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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第69页 > IRF7463PBF
PD - 95248
开关电源MOSFET
应用
l
高频DC-DC隔离
转换器的同步整流
对于电信和工业应用
l
l
IRF7463PbF
HEXFET
功率MOSFET
V
DSS
30V
R
DS （ ON）
最大
8m
I
D
14A
高频降压转换器的
计算机处理器电源
LEAD -FREE
超低栅极阻抗
非常低R
DS （ ON）
在4.5V V
GS
充分界定雪崩电压
和电流
好处
l
l
l
S
S
S
G
1
2
3
4
8
7
A
A
D
D
D
D
6
5
顶视图
SO-8
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
A
= 70°C
T
J
, T
英镑
参数
漏源电压
栅极 - 源极电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
最大功率耗散
最大功率耗散
线性降额因子
结温和存储温度范围
马克斯。
30
± 12
14
11
110
2.5
1.6
0.02
-55到+ 150
单位
V
V
A
W
W
毫瓦/°C的
°C
热阻
符号
R
θJL
R
θJA
参数
结到漏极引线
结到环境
典型值。
–––
–––
马克斯。
20
50
单位
° C / W
笔记
通过
是第8页
www.irf.com
1
10/12/04
静态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
V
（ BR ） DSS
漏极至源极击穿电压
V
（ BR ） DSS
/T
J
击穿电压温度。系数
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
分钟。
30
–––
–––
静态漏 - 源极导通电阻---
–––
栅极阈值电压
0.6
–––
漏极至源极漏电流
–––
栅 - 源正向漏
–––
栅 - 源反向漏
–––
典型值。
–––
0.029
6.0
7.0
10.5
–––
–––
–––
–––
–––
MAX 。单位
––– V
--- V /°C的
8.0
m
9.5
20
2.0
V
20
A
100
200
nA
-200
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
V
GS
= 10V ，我
D
= 14A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 11A
V
GS
= 2.7V ，我
D
= 7.0A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
V
GS
= 12V
V
GS
= -12V
IRF7463PbF
动态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
符号
g
fs
Q
g
Q
gs
Q
gd
Q
OSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
正向跨导
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
输出栅极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
41
––– –––
S
V
DS
= 24V ，我
D
= 11A
–––
34
51
I
D
= 11A
–––
7.6 11.4
NC V
DS
= 15V
–––
12
18
V
GS
= 4.5V
–––
21
32
V
GS
= 0V, V
DS
= 15V
–––
16 –––
V
DD
= 15V
––– 138 –––
I
D
= 11A
ns
–––
28 –––
R
G
= 1.8
–––
6.5 –––
V
GS
= 4.5V
––– 3150 –––
V
GS
= 0V
––– 1070 –––
V
DS
= 15V
––– 180 –––
pF
= 1.0MHz的
雪崩特性
符号
E
AS
I
AR
参数
单脉冲雪崩能量？
雪崩电流？
典型值。
–––
–––
马克斯。
320
14
单位
mJ
A
二极管的特性
符号
I
S
I
SM
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向
反向
反向
反向
恢复
恢复
恢复
恢复
时间
收费
时间
收费
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
2.3
A
110
1.3
–––
70
100
75
120
V
ns
nC
ns
nC
V
SD
t
rr
Q
rr
t
rr
Q
rr
––– 0.52
––– 0.44
––– 45
––– 65
––– 50
––– 80
条件
D
MOSFET符号
展示
G
整体反转
S
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= 11A ，V
GS
= 0V
T
J
≤ 125 ° C，I
S
= 11A ，V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C，I
F
= 11A ，V
R
=15V
的di / dt = 100A / μs的
T
J
≤ 125 ° C，I
F
= 11A ，V
R
=15V
的di / dt = 100A / μs的
2
www.irf.com
IRF7463PbF
1000
VGS
15V
10V
4.5V
3.5V
3.0V
2.7V
2.5V
BOTTOM 2.0V
顶部
1000
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
100
10
1
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
100
VGS
15V
10V
4.5V
3.5V
3.0V
2.7V
2.5V
BOTTOM 2.0V
顶部
10
2.0V
0.1
2.0V
1
0.1
0.01
0.1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 25
°
C
1
10
100
20μs的脉冲宽度
T
J
= 150
°
C
1
10
100
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
1000.00
2.0
100.00
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
I
D
= 14A
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
T J = 150℃
1.5
10.00
1.0
1.00
T J = 25°C
VDS = 15V
20μs的脉冲宽度
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
0.5
0.10
0.0
-60 -40 -20
V
GS
= 10V
0
20
40
60
80 100 120 140 160
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
T
J
，结温（
°
C)
图3 。
典型的传输特性
www.irf.com
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
3
IRF7463PbF
5000
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
西塞= C + Cgd的，C
gs
DS短路
CRSS = C
gd
COSS = C + Cgd的
ds
10
I
D
= 11A
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
4000
8
V
DS
= 24V
V
DS
= 15V
C，电容（pF ）
3000
西塞
6
2000
4
科斯
1000
2
CRSS
0
1
10
100
0
测试电路
见图13
0
10
20
30
40
50
VDS ，漏极至源极电压（ V）
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
1000
1000
I
SD
，反向漏电流（ A）
在这一领域有限
由R
DS （ ON）
I
D
，漏电流（ A）
100
T
J
= 150
°
C
10
100
10us
100us
T
J
= 25
°
C
1
10
1ms
0.1
0.0
V
GS
= 0 V
0.4
0.8
1.2
1.6
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
1
0.1
T
C
= 25 °C
T
J
= 150 °C
单脉冲
1
10
10ms
100
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
www.irf.com
IRF7463PbF
16
V
DS
V
GS
R
D
I
D
，漏电流（ A）
12
R
G
10V
脉冲宽度
≤ 1
s
占空比
≤ 0.1 %
D.U.T.
+
-
V
DD
8
4
图10A 。
开关时间测试电路
V
DS
90%
0
25
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度
( °C)
10%
V
GS
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
图10B 。
开关时间波形
100
D = 0.50
10
0.20
0.10
0.05
1
0.02
0.01
P
DM
t
1
0.1
单脉冲
（热反应）
t
2
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值T = P
DM
X Z
thJA
+ T
A
J
0.01
0.1
1
10
100
热响应（Z
thJA
)
0.01
0.00001
0.0001
0.001
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图11 。
最大有效瞬态热阻抗，结到环境
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IRPT1066A
IRPT1061
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IS41C8512
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单价/备注
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    IRF7463PBF
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IR
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IR
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