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PD - 96083A
IRF7831UPbF
HEXFET
功率MOSFET
应用
l
高频负载点的
同步降压转换器
在网络应用&
计算系统。
好处
l
非常低R
DS ( ON)
在4.5V V
GS
l
超低栅极阻抗
l
充分界定雪崩电压
和电流
l
100%测试的R
G
l
LEAD -FREE
V
DSS
R
DS ( ON)
最大
30V 3.6米@V
GS
= 10V
:
QG (典型值)。
40nC
S
S
S
G
1
2
3
4
8
7
A
A
D
D
D
D
6
5
顶视图
SO-8
绝对最大额定值
参数
V
DS
V
GS
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
A
= 70°C
T
J
T
英镑
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏电流, V
GS
@ 10V
连续漏电流, V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
马克斯。
30
± 12
21
17
170
2.5
1.6
0.02
-55到+ 150
单位
V
f
功耗
f
功耗
c
A
W
W / ℃,
°C
线性降额因子
工作结
存储温度范围
热阻
参数
R
θJL
R
θJA
结到漏极引线
结到环境
典型值。
–––
–––
马克斯。
20
50
单位
° C / W
f
笔记
通过
在第10页
www.irf.com
09/19/06
1
IRF7831UPbF
静态@ T
J
= 25 ℃(除非另有规定)
参数
BV
DSS
ΒV
DSS
/T
J
R
DS ( ON)
V
GS ( TH)
V
GS ( TH)
I
DSS
I
GSS
政府飞行服务队
Q
g
Q
gs1
Q
gs2
Q
gd
Q
godr
Q
sw
Q
OSS
R
G
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
栅极阈值电压系数
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
正向跨导
总栅极电荷
预Vth的栅极 - 源极充电
后Vth的栅极至源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电荷过载
切换电荷(Q
gs2
+ Q
gd
)
输出充电
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
分钟。典型值。马克斯。单位
30
–––
2.5
3.0
1.35
–––
–––
–––
–––
–––
97
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
0.025
3.1
3.7
–––
- 5.7
–––
–––
–––
–––
–––
40
12
3.1
11
14
14
22
1.4
18
10
17
5.3
6240
980
390
–––
–––
3.6
4.4
2.35
–––
1.0
150
100
-100
–––
60
–––
–––
–––
–––
–––
–––
2.5
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
pF
V
GS
= 0V
V
DS
= 15V
ns
nC
nC
V
DS
= 15V
V
GS
= 4.5V
I
D
= 16A
S
nA
V
毫伏/°C的
A
V
m
条件
V
GS
= 0V时,我
D
= 250A
V
GS
= 10V ,我
D
= 20A
V
GS
= 4.5V ,我
D
V / ℃参考至25℃ ,我
D
= 1毫安
e
= 16A
e
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V ,T
J
= 125°C
V
GS
= 12V
V
GS
= -12V
V
DS
= 15V ,我
D
= 16A
参照图16
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V
V
DD
= 15V, V
GS
= 4.5V
I
D
= 16A
钳位感性负载
e
= 1.0MHz的
雪崩特性
E
AS
I
AR
参数
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
d
典型值。
–––
–––
马克斯。
100
16
单位
mJ
A
二极管的特性
参数
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
连续源电流
(体二极管)
脉冲源电流
(体二极管)
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
42
31
2.5
A
170
1.2
62
47
V
ns
nC
条件
MOSFET符号
展示
整体反转
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C,I
S
= 16A ,V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C,I
F
= 16A ,V
DD
= 25V
的di / dt = 100A / μs的
e
e
固有的导通时间是可以忽略的(导通用L为主
S
+L
D
)
2
www.irf.com
IRF7831UPbF
1000
VGS
10V
5.0V
4.5V
3.5V
3.0V
2.7V
2.5V
BOTTOM 2.25V
顶部
1000
ID ,漏极 - 源极电流(A )
ID ,漏极 - 源极电流(A )
100
100
10
VGS
10V
5.0V
4.5V
3.5V
3.0V
2.7V
2.5V
BOTTOM 2.25V
顶部
10
1
2.25V
1
0.1
0.01
0.1
1
20μs的脉冲宽度
2.25V TJ = 25°C
0.1
10
100
0.1
1
20μs的脉冲宽度
TJ = 150℃
10
100
VDS ,漏极至源极电压( V)
VDS ,漏极至源极电压( V)
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
1000.0
2.0
100.0
RDS ( ON)时,漏 - 源极导通电阻
(归一化)
ID ,漏 - 源电流
(Α)
ID = 20A
VGS = 10V
1.5
T J = 150℃
10.0
1.0
1.0
T J = 25°C
VDS = 15V
20μs的脉冲宽度
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0.1
0.5
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
VGS ,栅 - 源极电压( V)
T J ,结温( ° C)
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
www.irf.com
3
IRF7831UPbF
100000
VGS ,栅 - 源极电压( V)
VGS = 0V,
F = 1 MHz的
ISS = C GS + Cgd的,C DS短路
RSS = C GD
OSS = C DS + Cgd的
12
ID = 12A
10
8
6
4
2
0
VDS = 24V
VDS = 15V
C,电容(pF )
10000
西塞
1000
科斯
CRSS
100
1
10
100
0
20
40
60
80
100
VDS ,漏极至源极电压( V)
QG总栅极电荷( NC)
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
1000.0
1000
在这一领域
限于由R DS ( ON)
100.0
T J = 150℃
10.0
ID ,漏极 - 源极电流(A )
ISD ,反向漏电流( A)
100
100sec
10
1msec
TC = 25°C
TJ = 150℃
单脉冲
0.1
1.0
10.0
1.0
T J = 25°C
VGS = 0V
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
VSD ,源toDrain电压( V)
1
10msec
100.0
1000.0
VDS ,漏toSource电压(V )
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
www.irf.com
IRF7831UPbF
24
2.4
VGS ( TH)栅极阈值电压( V)
20
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
ID ,漏电流( A)
16
ID = 250μA
12
8
4
0
25
50
75
100
125
150
-75
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T J ,结温( ° C)
T J ,温度(° C)
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
图10 。
阈值电压与温度的关系
100
热响应(Z thJA )
10
D = 0.50
0.20
0.10
0.05
1
0.02
0.01
τ
J
τ
J
τ
1
R
1
R
1
τ
2
R
2
R
2
R
3
R
3
τ
3
R
4
R
4
τ
4
R
5
R
5
τ
C
τ
5
RI( ° C / W)
τi
(秒)
0.1
τ
1
τ
2
τ
3
τ
4
τ
5
0.01
CI-
τi /日
C
0.514
2.445
20.64
17.80
8.604
0.000182
0.030949
0.36354
6.99
109
单脉冲
(热反应)
注意事项:
1.占空比D = T1 / T2
2.峰值TJ = P DM X Zthja +锝
0.1
1
10
100
0.001
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
T1 ,矩形脉冲持续时间(秒)
图11 。
最大有效瞬态热阻抗,结到环境
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    -
    -
    -
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联系人:刘经理
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IR
17+
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电话:13910052844(微信同步)
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