
DIN EN 60747-5-5待定
可通过选项1
i179052
A
1
C
2
A
C
A
C
A
3
4
5
6
7
16
C
15
E
14
C
13
E
12
C
11
E
10
C
9
E
C
8
描述
在ILD615 / ILQ615是多通道phototransis-
使用砷化镓IRLED发射器和光电耦合器
高增益的NPN光电晶体管。这些设备是
构建使用上/下引线框架光学cou-
耦和双重绝缘成型技术result-
荷兰国际集团的7500伏耐压试验电压
PEAK
AND A
1700 V工作电压
RMS
.
该分级最小值/最大值。和线性特性CTR
使这些器件非常适用于直流或交流电压
检测。消除了光电晶体管基CON-
nection提供额外的电气噪声抗扰度
在很多工业控制中的瞬变envi-
境下。
由于保证最高的非饱和的和
饱和的开关特性,在ILD615 /
ILQ615可以在中等速度数据被用于I / O和
控制系统。该分级最小值/最大值。 CTR specifi-
阳离子便于最坏的情况下接口计算
这两个层面的检测和切换应用程序。之间
用CMOS逻辑面对由瓜拉尼增强
开球CTR在我
F
= 1.0毫安。
文档编号83652
修订版1.3 , 19 -APR- 04
www.vishay.com
1
ILD615 / ILQ615
威世半导体
订购信息
部分
ILD615-1
ILD615-2
ILD615-3
ILD615-4
ILQ615-1
ILQ615-2
ILQ615-3
ILQ615-4
ILD615-1X007
ILD615-2X006
ILD615-2X009
ILD615-3X006
ILD615-3X007
ILD615-3X009
ILD615-4X006
ILD615-4X009
ILQ615-1X009
ILQ615-2X007
ILQ615-3X006
ILQ615-3X009
ILQ615-4X007
ILQ615-4X009
备注
点击率40 % - 80% ,双通道, DIP- 8
CTR 63 - 125 % ,双通道, DIP- 8
CTR 100 - 200 % ,双通道, DIP- 8
CTR 160 - 320 % ,双通道, DIP- 8
点击率40 % - 80% ,四通道, DIP- 16
CTR 63 - 125 % ,四通道, DIP- 16
CTR 100 - 200 % ,四通道, DIP- 16
CTR 160 - 320 % ,四通道, DIP- 16
点击率40 % - 80% ,双通道, SMD- 8
(选项7 )
CTR 63 - 125 % ,双通道, DIP- 8 400
密尔(选项6 )
CTR 63 - 125 % ,双通道, SMD- 8
(选件9 )
CTR 100 - 200 % ,双通道, DIP- 8
400密耳(选项6 )
CTR 100 - 200 % ,双通道, SMD- 8
(选项7 )
CTR 100 - 200 % ,双通道, SMD- 8
(选件9 )
CTR 160 - 320 % ,双通道, DIP- 8
400密耳(选项6 )
CTR 160 - 320 % ,双通道, SMD- 8
(选件9 )
点击率40 % - 80% ,四通道, SMD- 16
(选件9 )
CTR 63 - 125 % ,四通道, SMD- 16
(选项7 )
CTR 100 - 200 % ,四通道, DIP- 16
400密耳(选项6 )
CTR 100 - 200 % ,四通道, SMD- 16
(选件9 )
CTR 160 - 320 % ,四通道, SMD- 16
(选项7 )
CTR 160 - 320 % ,四通道, SMD- 16
(选件9 )
日前,Vishay
有关可用选项的更多信息,请参阅
选项信息。
www.vishay.com
2
文档编号83652
修订版1.3 , 19 -APR- 04
日前,Vishay
绝对最大额定值
ILD615 / ILQ615
威世半导体
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
反向电压
正向电流
浪涌电流
功耗
从25° C减免线性
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
价值
6.0
60
1.5
100
1.33
单位
V
mA
A
mW
毫瓦/°C的
产量
参数
集电极 - 发射极击穿
电压
发射极 - 集电极击穿
电压
集电极电流
吨< 1.0毫秒
功耗
从25° C减免线性
测试条件
符号
BV
首席执行官
BV
ECO
I
C
I
C
P
DISS
价值
70
7.0
50
100
150
2.0
单位
V
V
mA
mA
mW
毫瓦/°C的
耦合器
参数
储存温度
工作温度
结温
焊接温度
封装功耗,
ILD615
从25° C减免线性
封装功耗,
ILQ615
从25° C减免线性
绝缘测试电压
爬电距离
净空
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ,T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ,T
AMB
= 100 °C
R
IO
R
IO
T = 1.0秒。
V
ISO
从案例2.0毫米距离
底部
测试条件
符号
T
英镑
T
AMB
T
j
T
SLD
价值
- 55至+ 150
- 55至+ 100
100
260
400
5.33
500
6.67
5300
7.0
7.0
10
12
10
11
单位
°C
°C
°C
°C
mW
毫瓦/°C的
mW
毫瓦/°C的
V
RMS
mm
mm
文档编号83652
修订版1.3 , 19 -APR- 04
www.vishay.com
3
ILD615 / ILQ615
威世半导体
电气特性
日前,Vishay
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息,不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
击穿电压
反向电流
电容
热阻,结到
领导
测试条件
I
F
= 10毫安
I
R
= 10
A
V
R
= 6.0 V
V
R
= 0 V , F = 1.0 MHz的
符号
V
F
V
BR
I
R
C
O
R
thJL
1.0
6.0
典型值。
1.15
30
0.01
25
750
10
最大
1.3
单位
V
V
A
pF
K / W
产量
参数
集电极 - 发射极电容
集电极 - 射极漏泄
当前, -1,-2
集电极 - 射极漏泄
当前,-3,-4
集电极 - 发射极击穿
电压
发射极 - 集电极击穿
电压
热阻,结到
领导
包传输特性
通道/通道CTR比赛
I
F
= 10 mA时, V
CE
= 5.0 V
CTRX /
CTRY
1对1
2比1
测试条件
V
CE
= 5.0 V , F = 1.0 MHz的
V
CE
= 10 V
V
CE
= 10 V
I
CE
- 0.5毫安
I
E
- 0.1毫安
符号
C
CE
I
首席执行官
I
首席执行官
BV
首席执行官
BV
ECO
R
thJL
70
7.0
500
典型值。
6.8
2.0
5.0
50
100
最大
单位
pF
nA
nA
V
V
K / W
耦合器
参数
电容(输入输出)
绝缘电阻
通道间隔离
测试条件
V
IO
= 0 V , F = 1.0 MHz的
V
IO
= 500 V ,T
A
= 25 °C
符号
C
IO
R
S
10
12
500
典型值。
0.8
10
14
最大
单位
pF
VAC
电流传输比
参数
电流传输比
(集电极 - 发射极饱和的)
测试条件
I
F
= 10 mA时, V
CE
= 0.4 V
部分
ILD615-1
ILQ615-1
ILD615-2
ILQ615-2
ILD615-3
ILQ615-3
ILD615-4
ILQ615-4
符号
CTR
CESAT
CTR
CESAT
CTR
CESAT
CTR
CESAT
典型值。
25
40
60
100
最大
单位
%
%
%
%
www.vishay.com
4
文档编号83652
修订版1.3 , 19 -APR- 04
日前,Vishay
参数
电流传输比
(集电极 - 发射极)
测试条件
I
F
= 10 mA时, V
CE
= 5.0 V
I
F
= 1.0毫安, V
CE
= 5.0 V
I
F
= 10 mA时, V
CE
= 5.0 V
I
F
= 1.0毫安, V
CE
= 5.0 V
I
F
= 10 mA时, V
CE
= 5.0 V
I
F
= 1.0毫安, V
CE
= 5.0 V
I
F
= 10 mA时, V
CE
= 5.0 V
I
F
= 1.0毫安, V
CE
= 5.0 V
部分
ILD615-1
ILQ615-1
ILD615-2
ILQ615-2
ILD615-3
ILQ615-3
ILD615-4
ILQ615-4
ILD615-1
ILQ615-1
ILD615-2
ILQ615-2
ILD615-3
ILQ615-3
ILD615-4
ILQ615-4
符号
CTR
CE
CTR
CE
CTR
CE
CTR
CE
CTR
CE
CTR
CE
CTR
CE
CTR
CE
ILD615 / ILQ615
威世半导体
40
13
63
22
100
34
160
56
典型值。
60
30
80
45
150
70
200
90
320
200
125
最大
80
单位
%
%
%
%
%
%
%
%
开关不饱和
参数
测试条件
符号
单位
ILD615-1
I
F
mA
10
t
on
s
3.0
当前
开启时间
上升时间
打开-O FF时间
下降时间
传播
H-L
t
PHL
s
1.1
传播
L-H
t
PLH
s
2.5
V
CC
= 5.0 V ,R
L
= 75
,
V型50 %
PP
t
r
s
2.0
t
关闭
s
2.3
t
f
s
2.0
开关饱和
参数
测试条件
符号
单位
ILD615-1
ILQ615-1
ILD615-2
ILQ615-2
ILD615-3
ILQ615-3
ILD615-4
ILQ615-4
I
F
mA
20
10
10
5.0
t
on
s
3.0
4.3
4.3
6.0
当前
开启时间
上升时间
打开-O FF时间
下降时间
传播
H-L
t
PHL
s
1.6
2.6
2.6
5.4
传播
L-H
t
PLH
s
8.6
7.2
7.2
7.4
V
CC
= 5.0 V ,R
L
= 1.0 KΩ ,V
TH
= 1.5 V
t
r
t
关闭
t
f
s
2.0
2.8
2.8
4.6
s
18
25
25
25
s
11
14
14
15
共模瞬态抗扰度
参数
共模抑制输出
共模抑制输出
共模耦合
电容
测试条件
V
CM
= 50 V
P-P
, R
L
= 1.0 k,
I
F
= 0毫安
V
CM
= 50 V
P-P
, R
L
= 1.0 k,
I
F
= 10毫安
符号
CM
H
CM
L
C
CM
典型值。
5000
5000
0.01
最大
单位
V / μs的
V / μs的
pF
文档编号83652
修订版1.3 , 19 -APR- 04
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日前,Vishay
ILD615 / ILQ615
威世半导体
光电耦合器,光电晶体管输出(双通道,四通道)
特点
相同的通道到通道足迹
双核和四包的特点:
- 减少电路板空间
- 更低的引脚和零件计数
- 更好的通道间匹配CTR
- 改进的共模抑制
从双模压封装隔离测试电压
年龄, 5300 V
RMS
无铅组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
双通道
A 1
C 2
A 3
C 4
8 C
7 E
6 C
5 E
四通道
机构认证
UL1577 ,文件号E52744系统代码H或按J ,
双重保护
CSA 93751
BSI IEC60950 IEC60965
DIN EN 60747-5-2 ( VDE0884 )
DIN EN 60747-5-5待定
可通过选项1
i179052
A
1
C
2
A
C
A
C
A
3
4
5
6
7
16
C
15
E
14
C
13
E
12
C
11
E
10
C
9
E
C
8
描述
在ILD615 / ILQ615是多通道phototransis-
使用砷化镓IRLED发射器和光电耦合器
高增益的NPN光电晶体管。这些设备是
构建使用上/下引线框架光学cou-
耦和双重绝缘成型技术result-
荷兰国际集团的7500伏耐压试验电压
PEAK
AND A
1700 V工作电压
RMS
.
该分级最小值/最大值。和线性特性CTR
使这些器件非常适用于直流或交流电压
检测。消除了光电晶体管基CON-
nection提供额外的电气噪声抗扰度
在很多工业控制中的瞬变envi-
境下。
由于保证最高的非饱和的和
饱和的开关特性,在ILD615 /
ILQ615可以在中等速度数据被用于I / O和
控制系统。该分级最小值/最大值。 CTR specifi-
阳离子便于最坏的情况下接口计算
这两个层面的检测和切换应用程序。之间
用CMOS逻辑面对由瓜拉尼增强
开球CTR在我
F
= 1.0毫安。
文档编号83652
修订版1.3 , 19 -APR- 04
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1
ILD615 / ILQ615
威世半导体
订购信息
部分
ILD615-1
ILD615-2
ILD615-3
ILD615-4
ILQ615-1
ILQ615-2
ILQ615-3
ILQ615-4
ILD615-1X007
ILD615-2X006
ILD615-2X009
ILD615-3X006
ILD615-3X007
ILD615-3X009
ILD615-4X006
ILD615-4X009
ILQ615-1X009
ILQ615-2X007
ILQ615-3X006
ILQ615-3X009
ILQ615-4X007
ILQ615-4X009
备注
点击率40 % - 80% ,双通道, DIP- 8
CTR 63 - 125 % ,双通道, DIP- 8
CTR 100 - 200 % ,双通道, DIP- 8
CTR 160 - 320 % ,双通道, DIP- 8
点击率40 % - 80% ,四通道, DIP- 16
CTR 63 - 125 % ,四通道, DIP- 16
CTR 100 - 200 % ,四通道, DIP- 16
CTR 160 - 320 % ,四通道, DIP- 16
点击率40 % - 80% ,双通道, SMD- 8
(选项7 )
CTR 63 - 125 % ,双通道, DIP- 8 400
密尔(选项6 )
CTR 63 - 125 % ,双通道, SMD- 8
(选件9 )
CTR 100 - 200 % ,双通道, DIP- 8
400密耳(选项6 )
CTR 100 - 200 % ,双通道, SMD- 8
(选项7 )
CTR 100 - 200 % ,双通道, SMD- 8
(选件9 )
CTR 160 - 320 % ,双通道, DIP- 8
400密耳(选项6 )
CTR 160 - 320 % ,双通道, SMD- 8
(选件9 )
点击率40 % - 80% ,四通道, SMD- 16
(选件9 )
CTR 63 - 125 % ,四通道, SMD- 16
(选项7 )
CTR 100 - 200 % ,四通道, DIP- 16
400密耳(选项6 )
CTR 100 - 200 % ,四通道, SMD- 16
(选件9 )
CTR 160 - 320 % ,四通道, SMD- 16
(选项7 )
CTR 160 - 320 % ,四通道, SMD- 16
(选件9 )
日前,Vishay
有关可用选项的更多信息,请参阅
选项信息。
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2
文档编号83652
修订版1.3 , 19 -APR- 04
日前,Vishay
绝对最大额定值
ILD615 / ILQ615
威世半导体
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
反向电压
正向电流
浪涌电流
功耗
从25° C减免线性
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
价值
6.0
60
1.5
100
1.33
单位
V
mA
A
mW
毫瓦/°C的
产量
参数
集电极 - 发射极击穿
电压
发射极 - 集电极击穿
电压
集电极电流
吨< 1.0毫秒
功耗
从25° C减免线性
测试条件
符号
BV
首席执行官
BV
ECO
I
C
I
C
P
DISS
价值
70
7.0
50
100
150
2.0
单位
V
V
mA
mA
mW
毫瓦/°C的
耦合器
参数
储存温度
工作温度
结温
焊接温度
封装功耗,
ILD615
从25° C减免线性
封装功耗,
ILQ615
从25° C减免线性
绝缘测试电压
爬电距离
净空
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ,T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ,T
AMB
= 100 °C
R
IO
R
IO
T = 1.0秒。
V
ISO
从案例2.0毫米距离
底部
测试条件
符号
T
英镑
T
AMB
T
j
T
SLD
价值
- 55至+ 150
- 55至+ 100
100
260
400
5.33
500
6.67
5300
7.0
7.0
10
12
10
11
单位
°C
°C
°C
°C
mW
毫瓦/°C的
mW
毫瓦/°C的
V
RMS
mm
mm
文档编号83652
修订版1.3 , 19 -APR- 04
www.vishay.com
3
ILD615 / ILQ615
威世半导体
电气特性
日前,Vishay
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息,不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
击穿电压
反向电流
电容
热阻,结到
领导
测试条件
I
F
= 10毫安
I
R
= 10
A
V
R
= 6.0 V
V
R
= 0 V , F = 1.0 MHz的
符号
V
F
V
BR
I
R
C
O
R
thJL
1.0
6.0
典型值。
1.15
30
0.01
25
750
10
最大
1.3
单位
V
V
A
pF
K / W
产量
参数
集电极 - 发射极电容
集电极 - 射极漏泄
当前, -1,-2
集电极 - 射极漏泄
当前,-3,-4
集电极 - 发射极击穿
电压
发射极 - 集电极击穿
电压
热阻,结到
领导
包传输特性
通道/通道CTR比赛
I
F
= 10 mA时, V
CE
= 5.0 V
CTRX /
CTRY
1对1
2比1
测试条件
V
CE
= 5.0 V , F = 1.0 MHz的
V
CE
= 10 V
V
CE
= 10 V
I
CE
- 0.5毫安
I
E
- 0.1毫安
符号
C
CE
I
首席执行官
I
首席执行官
BV
首席执行官
BV
ECO
R
thJL
70
7.0
500
典型值。
6.8
2.0
5.0
50
100
最大
单位
pF
nA
nA
V
V
K / W
耦合器
参数
电容(输入输出)
绝缘电阻
通道间隔离
测试条件
V
IO
= 0 V , F = 1.0 MHz的
V
IO
= 500 V ,T
A
= 25 °C
符号
C
IO
R
S
10
12
500
典型值。
0.8
10
14
最大
单位
pF
VAC
电流传输比
参数
电流传输比
(集电极 - 发射极饱和的)
测试条件
I
F
= 10 mA时, V
CE
= 0.4 V
部分
ILD615-1
ILQ615-1
ILD615-2
ILQ615-2
ILD615-3
ILQ615-3
ILD615-4
ILQ615-4
符号
CTR
CESAT
CTR
CESAT
CTR
CESAT
CTR
CESAT
典型值。
25
40
60
100
最大
单位
%
%
%
%
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4
文档编号83652
修订版1.3 , 19 -APR- 04
日前,Vishay
参数
电流传输比
(集电极 - 发射极)
测试条件
I
F
= 10 mA时, V
CE
= 5.0 V
I
F
= 1.0毫安, V
CE
= 5.0 V
I
F
= 10 mA时, V
CE
= 5.0 V
I
F
= 1.0毫安, V
CE
= 5.0 V
I
F
= 10 mA时, V
CE
= 5.0 V
I
F
= 1.0毫安, V
CE
= 5.0 V
I
F
= 10 mA时, V
CE
= 5.0 V
I
F
= 1.0毫安, V
CE
= 5.0 V
部分
ILD615-1
ILQ615-1
ILD615-2
ILQ615-2
ILD615-3
ILQ615-3
ILD615-4
ILQ615-4
ILD615-1
ILQ615-1
ILD615-2
ILQ615-2
ILD615-3
ILQ615-3
ILD615-4
ILQ615-4
符号
CTR
CE
CTR
CE
CTR
CE
CTR
CE
CTR
CE
CTR
CE
CTR
CE
CTR
CE
ILD615 / ILQ615
威世半导体
40
13
63
22
100
34
160
56
典型值。
60
30
80
45
150
70
200
90
320
200
125
最大
80
单位
%
%
%
%
%
%
%
%
开关不饱和
参数
测试条件
符号
单位
ILD615-1
I
F
mA
10
t
on
s
3.0
当前
开启时间
上升时间
打开-O FF时间
下降时间
传播
H-L
t
PHL
s
1.1
传播
L-H
t
PLH
s
2.5
V
CC
= 5.0 V ,R
L
= 75
,
V型50 %
PP
t
r
s
2.0
t
关闭
s
2.3
t
f
s
2.0
开关饱和
参数
测试条件
符号
单位
ILD615-1
ILQ615-1
ILD615-2
ILQ615-2
ILD615-3
ILQ615-3
ILD615-4
ILQ615-4
I
F
mA
20
10
10
5.0
t
on
s
3.0
4.3
4.3
6.0
当前
开启时间
上升时间
打开-O FF时间
下降时间
传播
H-L
t
PHL
s
1.6
2.6
2.6
5.4
传播
L-H
t
PLH
s
8.6
7.2
7.2
7.4
V
CC
= 5.0 V ,R
L
= 1.0 KΩ ,V
TH
= 1.5 V
t
r
t
关闭
t
f
s
2.0
2.8
2.8
4.6
s
18
25
25
25
s
11
14
14
15
共模瞬态抗扰度
参数
共模抑制输出
共模抑制输出
共模耦合
电容
测试条件
V
CM
= 50 V
P-P
, R
L
= 1.0 k,
I
F
= 0毫安
V
CM
= 50 V
P-P
, R
L
= 1.0 k,
I
F
= 10毫安
符号
CM
H
CM
L
C
CM
典型值。
5000
5000
0.01
最大
单位
V / μs的
V / μs的
pF
文档编号83652
修订版1.3 , 19 -APR- 04
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5
ILD615
四通道
ILQ615
双通道
特点
相同的通道到通道足迹
电流传输比( CTR )范围,在
I
F
= 10毫安
ILD / Q615-1 : 40 - 80 %最小。
ILD / Q615-2 : 63 - 125 %最小。
ILD / Q615-3 : 100 - 200 %最小。
ILD / Q615-4 : 160 - 320 %最小。
在我保证CTR
F
= 1毫安
ILD / Q615-1 : 13 %最小。
ILD / Q615-2 : 22 %最小。
ILD / Q615-3 : 34 %最小。
ILD / Q615-4 : 56 %最小。
高集电极 - 发射极电压BV
首席执行官
=70 V
双核和四包的特点:
- 减少电路板空间
- 更低的引脚和零件计数
- 更好的通道间匹配CTR
- 改进的共模抑制
场效应稳定由三重奏( TR
ansparent
IO
n
S
hield
)
从双塑壳隔离测试电压
包装, 5300 VAC
RMS
UL认证# E52744
VDE # 0884可通过选项1
最大额定值
(每个通道)
辐射源
反向电压................................................ 6 V
正向电流........................................... 60毫安
浪涌电流................................................ .1.5一
功耗...................................... 100毫瓦
25线性降额
°
................... 1.33毫瓦/
°
C
探测器
集电极 - 发射极反向电压.................. 70 V
发射极 - 集电极反向电压.................... 7 V
集电极电流.......................................... 50毫安
集电极电流(T <1毫秒) ......................... 100毫安
功耗...................................... 150毫瓦
25线性降额
°
........................ 2毫瓦/
°
C
存储温度-55 ...................
°
C至+150
°
C
工作温度-55 ...............
°
C至+100
°
C
结温.................................... 100
°
C
焊接温度
(2毫米的距离,从外壳底部) ........... 260
°
C
封装功耗, ILD615 .......... 400毫瓦
25线性降额
°
.................. 5.33毫瓦/
°
C
封装功耗, ILQ615 ......... 500毫瓦
25线性降额
°
................. 6.67毫瓦/
°
C
隔离测试电压( T = 1秒) ........ 5300 VAC
RMS
爬电............................................... 7毫米分钟。
间隙............................................... 7毫米分钟。
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ,T
A
=25
°
C ...............................
10
12
V
IO
= 500 V ,T
A
=100
°
C .............................
10
11
.790 (20.07)
.779 (19.77 )
.045 (1.14)
.030 (.76)
光电晶体管光耦合器
尺寸以英寸(毫米)
4
3
2
1
脚一内径
阳极1
8
7
6
5
集热器
辐射源
集热器
辐射源
.268 (6.81)
.255 (6.48)
5
6
7
8
阴极2
阳极3
.390 (9.91)
.379 (9.63)
.045 (1.14)
.030 (.76)
阴极4
.150 (3.81)
.130 (3.30)
0.305 (典型值) 。
( 7.75 ) (典型值) 。
.135 (3.43)
.115 (2.92)
典型值。
.022 (.56)
.018 (.46)
.040 (1.02)
.030 (.76 )
.100 ( 2.54 ) (典型值) 。
10
°
典型值。
3°–9°
.012 (.30)
.008 (.20)
内径
阳极1
阴极2
阳极3
16收藏家
15发射器
14收藏家
13发射器
12收藏家
11发射器
10收藏家
9发射
.268 (6.81)
.255 (6.48)
阴极4
阳极5
阴极6
阳极7
阴极8
.150 (3.81)
.130 (3.30)
0.305 (典型值) 。
( 7.75 ) (典型值) 。
典型值。
.022 (.56)
.018 (.46)
.040 (1.02)
.030 (.76 )
.100 ( 2.54 ) (典型值) 。
10
°
典型值。
3°–9°
.012 (.30)
.008 (.20)
.135 (3.43)
.115 (2.92)
描述
在ILD / Q615是使用砷化镓多通道光电晶体管的光电耦合器
IRLED发射器和高增益的NPN光电晶体管。这些器件CON-
structed使用过/引线框架光藕和双下成型
保温技术造成的7500伏耐压试验电压
PEAK
和1700工作电压VAC
RMS
.
该分级最小值/最大值。并结合线性CTR特征
三重奏(透明离子盾)科幻ELD-效果处理,使这些器件
非常适用于直流或交流电压检测。消除了光电晶体管
底座的连接提供了附加的电抗噪能力的转录
sients在很多工业控制环境中。
因为保证最高不饱和和饱和开关的
特性,在ILD / Q615可在中速数据I / O直接或
控制系统。该分级最小值/最大值。 CTR特定网络阳离子便于最差
接口的情况下计算两个电平检测和切换应用程序
系统蒸发散。用CMOS逻辑接口被保证的点击率在增强
我的
F
= 1毫安。
参见应用笔记45 , “如何使用光耦归一化曲线。 ”
5–1
的特点,
T
A
=25
°
C
符号
辐射源
正向电压
击穿电压
反向电流
电容
热阻,结领导
探测器
电容
集电极 - 发射极漏电流, -1,-2
集电极 - 发射极漏电流, -3,-4
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 集电极击穿电压
热阻,结领导
包传输特性
通道/通道CTR比赛
ILD/Q615-1
饱和电流传输比
电流传输比
电流传输比
ILD/Q615-2
饱和电流传输比
电流传输比
电流传输比
ILD/Q615-3
饱和电流传输比
电流传输比
电流传输比
ILD/Q615-4
饱和电流传输比
电流传输比
电流传输比
隔离和绝缘
共模抑制,输出高
共模抑制,输出低
共模耦合电容
封装电容
绝缘电阻
通道间隔离
CMH
CML
C
CM
CI -O
R
S
500
0.8
10
14
5000
5000
0.01
V/
s
V/
s
pF
pF
VAC
V
IO
= 0 V , F = 1兆赫
V
IO
= 500 V ,T
A
=25°C
V
CM
=50 V
P-P
, R
L
=1 k
, I
F
= 0毫安
V
CM
=50 V
P-P
, R
L
=1 k
, I
F
= 10毫安
CTR
CESAT
CTR
CE
CTR
CE
160
56
100
200
90
320
%
%
%
I
F
= 10 mA时, V
CE
=0.4 V
I
F
= 10 mA时, V
CE
=5 V
I
F
= 1毫安, V
CE
=5 V
CTR
CESAT
CTR
CE
CTR
CE
100
34
60
150
70
200
%
%
%
I
F
= 10 mA时, V
CE
=0.4 V
I
F
= 10 mA时, V
CE
=5 V
I
F
= 1毫安, V
CE
=5 V
CTR
CESAT
CTR
CE
CTR
CE
63
22
40
80
45
125
%
%
%
I
F
= 10 mA时, V
CE
=0.4 V
I
F
= 10 mA时, V
CE
=5 V
I
F
= 1毫安, V
CE
=5 V
CTR
CESAT
CTR
CE
CTR
CE
40
13
25
60
30
80
%
%
%
I
F
= 10 mA时, V
CE
=0.4 V
I
F
= 10 mA时, V
CE
=5 V
I
F
= 1毫安, V
CE
=5 V
CTRX / CTRY
1对1
2比1
I
F
= 10 mA时, V
CE
=5 V
C
CE
I
首席执行官
I
首席执行官
BV
首席执行官
BV
ECO
R
thJL
70
7
500
6.8
2
5
50
100
pF
nA
nA
V
V
°
C / W
V
CE
= 5 V , F = 1兆赫
V
CE
=10 V
V
CE
=10 V
I
CE
-0.5毫安
I
E
-0.1毫安
V
F
V
BR
I
F
C
O
R
thJL
1
6
1.15
30
0.01
25
750
10
1.3
V
V
A
pF
°
C / W
I
F
= 10毫安
I
R
=10
A
V
R
=6 V
V
R
= 0 V , F = 1兆赫
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
条件
ILD/Q615
5–2
开关时间
图1,非饱和的切换定时
V
CC
=5 V
I
F
= 10毫安
F = 10千赫,
DF=50%
V
O
R
L
=75
参数
t
ON
t
R
t
关闭
t
F
t
PHL
V传播H- L( 50 %
PP
)
t
PHL
传播L-H
典型值。
3.0
2.0
2.3
2.0
1.1
2.5
单位
s
s
s
s
s
s
TEST
条件
R
L
=75
I
F
= 10毫安
V
CC
=5 V
图2.饱和开关时间
F = 10千赫,
DF=50%
V
CC
=5 V
R
L
V
O
参数
-1
I
F
= 20毫安
典型值。
t
ON
t
R
3.0
2.0
18
11
1.6
-1,-3
I
F
= 10毫安
典型值。
4.3
2.8
25
14
2.6
-4
I
F
=5mA
典型值。
6.0
4.6
25
15
5.4
单位
s
s
s
s
s
R
L
=1
V
CC
=5 V
V
TH
=1.5 V
TEST
条件
图3.非饱和的切换定时
I
F
t
关闭
t
F
t
PHL
传播
H-L
t
PLH
传播
L-H
t
PHL
V
0
t
PLH
t
S
50%
8.6
7.2
7.4
s
图5.最大LED电流与环境温度
IF - 最大LED电流 - 毫安
120
100
80
60
40
20
0
--60
-40
TJ ( MAX) = 100℃
t
D
t
R
t
F
图4.饱和开关时间
I
F
TA - 环境温度 -
°C
-20
0
20
40
60
80
100
V
O
t
R
t
D
t
PLH
V
TH
=1.5 V
t
F
t
PHL
t
S
ILD/Q615
5–3
图6. LED的最大功耗
200
图10.最大集电极电流与集电极
电压
1000
P
LED
- LED电源 - 毫瓦
150
冰 - 集电极电流 - 毫安
100
RTH = 500 ° C / W
100
10
50
25°C
50°C
75°C
90°C
1
0
--60
-40
TA - 环境温度 -
°C
-20
0
20
40
60
80
100
.1
.1
1
10
VCE - 集电极 - 发射极电压 - V
100
图7.正向电压与正向电流
1.4
VF - 正向电压 - V
对于图11中归一化因子的非饱和
和饱和CTR牛逼
A
=25
°
如果与
2.0
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
.1
TA = -55°C
CTRNF - 归CTR因子
标准化为:
VCE = 10V , IF = 5毫安,TA = 25℃
1.5
CTRce (SAT)的Vce = 0.4V
NCTRce
1.0
NCTRce (SAT)
0.5
TA = 25°C
0.0
.1
1
10
IF - LED电流 - 毫安
100
TA = 25°C
TA = 85°C
1
10
IF - 正向电流 - 毫安
100
图8. LED峰值电流与脉冲检测,头
10000
占空比
如果( PK) - LED峰值电流 - 毫安
τ
.005
.01
.02
.05
.1
.2
对于图12的规范化因子的非饱和
和饱和CTR牛逼
A
=50
°
如果与
2.0
标准化为:
VCE = 10V , IF = 5毫安,TA = 25℃
1.5
CTRce (SAT)的Vce = 0.4V
NCTRce
1.0
NCTRce (SAT)
0.5
TA = 50℃
0.0
.1
1
10
IF - LED电流 - 毫安
100
1000
t
τ
DF = /吨
100
.5
10
10-6
10 -5
10-4
10 -3
10-2
10 -1
10 0
10 1
吨 - LED脉冲宽度 - S
图9.最大探测功耗
200
P
- 探测器电源 - 毫瓦
DET
对于图13中归一化因子的非饱和
和饱和CTR牛逼
A
=70
°
如果与
2.0
CTRNF - 归CTR因子
CTRNF - 归CTR因子
150
标准化为:
VCE = 10V , IF = 5毫安,TA = 25℃
1.5
CTRce (SAT)的Vce = 0.4V
NCTRce
1.0
100
50
0.5
NCTRce (SAT)
TA = 70℃
0
-60
-40
-20
0
20
40
60
TA - 环境温度 -
°C
80
100
0.0
.1
1
10
100
IF - LED电流 - 毫安
ILD/Q615
5–4
对于图14中归一化因子的非饱和
和饱和CTR牛逼
A
=85
°
如果与
2.0
CTRNF - 归CTR因子
图17. -1传播延迟与集电极负载重
体管
1000
tPLH的 - Propagat离子低 - 高 -
s
4.0
TA = 25 ° C, IF = 10毫安
VCC = 5V , Vth的= 1.5V
100
TPLH
10
的TPH1
1.5
1
.1
1.0
100
3.0
2.5
2.0
3.5
的TPH1 - 传播高低 -
s
标准化为:
VCE = 10V , IF = 5毫安,TA = 25℃
1.5
CTRce (SAT)的Vce = 0.4V
NCTRce
1.0
0.5
NCTRce (SAT)
Ta=100°C
TA = 100℃
0.0
.1
1
10
IF - LED电流 - 毫安
100
1
10
RL - 负载电阻 - kΩ的
图15.集电极 - 发射极电流与温度的关系
与LED电流
35
图18 -2,-3的传播延迟与集电极
负载电阻
1000
tPLH的 - 传播从低到高 -
s
2.5
的TPH1 - 传播从高到低 -
s
冰 - 集电极电流 - 毫安
30
25
20
15
10
5
0
0
10
20
30
40
IF - LED电流 - 毫安
50
60
25°C
85°C
70°C
50°C
TA = 25 ° C, IF = 10毫安
VCC = 5V , Vth的= 1.5V
100
TPLH
2.0
10
的TPH1
1.5
1
.1
1
10
RL - 集电极负载电阻 - KΩ
1.0
100
图16.集电极 - 发射极与漏
温度
ICEO - 集电极发射极 - NA
图19. -4传播延迟与集电极
负载电阻
1000
2.5
TA = 25 ° C, IF = 10毫安
VCC = 5V , Vth的= 1.5V
100
TPLH
2.0
10
1
VCE = 10V
典型
10 0
10 -1
10 -2
-20
10
的TPH1
1
.1
1.5
0
20
40
60
80
100
TA - 环境温度 -
°C
1
10
RL - 集电极负载电阻 - KΩ
1.0
100
的TPH1 - 传播从高到低 -
s
tPLH的 - 传播从低到高 -
s
5
10
4
10
3
10
10 2
ILD/Q615
5–5
日前,Vishay
ILD615 / ILQ615
威世半导体
光电耦合器,光电晶体管输出(双通道,四通道)
特点
相同的通道到通道足迹
双核和四包的特点:
- 减少电路板空间
- 更低的引脚和零件计数
- 更好的通道间匹配CTR
- 改进的共模抑制
从双模压封装隔离测试电压
年龄, 5300 V
RMS
无铅组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
双通道
A 1
C 2
A 3
C 4
8 C
7 E
6 C
5 E
四通道
机构认证
UL1577 ,文件号E52744系统代码H或按J ,
双重保护
CSA 93751
BSI IEC60950 IEC60965
DIN EN 60747-5-2 ( VDE0884 )
DIN EN 60747-5-5待定
可通过选项1
i179052
A
1
C
2
A
C
A
C
A
3
4
5
6
7
16
C
15
E
14
C
13
E
12
C
11
E
10
C
9
E
C
8
描述
在ILD615 / ILQ615是多通道phototransis-
使用砷化镓IRLED发射器和光电耦合器
高增益的NPN光电晶体管。这些设备是
构建使用上/下引线框架光学cou-
耦和双重绝缘成型技术result-
荷兰国际集团的7500伏耐压试验电压
PEAK
AND A
1700 V工作电压
RMS
.
该分级最小值/最大值。和线性特性CTR
使这些器件非常适用于直流或交流电压
检测。消除了光电晶体管基CON-
nection提供额外的电气噪声抗扰度
在很多工业控制中的瞬变envi-
境下。
由于保证最高的非饱和的和
饱和的开关特性,在ILD615 /
ILQ615可以在中等速度数据被用于I / O和
控制系统。该分级最小值/最大值。 CTR specifi-
阳离子便于最坏的情况下接口计算
这两个层面的检测和切换应用程序。之间
用CMOS逻辑面对由瓜拉尼增强
开球CTR在我
F
= 1.0毫安。
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修订版1.3 , 19 -APR- 04
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1
ILD615 / ILQ615
威世半导体
订购信息
部分
ILD615-1
ILD615-2
ILD615-3
ILD615-4
ILQ615-1
ILQ615-2
ILQ615-3
ILQ615-4
ILD615-1X007
ILD615-2X006
ILD615-2X009
ILD615-3X006
ILD615-3X007
ILD615-3X009
ILD615-4X006
ILD615-4X009
ILQ615-1X009
ILQ615-2X007
ILQ615-3X006
ILQ615-3X009
ILQ615-4X007
ILQ615-4X009
备注
点击率40 % - 80% ,双通道, DIP- 8
CTR 63 - 125 % ,双通道, DIP- 8
CTR 100 - 200 % ,双通道, DIP- 8
CTR 160 - 320 % ,双通道, DIP- 8
点击率40 % - 80% ,四通道, DIP- 16
CTR 63 - 125 % ,四通道, DIP- 16
CTR 100 - 200 % ,四通道, DIP- 16
CTR 160 - 320 % ,四通道, DIP- 16
点击率40 % - 80% ,双通道, SMD- 8
(选项7 )
CTR 63 - 125 % ,双通道, DIP- 8 400
密尔(选项6 )
CTR 63 - 125 % ,双通道, SMD- 8
(选件9 )
CTR 100 - 200 % ,双通道, DIP- 8
400密耳(选项6 )
CTR 100 - 200 % ,双通道, SMD- 8
(选项7 )
CTR 100 - 200 % ,双通道, SMD- 8
(选件9 )
CTR 160 - 320 % ,双通道, DIP- 8
400密耳(选项6 )
CTR 160 - 320 % ,双通道, SMD- 8
(选件9 )
点击率40 % - 80% ,四通道, SMD- 16
(选件9 )
CTR 63 - 125 % ,四通道, SMD- 16
(选项7 )
CTR 100 - 200 % ,四通道, DIP- 16
400密耳(选项6 )
CTR 100 - 200 % ,四通道, SMD- 16
(选件9 )
CTR 160 - 320 % ,四通道, SMD- 16
(选项7 )
CTR 160 - 320 % ,四通道, SMD- 16
(选件9 )
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有关可用选项的更多信息,请参阅
选项信息。
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日前,Vishay
绝对最大额定值
ILD615 / ILQ615
威世半导体
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
反向电压
正向电流
浪涌电流
功耗
从25° C减免线性
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
价值
6.0
60
1.5
100
1.33
单位
V
mA
A
mW
毫瓦/°C的
产量
参数
集电极 - 发射极击穿
电压
发射极 - 集电极击穿
电压
集电极电流
吨< 1.0毫秒
功耗
从25° C减免线性
测试条件
符号
BV
首席执行官
BV
ECO
I
C
I
C
P
DISS
价值
70
7.0
50
100
150
2.0
单位
V
V
mA
mA
mW
毫瓦/°C的
耦合器
参数
储存温度
工作温度
结温
焊接温度
封装功耗,
ILD615
从25° C减免线性
封装功耗,
ILQ615
从25° C减免线性
绝缘测试电压
爬电距离
净空
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ,T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ,T
AMB
= 100 °C
R
IO
R
IO
T = 1.0秒。
V
ISO
从案例2.0毫米距离
底部
测试条件
符号
T
英镑
T
AMB
T
j
T
SLD
价值
- 55至+ 150
- 55至+ 100
100
260
400
5.33
500
6.67
5300
7.0
7.0
10
12
10
11
单位
°C
°C
°C
°C
mW
毫瓦/°C的
mW
毫瓦/°C的
V
RMS
mm
mm
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3
ILD615 / ILQ615
威世半导体
电气特性
日前,Vishay
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息,不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
击穿电压
反向电流
电容
热阻,结到
领导
测试条件
I
F
= 10毫安
I
R
= 10
A
V
R
= 6.0 V
V
R
= 0 V , F = 1.0 MHz的
符号
V
F
V
BR
I
R
C
O
R
thJL
1.0
6.0
典型值。
1.15
30
0.01
25
750
10
最大
1.3
单位
V
V
A
pF
K / W
产量
参数
集电极 - 发射极电容
集电极 - 射极漏泄
当前, -1,-2
集电极 - 射极漏泄
当前,-3,-4
集电极 - 发射极击穿
电压
发射极 - 集电极击穿
电压
热阻,结到
领导
包传输特性
通道/通道CTR比赛
I
F
= 10 mA时, V
CE
= 5.0 V
CTRX /
CTRY
1对1
2比1
测试条件
V
CE
= 5.0 V , F = 1.0 MHz的
V
CE
= 10 V
V
CE
= 10 V
I
CE
- 0.5毫安
I
E
- 0.1毫安
符号
C
CE
I
首席执行官
I
首席执行官
BV
首席执行官
BV
ECO
R
thJL
70
7.0
500
典型值。
6.8
2.0
5.0
50
100
最大
单位
pF
nA
nA
V
V
K / W
耦合器
参数
电容(输入输出)
绝缘电阻
通道间隔离
测试条件
V
IO
= 0 V , F = 1.0 MHz的
V
IO
= 500 V ,T
A
= 25 °C
符号
C
IO
R
S
10
12
500
典型值。
0.8
10
14
最大
单位
pF
VAC
电流传输比
参数
电流传输比
(集电极 - 发射极饱和的)
测试条件
I
F
= 10 mA时, V
CE
= 0.4 V
部分
ILD615-1
ILQ615-1
ILD615-2
ILQ615-2
ILD615-3
ILQ615-3
ILD615-4
ILQ615-4
符号
CTR
CESAT
CTR
CESAT
CTR
CESAT
CTR
CESAT
典型值。
25
40
60
100
最大
单位
%
%
%
%
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4
文档编号83652
修订版1.3 , 19 -APR- 04
日前,Vishay
参数
电流传输比
(集电极 - 发射极)
测试条件
I
F
= 10 mA时, V
CE
= 5.0 V
I
F
= 1.0毫安, V
CE
= 5.0 V
I
F
= 10 mA时, V
CE
= 5.0 V
I
F
= 1.0毫安, V
CE
= 5.0 V
I
F
= 10 mA时, V
CE
= 5.0 V
I
F
= 1.0毫安, V
CE
= 5.0 V
I
F
= 10 mA时, V
CE
= 5.0 V
I
F
= 1.0毫安, V
CE
= 5.0 V
部分
ILD615-1
ILQ615-1
ILD615-2
ILQ615-2
ILD615-3
ILQ615-3
ILD615-4
ILQ615-4
ILD615-1
ILQ615-1
ILD615-2
ILQ615-2
ILD615-3
ILQ615-3
ILD615-4
ILQ615-4
符号
CTR
CE
CTR
CE
CTR
CE
CTR
CE
CTR
CE
CTR
CE
CTR
CE
CTR
CE
ILD615 / ILQ615
威世半导体
40
13
63
22
100
34
160
56
典型值。
60
30
80
45
150
70
200
90
320
200
125
最大
80
单位
%
%
%
%
%
%
%
%
开关不饱和
参数
测试条件
符号
单位
ILD615-1
I
F
mA
10
t
on
s
3.0
当前
开启时间
上升时间
打开-O FF时间
下降时间
传播
H-L
t
PHL
s
1.1
传播
L-H
t
PLH
s
2.5
V
CC
= 5.0 V ,R
L
= 75
,
V型50 %
PP
t
r
s
2.0
t
关闭
s
2.3
t
f
s
2.0
开关饱和
参数
测试条件
符号
单位
ILD615-1
ILQ615-1
ILD615-2
ILQ615-2
ILD615-3
ILQ615-3
ILD615-4
ILQ615-4
I
F
mA
20
10
10
5.0
t
on
s
3.0
4.3
4.3
6.0
当前
开启时间
上升时间
打开-O FF时间
下降时间
传播
H-L
t
PHL
s
1.6
2.6
2.6
5.4
传播
L-H
t
PLH
s
8.6
7.2
7.2
7.4
V
CC
= 5.0 V ,R
L
= 1.0 KΩ ,V
TH
= 1.5 V
t
r
t
关闭
t
f
s
2.0
2.8
2.8
4.6
s
18
25
25
25
s
11
14
14
15
共模瞬态抗扰度
参数
共模抑制输出
共模抑制输出
共模耦合
电容
测试条件
V
CM
= 50 V
P-P
, R
L
= 1.0 k,
I
F
= 0毫安
V
CM
= 50 V
P-P
, R
L
= 1.0 k,
I
F
= 10毫安
符号
CM
H
CM
L
C
CM
典型值。
5000
5000
0.01
最大
单位
V / μs的
V / μs的
pF
文档编号83652
修订版1.3 , 19 -APR- 04
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数量
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