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PD - 95349C
IRF7494PbF
HEXFET
功率MOSFET
应用
l
高频DC- DC转换器
l
LEAD -FREE
V
DSS
150V
R
DS （ ON）
最大
44m
@V
GS
= 10V
I
D
5.1A
好处
l
低栅极到漏极电荷降低
开关损耗
l
充分界定电容含
有效的C
OSS
为简化设计， （见
应用程序。注AN1001 ）
l
充分界定雪崩电压
和电流
S
S
S
G
1
2
3
4
8
7
A
A
D
D
D
D
6
5
顶视图
SO-8
绝对最大额定值
参数
V
DS
V
GS
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
dv / dt的
T
J
T
英镑
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
最大功率耗散
线性降额因子
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
马克斯。
150
± 20
5.1
4.0
40
2.5
0.02
33
-55到+ 150
单位
V
c
A
W
W / ℃，
V / ns的
°C
h
存储温度范围
热阻
参数
R
θJL
R
θJA
结到漏极引线
结到环境（印刷电路板安装）
i
典型值。
马克斯。
20
50
单位
° C / W
e
–––
–––
笔记
通过
是第8页
www.irf.com
1
10/15/09
IRF7494PbF
静态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
分钟。典型值。马克斯。单位
150
–––
–––
2.5
–––
–––
–––
–––
–––
0.13
35
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
44
4.0
10
250
100
-100
nA
V
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V / ℃参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
毫欧V
GS
= 10V ，我
D
= 3.1A
V
A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
DS
= 120V, V
GS
= 0V
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
f
V
DS
= 120V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
动态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
政府飞行服务队
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
正向跨导
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
输出电容
有效输出电容
参数
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
分钟。典型值。马克斯。单位
12
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
35
6.4
13
9
10
29
14
1783
222
104
886
121
189
–––
53
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
–––
pF
ns
S
nC
条件
V
DS
= 50V ，我
D
= 5.1A
I
D
= 3.1A
V
DS
= 75V
V
GS
= 10V
V
DD
= 75V
I
D
= 3.1A
R
G
= 6.8
V
GS
= 10V
V
GS
= 0V
f
f
V
DS
= 25V
= 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V ， = 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 120V ， = 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至120V
g
雪崩特性
E
AS
I
AR
d
马克斯。
262
3.1
单位
mJ
A
二极管的特性
参数
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
45
93
2.3
A
40
1.3
–––
–––
V
ns
nC
条件
MOSFET符号
展示
整体反转
G
S
D
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= 3.1A ，V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C，I
F
= 3.1A ，V
DD
= 25V
的di / dt = 100A / μs的
f
f
2
www.irf.com
IRF7494PbF
100
顶部
VGS
15.0V
10.0V
8.00V
5.50V
5.00V
4.75V
4.50V
4.25V
100
顶部
VGS
15.0V
10.0V
8.00V
5.50V
5.00V
4.75V
4.50V
4.25V
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
10
底部
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
10
底部
1
4.25V
1
0.1
4.25V
≤60s
脉冲宽度TJ = 25℃
0.01
0.1
1
10
100
V DS ，漏极至源极电压（ V）
0.1
0.1
≤60s
脉冲宽度TJ = 150℃
1
10
100
V DS ，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
VDS = 50V
≤60s
脉冲宽度
10
T J = 150℃
T J = 25°C
RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻
（归一化）
100
2.5
ID = 5.1A
2.0
VGS = 10V
1.5
1
1.0
0.1
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
0.5
-60 -40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140 160
T J ，结温（ ° C）
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
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3
IRF7494PbF
100000
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
ISS = C GS + C GD ，C DS短路
RSS = C GD
OSS = C DS + C GD
14.0
ID = 3.1A
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
12.0
10.0
8.0
6.0
4.0
2.0
0.0
10000
C，电容（pF ）
VDS = 120V
VDS = 75V
VDS = 30V
西塞
1000
科斯
100
CRSS
10
1
10
100
1000
VDS ，漏极至源极电压（ V）
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
QG ，总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
100
1000
在这一领域
限于由R DS （ ON）
ISD ，反向漏电流（ A）
10
T J = 150℃
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
10
100sec
1
T J = 25°C
1msec
1
T A = 25°C
10msec
VGS = 0V
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
VSD ，源极到漏极电压（V ）
TJ = 150℃
单脉冲
0.1
0
1
10
100
1000
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
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IRF7494PbF
6
V
DS
R
D
5
ID ，漏电流（ A）
V
GS
R
G
10V
脉冲宽度
≤ 1
s
占空比
≤ 0.1 %
D.U.T.
+
4
3
2
-
V
DD
图10A 。
开关时间测试电路
1
0
25
50
75
100
125
150
10%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DS
90%
T A ，环境温度（ ° C）
图9 。
最大漏极电流比。
环境温度
图10B 。
开关时间波形
100
热响应（Z thJA ）° C / W
10
1
0.1
0.01
0.001
D = 0.50
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
单脉冲
（热反应）
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
注意事项：
1.占空比D = T1 / T2
2.峰值TJ = P DM X Zthja +钽
1
10
100
0.0001
1E-006
T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）
图11 。
最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
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IP317AHVR
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IC62LV12816LL-55T
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ir
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