【PD - 9.1262DIRF7603HEXFET功率MOSFETlllllll第五代技术超低导通电】,IC型号IRF7603,IRF7603 PDF资料,IRF7603经销商,ic,电子元器件-51电子网

PD - 9.1262D

IRF7603

HEXFET

功率MOSFET

l

第五代技术

超低导通电阻

N沟道MOSFET

超小型SOIC封装

薄型（ <1.1毫米）

可在磁带卷&

快速开关

S

G

1

2

8

7

A

D

V

DSS

= 30V

3

4

6

5

R

DS （ ON）

= 0.035

描述

国际整流器第五代HEXFETs

利用先进的加工技术，以实现

极低的导通电阻每硅片面积。这样做的好处，

结合快速开关速度和加固

设备的设计，HEXFET功率MOSFET是很好

众所周知，为设计者提供了一个非常有效的

和可靠的装置，用于在各种各样的应用中使用。

新Micro8封装，具有的一半的空间面积

标准的SO- 8 ，提供了最小的占地面积提供

采用SOIC轮廓。这使得Micro8的理想设备

应用印刷电路板空间受限的

溢价。该Micro8的低调（ <1.1毫米）将允许

它能够轻松地融入极薄的应用环境

例如便携式电子设备和PCMCIA卡。

T O服务P V IE W

Micro8

绝对最大额定值

参数

I

D

@ T

A

= 25°C

I

D

@ T

A

= 70°C

I

DM

P

D

@T

A

= 25°C

V

GS

dv / dt的

T

J,

T

英镑

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流， V

GS

@ 10V

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

峰值二极管恢复的dv / dt

结温和存储温度范围

马克斯。

5.6

4.5

30

1.8

14

± 20

5.0

-55到+ 150

单位

A

W

毫瓦/°C的

V

V / ns的

°C

热阻

参数

R

θJA

最大结点到环境？

典型值。

–––

马克斯。

70

单位

° C / W

所有Micro8数据表反映改善热阻，功率和电流-Handling Ratings-有效

只为产品标有日期代码505或更高版本。

8/25/97

IRF7603

电气特性@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） DSS

/T

J

参数

漏极至源极击穿电压

击穿电压温度。系数

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

正向跨导

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

g

fs

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

分钟。

30

–––

1.0

4.3

–––

典型值。

–––

0.029

–––

18

2.4

5.6

5.7

28

18

12

520

200

80

MAX 。单位

条件

–––

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

--- V / ° C参考到25° C，I

D

= 1毫安

0.035

V

GS

= 10V ，我

D

= 3.7A

0.060

V

GS

= 4.5V ，我

D

= 1.9A

–––

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250A

–––

S

V

DS

= 10V ，我

D

= 1.9A

1.0

V

DS

= 24V, V

GS

= 0V

A

25

V

DS

= 24V, V

GS

= 0V ，T

J

= 125°C

-100

V

GS

= -20V

nA

100

V

GS

= 20V

27

I

D

= 3.7A

3.6

nC

V

DS

= 24V

8.4

V

GS

= 10V ，参照图6,9

–––

V

DD

= 15V

–––

I

D

= 3.7A

ns

–––

R

G

= 6.2

–––

R

D

= 4.0Ω ，参照图10

–––

V

GS

= 0V

–––

pF

V

DS

= 25V

–––

= 1.0MHz的，见图。五

源极 - 漏极额定值和特性

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向RecoveryCharge

分钟。典型值。马克斯。单位

–––

53

87

1.8

A

30

1.2

80

130

V

ns

nC

条件

MOSFET符号

展示

整体反转

p-n结二极管。

T

J

= 25 ° C，I

S

= 3.7A ，V

GS

= 0V

T

J

= 25 ° C，I

F

= 3.7A

的di / dt = 100A / μs的

D

G

S

注意事项：

重复评价;脉冲宽度有限的

最大。结温。（参见图11）

脉冲宽度

≤

300μS ;占空比

≤

2%.

I

SD

≤

3.7A ， di / dt的

≤

130A / μs的，V

DD

≤

V

（ BR ） DSS

,

T

J

≤

150°C

表面安装在FR- 4电路板，T

≤

10sec.

IRF7603

100

VGS

15V

10V

7.0V

5.5V

4.5V

4.0V

3.5V

BOTT OM 3.0V

顶部

100

I D ，德拉在对-S ü RCE铜④此T（A ）

10

I D ，德拉在对-S ü RCE铜④此T（A ）

VGS

15V

10V

7.0V

5.5V

4.5V

4.0V

3.5V

BOTT OM 3.0V

顶部

10

3.0 V

1

3 .0V

0.1

1

20微秒P ü LSE W ID

T

J

= 25 °C

A

10

0.1

1

20微秒P ü LSE W ID

T

J

= 15 0°C

A

10

V·D S，D雨来-S环境允许的V oltage （ V）

V·D S，D雨来-S环境允许的电压（V ）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

100

2.0

T

J

= 2 5 °C

10

R

S（O N）

，D RA在-to -S ü RC ê n个R é SI站 CE

（N RM一个李泽四）

I

D

= 3.7A

I

D

，，D R AIN-到-S ourc式C urre NT （A ）

1.5

T

J

= 1 5 0 °C

1.0

1

0.5

0.1

3.0

3.5

4.0

V

S

= 1 0 V

2 0 μ s PU L SE W ID TH

4.5

5.0

5.5

A

0.0

-60

-40

-20

0

20

40

60

80

V

的s

= 10 V

100 120 140 160

A

V

的s

，尕德对S 0 urce V oltage （ V）

T

J

，结牛逼emperature （ ° C）

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

IRF7603

1000

20

800

C，C的P是C ITA N c个E（ P F）

C

国际空间站

600

C

SS

V

的s

，G一德以诚-S ü RC è V LTA克E（ V）

V

GS

C

为s

C

RS s

C

OS s

=

0V ,

F = 1MH

C

gs

+ C

克

, C

ds

SH或TED

C

gd

C

ds

+ C

gd

I

D

= 3.7 A

V

DS

= 24V

V

DS

= 15V

16

12

400

8

C

RSS

200

4

0

1

10

100

A

0

4

8

12

FO 试验C IRC IT ü

SEE图UR ê 9

16

20

24

28

A

V

S

，漏 - 源V oltage （ V）

Q

G

，T otal摹吃费（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

100

I

S.D。

在C R é é V RSE RA ④此T（A ）

PER ATIO N的牛逼HIS AR EA LIMITE

由R

DS （ ON）

10

I

D

，D RA C语言④此T（A ）

10

T

J

= 1 50 °C

100 s

1米s

T

J

= 25 °C

1

10米每秒

0.1

0.4

0.8

1.2

1.6

V

的s

= 0 V

2.0

A

2.4

0.1

T

A

= 25 °C

T

J

= 15 0°C

■在GLE浦LSE

1

10

A

100

V

S.D。

，源到-D-雨V oltage （V）的

V

S

，D-雨到-S环境允许的电压（V）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

IRF7603

Q

G

V

DS

V

GS

R

G

R

D

10V

Q

GS

V

G

Q

GD

D.U.T.

+

-

V

DD

10V

收费

脉冲宽度

≤ 1

s

占空比

≤ 0.1 %

图9A 。

基本栅极电荷波形

电流调节器

同类型D.U.T.

图10A 。

开关时间测试电路

V

DS

50K

12V

.2F

.3F

90%

D.U.T.

V

GS

3mA

+

V

-

DS

10%

V

GS

t

D（上）

I

G

I

D

t

r

t

D（关闭）

t

f

电流采样电阻器

图9b所示。

栅极电荷测试电路

100

图10B 。

开关时间波形

D = 0.50

热响应（Z

thJA

)

0.20

10

0.10

0.05

0.02

1

0.01

P

DM

t

1

t

2

单脉冲

（热反应）

注意事项：

1.负载因数D = T

1

/ t

2

2.峰值牛逼

J

= P

DM

X Z

thJA

+ T

A

0.01

0.1

1

10

100

0.1

0.00001

0.0001

0.001

t

1

，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结到环境