ILD615
四通道
ILQ615
双通道
特点
相同的通道到通道足迹
电流传输比( CTR )范围,在
I
F
= 10毫安
ILD / Q615-1 : 40 - 80 %最小。
ILD / Q615-2 : 63 - 125 %最小。
ILD / Q615-3 : 100 - 200 %最小。
ILD / Q615-4 : 160 - 320 %最小。
在我保证CTR
F
= 1毫安
ILD / Q615-1 : 13 %最小。
ILD / Q615-2 : 22 %最小。
ILD / Q615-3 : 34 %最小。
ILD / Q615-4 : 56 %最小。
高集电极 - 发射极电压BV
首席执行官
=70 V
双核和四包的特点:
- 减少电路板空间
- 更低的引脚和零件计数
- 更好的通道间匹配CTR
- 改进的共模抑制
场效应稳定由三重奏( TR
ansparent
IO
n
S
hield
)
从双塑壳隔离测试电压
包装, 5300 VAC
RMS
UL认证# E52744
VDE # 0884可通过选项1
最大额定值
(每个通道)
辐射源
反向电压................................................ 6 V
正向电流........................................... 60毫安
浪涌电流................................................ .1.5一
功耗...................................... 100毫瓦
25线性降额
°
................... 1.33毫瓦/
°
C
探测器
集电极 - 发射极反向电压.................. 70 V
发射极 - 集电极反向电压.................... 7 V
集电极电流.......................................... 50毫安
集电极电流(T <1毫秒) ......................... 100毫安
功耗...................................... 150毫瓦
25线性降额
°
........................ 2毫瓦/
°
C
包
存储温度-55 ...................
°
C至+150
°
C
工作温度-55 ...............
°
C至+100
°
C
结温.................................... 100
°
C
焊接温度
(2毫米的距离,从外壳底部) ........... 260
°
C
封装功耗, ILD615 .......... 400毫瓦
25线性降额
°
.................. 5.33毫瓦/
°
C
封装功耗, ILQ615 ......... 500毫瓦
25线性降额
°
................. 6.67毫瓦/
°
C
隔离测试电压( T = 1秒) ........ 5300 VAC
RMS
爬电............................................... 7毫米分钟。
间隙............................................... 7毫米分钟。
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ,T
A
=25
°
C ...............................
≥
10
12
V
IO
= 500 V ,T
A
=100
°
C .............................
≥
10
11
.790 (20.07)
.779 (19.77 )
.045 (1.14)
.030 (.76)
光电晶体管光耦合器
尺寸以英寸(毫米)
4
3
2
1
脚一内径
阳极1
8
7
6
5
集热器
辐射源
集热器
辐射源
.268 (6.81)
.255 (6.48)
5
6
7
8
阴极2
阳极3
.390 (9.91)
.379 (9.63)
.045 (1.14)
.030 (.76)
阴极4
.150 (3.81)
.130 (3.30)
0.305 (典型值) 。
( 7.75 ) (典型值) 。
.135 (3.43)
.115 (2.92)
4°
典型值。
.022 (.56)
.018 (.46)
.040 (1.02)
.030 (.76 )
.100 ( 2.54 ) (典型值) 。
10
°
典型值。
3°–9°
.012 (.30)
.008 (.20)
针
一
内径
阳极1
阴极2
阳极3
16收藏家
15发射器
14收藏家
13发射器
12收藏家
11发射器
10收藏家
9发射
.268 (6.81)
.255 (6.48)
阴极4
阳极5
阴极6
阳极7
阴极8
.150 (3.81)
.130 (3.30)
0.305 (典型值) 。
( 7.75 ) (典型值) 。
4°
典型值。
.022 (.56)
.018 (.46)
.040 (1.02)
.030 (.76 )
.100 ( 2.54 ) (典型值) 。
10
°
典型值。
3°–9°
.012 (.30)
.008 (.20)
.135 (3.43)
.115 (2.92)
描述
在ILD / Q615是使用砷化镓多通道光电晶体管的光电耦合器
IRLED发射器和高增益的NPN光电晶体管。这些器件CON-
structed使用过/引线框架光藕和双下成型
保温技术造成的7500伏耐压试验电压
PEAK
和1700工作电压VAC
RMS
.
该分级最小值/最大值。并结合线性CTR特征
三重奏(透明离子盾)科幻ELD-效果处理,使这些器件
非常适用于直流或交流电压检测。消除了光电晶体管
底座的连接提供了附加的电抗噪能力的转录
sients在很多工业控制环境中。
因为保证最高不饱和和饱和开关的
特性,在ILD / Q615可在中速数据I / O直接或
控制系统。该分级最小值/最大值。 CTR特定网络阳离子便于最差
接口的情况下计算两个电平检测和切换应用程序
系统蒸发散。用CMOS逻辑接口被保证的点击率在增强
我的
F
= 1毫安。
参见应用笔记45 , “如何使用光耦归一化曲线。 ”
5–1