【IL755B双向输入达林顿光耦特点非常高的电流传输比（ 500 ％以上）。IL755B -1：在75】,IC型号IL755B-2,IL755B-2 PDF资料,IL755B-2经销商,ic,电子元器件-51电子网

IL755B

双向输入

达林顿光耦

特点

非常高的电流传输比（ 500 ％以上）。

IL755B -1：在750 ％

2.0毫安，

=5.0 V

IL755B - 2 ： 1000 ％的

= 1.0毫安，

=5.0 V

= BV

首席执行官

>60 V

隔离测试电压， 5300 V

RMS

AC或无极性输入

无底座连接

高绝缘电阻， 10

低耦合电容

标准塑料DIP封装

美国保险商实验室认证＃ E52744

VDE ＃ 0884可通过选项1

D E

尺寸以英寸（毫米）

.248 (6.30)

.256 (6.50)

引脚1号

阳极/

阴极1

阴极/ 2

阳极

NC 3

.335 (8.50)

.343 (8.70)

.039

(1.00)

分钟。

4°

典型值。

.018 (0.45)

.022 (0.55)

.048 (0.45)

.022 (0.55)

.130 (3.30)

.150 (3.81)

18°

.031 （ 0.80 ）分。 3 ° -9 °

.031 (0.80)

.035 (0.90)

.100 （ 2.54 ）（典型值）。

.010 (.25)

典型值。

.300–.347

(7.62–8.81)

.114 (2.90)

.130 (3.0)

.300 (7.62)

典型值。

5收藏家

4发射器

描述

该IL755B是双向输入，光学cou-

PLED隔离器由两个砷化镓

红外发射器和硅光电复合

传感器。

最大额定值

（25

发射器（驱动电路）

连续正向电流......................... 60毫安

25功耗

.......................... 100毫瓦

从55线性降额

.................... 1.33毫瓦/

探测器

集电极 - 发射极击穿电压.............. 60 V

发射极 - 集电极击穿电压............... 12 V

25功耗

C环境........... 200毫瓦

25线性降额

...................... 2.6毫瓦/

包

绝缘测试电压

（ PK ），T = 1.0秒。 .................................... 5300 V

RMS

功耗在25

..................................... 250毫瓦

25线性降额

...................... 3.3毫瓦/

爬电................................................. 。

≥

7.0 mm

通关................................................. 。

≥

7.0 mm

绝缘电阻

=25

≥

=100

≥

存储温度-55 ....................

C至+150

工作温度-55 ................

C至+100

铅焊接时间在260

.................... 10秒。

电气特性

=25

符号。

辐射源

正向电压

(1)

探测器

击穿电压，

集电极 - 发射极

漏电流，

集电极 - 发射极

包

电流传输比

IL755B-1

IL755B-2

饱和电压，

集电极 - 发射极

开启时间

打开-O FF时间

注意事项：

1.表示JEDEC注册的数据。

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

条件

—

1.25

1.5

= 10毫安

首席执行官

—

1.0

—

100

= 1.0毫安

=10 V

首席执行官

CTR

750

1000

—

=5.0 V

2.0毫安

1.0毫安

= 10毫安

10毫安

=10 V

2.0毫安

=100

CESAT

关闭

—

1.0

200

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2–157

3月2日， 2000-09

图1. LED正向电流与正向电压

IF - LED正向电流 - 毫安

85°C

25°C

–55°C

-20

-40

-60

-1.5

-1.0

-0.5

0.0

0.5

1.0

1.5

图5.归一化不饱和和饱和

集电极 - 发射极电流与LED电流

尼斯 - 归一冰

.01

.001

标准化为：

TA = 25°C

IF = 10毫安

VCE = 5 V

VCE = 1V

VF - LED的正向电压 - V

IF - LED电流 - 毫安

100

图2归一化不饱和和饱和

CTR

与LED电流

4.0

NCTRce - 归CTRce

3.5

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

0.0

IF - LED电流 - 毫安

100

VCE = 1V

VCE = 5 V

标准化为：

TA = 25°C

VCE = 5 V

IF = 1毫安

图6.从低到高传播延迟与

集电极负载电阻和LED电流

PLH

- 低/高传播

延迟 -

100

- LED电流 - 毫安

220

470

= 25 ° C，V

= 5 V

VTH = 1.5 V

图3归一化不饱和和饱和

CTR

与LED电流

NCTRce - 归CTRce

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

0.0

- LED电流 - 毫安

100

标准化为：

= 25°C

= 5 V

= 2毫安

= 5 V

图7.高到低传输延迟与

集电极负载电阻和LED电流

的TPH1 - 高/低传播

延迟 - 微秒

IF - LED电流 - 毫安

100

TA = 25°C

VCC = 5 V

VTH = 1.5 V

= 1 V

图4.归一化的非饱和的和

饱和我

与LED电流

100

尼斯 - 归一冰

.01

- LED电流 - 毫安

100

标准化为：

= 25°C

= 5 V

= 2毫安

= 5 V

= 1 V

图8.开关波形

图9.不归

饱和与饱和

CTRce与LED电流

F = 10千赫，

DF=50%

=10 V

PLH

IF = 2毫安

PHL

=1.5 V

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