ICL7673
TM
数据表
1999年4月
FN3183.2
自动电池备份交换机
Intersil的ICL7673是单片CMOS备用电池
电路，在提供独特的性能优势
切换到备用电源供电的常规方法。该
ICL7673旨在作为用于开关一个低成本的解决方案
两个电源之间的系统;主电池
备份。主要应用的是保活电池供电
切换为挥发性CMOS RAM内存的系统使用
和实时时钟。在许多应用中，这个电路将
代表供给之间的低插入损耗电压
并加载。该电路具有低功耗，宽
工作电压范围内，并且特别低的漏
之间的输入。提供逻辑输出，可用于
以指示哪个设备连接，也可以使用
通过增加电路的功率转换能力
驱动外部PNP晶体管。
特点
自动连接输出端在的大
输入电源电压
如果主电源到外部设备丢失时，电路将
自动连接备用电池
重新连接主电源恢复时
逻辑信号指示灯主电源的状态
低阻抗连接开关
内部低功耗
宽电源电压范围： 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2.5V至15V
输入之间的低漏
外部晶体管，可以添加，如果非常大
电流需要切换
订购信息
部分
数
ICL7673CPA
ICL7673CBA
ICL7673ITV
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
0到70
0到70
25至85
包
8 Ld的PDIP8
8 Ld的SOIC （N ）
PKG 。号
E8.3
M8.15
应用
板载电池备份的实时时钟，
定时器或挥发性的RAM
过压/欠压检测器
峰值电压检测器
其他用途：
- 便携式仪器，便携式电话，专线
供电设备
8 Ld的金属罐T8.C
引脚配置
ICL7673 （ SOIC ， PDIP ）
顶视图
V
O
V
S
S
BAR
GDN
1
2
3
4
8
7
6
5
V
P
NC
P
BAR
NC
功能框图
V
P
P1
V
O
V
S
P2
S
BAR
ICL7673 （ CAN ）
顶视图
V
P
8
V
O
1
V
S
2
SBAR
3
4
GND
5
7
NC
GND
6 PBAR
-
+
P
BAR
V
P
＆ GT ; V
S
， P1接通和P
BAR
开关ON
NC
V
S
＆ GT ; V
P
， P2开关转到ON位置及S -
BAR
开关ON
3-81
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
Intersil公司（和设计）是Intersil公司美洲的商标。
版权所有 Intersil公司美洲2002.版权所有
ICL7673
绝对最大额定值
输入电压（V
P
或V
S
）电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至+ 18V
输出电压P
BAR
和S
BAR
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至+ 18V
峰值电流
输入V
P
（在V
P
= 5V） （注1） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 38毫安
输入V
S
（在V
S
= 3V ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安
P
BAR
或S
BAR
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150毫安
热信息
热电阻（典型，注2 ）
θ
JA
(
o
C / W ）
θ
JC
(
o
C / W ）
PDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
150
不适用
塑料SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
180
不适用
金属罐。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
156
68
o
C / W
最大存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接， 10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
工作条件
温度范围：
ICL7673C 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0
o
C至70
o
C
ICL7673I 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -25
o
C至85
o
C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项：
1.减免上述25
o
下通过0.38毫安/
o
C.
2.
θ
JA
测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。
电气规格
参数
输入电压
T
A
= 25
o
C除非另有说明
符号
V
P
V
S
测试条件
V
S
= 0V时，我
负载
= 0毫安
V
P
= 0V时，我
负载
= 0毫安
V
P
= 0V, V
S
= 3V ，我
负载
= 0毫安
V
P
= 5V, V
S
= 3V ，我
负载
= 15毫安
在T
A
= +85
o
C
V
P
= 9V, V
S
= 3V ，我
负载
= 15毫安
V
P
= 12V, V
S
= 3V ，我
负载
= 15毫安
民
2.5
2.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
1.5
8
16
6
5
0.5
40
60
26
16
0.7
0.01
35
0.01
120
85
120
50
40
最大
15
15
5
15
-
-
-
-
100
-
-
-
-
20
-
50
-
400
-
-
-
单位
V
V
A
%/
o
C
%/
o
C
nA
nA
nA
nA
mV
mV
mV
mV
静态电源电流
开关电阻P1 （注1 ）
I+
r
DS （ ON）
P1
开关的温度系数再
sistance P1
开关电阻P2 （注1 ）
T
C(P1)
r
DS （ ON）
P2
V
P
= 5V, V
S
= 3V ，我
负载
= 15毫安
V
P
= 0V, V
S
= 3V ，我
负载
= 1毫安
在T
A
= +85
o
C
V
P
= 0V, V
S
= 5V ，我
负载
= 1毫安
V
P
= 0V, V
S
= 9V ，我
负载
= 1毫安
开关的温度系数再
sistance P2
漏电流（Ⅴ
P
到V
S
)
T
C(P2)
I
L（ PS）的
V
P
= 0V, V
S
= 3V ，我
负载
= 1毫安
V
P
= 5V, V
S
= 3V ，我
负载
= 10毫安
在T
A
= +85
o
C
漏电流（Ⅴ
P
到V
S
)
I
L（ SP）的
V
P
= 0V, V
S
= 3V ，我
负载
= 10毫安
在T
A
= + 85
o
C
开漏输出饱和电压
V
OPBAR
V
P
= 5V, V
S
= 3V ，我
SINK
= 3.2毫安，我
负载
= 0毫安
在T
A
= 85
o
C
V
P
= 9V, V
S
= 3V ，我
SINK
= 3.2毫安，我
负载
= 0毫安
V
P
= 12V, V
S
= 3V ，我
SINK
= 3.2毫安
I
负载
= 0毫安
3-82
ICL7673
电气规格
参数
开漏输出饱和电压
T
A
= 25
o
C除非另有说明
（续）
符号
V
OSBAR
测试条件
V
P
= 0V, V
S
= 3V ，我
SINK
= 3.2毫安，我
负载
= 0毫安
在T
A
= + 85
o
C
V
P
= 0V, V
S
= 5V ，我
SINK
= 3.2毫安我
负载
= 0毫安
V
P
= 0V, V
S
= 9V ，我
SINK
= 3.2毫安我
负载
= 0毫安
P的输出漏电流
BAR
和
S
BAR
I
LPBAR
V
P
= 0V, V
S
= 15V ，我
负载
= 0毫安
在T
A
= + 85
o
C
I
LSBAR
V
P
= 15V, V
S
= 0V时，我
负载
= 0毫安
在T
A
= + 85
o
C
切换不确定度完成
输入和漏极开路的开关
输出
注意：
3.最小输入到输出电压可以通过乘以负载电流由开关电阻确定。
V
P
- V
S
V
S
= 3V ，我
SINK
= 3.2毫安，我
负载
= 15毫安
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
150
210
85
50
50
900
50
900
±10
最大
400
-
-
-
500
-
500
-
±50
单位
mV
mV
mV
mV
nA
nA
nA
nA
mV
典型性能曲线
100
I
负载
= 15毫安
导通电阻P1 （ Ω ）
导通电阻P2 （ Ω ）
100
I
负载
= 1毫安
10
10
1
0
2
4
6
8
10
12
14
16
输入电压V
P
(V)
1
0
2
4
6
输入电压V
S
8
10
图1导通电阻开关P1 AS的功能
输入电压V
P
图2.导通电阻开关P2之间的函数关系
输入电压V
S
3-83
ICL7673
电源电压。低阻抗的电容，如
0.047μF盘陶瓷可用于降低的多层速率。
+5V
主
供应
8
V
P
V
O
1
V
O
+ 5V或+ 3V
状态指示灯输出
N沟道开漏输出晶体管可用于
指示哪个设备连接，或可被用来驱动
外部PNP晶体管，以增加功率开关
该电路的功能。当使用外部PNP功率
晶体管，所述输出电流是由测试和限定
功率晶体管的热特性。该
应用部分详细介绍了使用外部PNP的
晶体管。
2
锂
电池
GND
+
V
S
PBAR
GND
4
6
R
I
状态
指标
-
图7. ICL7673备用电池电路
应用
一个典型的离散备用电池电路示于图
6.这种方法需要几个组件，大幅
印刷电路板空间，以及高人力成本。这也
消耗了相当高的静态电流。该ICL7673
备用电池电路，在图7中示出，将经常更换
这种分立式设计，并提供更好的性能，
更高的可靠性，并降低系统的制造成本。一
涓流充电系统可与一个附加的实施
电阻和二极管，如图8，一种完整的低
功率AC到稳压直流系统可以采用以下方式实现
在ICL7673和ICL7663S微功耗电压调节器
如图9所示。
+5V
主
直流电源
V
O
+ 5V或
+3V
状态
指标
+5V
主
供应
R
C
8
V
P
V
O
1
V
O
+ 5V或+ 3V
2
RECHARGEABLE
电池
GND
V
S
+
-
GND
4
图8.应用程序需要RECHARGEABLE
备用电池
镍镉电池
电池
堆
一个典型的应用中，如示于图12中，将一个
微处理器系统需要一个5V电源。中的情况下
主电源发生故障时，系统断电，和一个
3V电池是用来维持时钟或易失性存储器
数据。主，备用电源连接到V
P
和V
S
，与电路输出电压V
O
将电能提供给
时钟或易失性存储器。该ICL7673将感测主
电源，通电的时候，是比V更大的潜力
S
并连接，通过其内部MOS开关，V
P
输出V
O
.
备份输入，V
S
将在内部断开。在
主电源发生故障时，电路会感应到的
备用电源现在是更大的潜力，断开V
P
从V
O
，并连接V
S
.
图11示出了使用外部PNP功率的
晶体管，以增加的功率交换能力
电路。在该应用中，输出电流由限定
β和功率晶体管的热特性。
如果滞后期望用于特定的低功率应用中，
正反馈可以输入V的应用
P
和
漏极开路输出S
BAR
通过一个电阻器，如图
图12.对于高功率应用的滞后可
施加如图13 。
该ICL7673也可以用来作为限幅电路
如图14所示具有高阻抗负载的
电路输出将几乎等于这两个中的较大
输入信号。
GND
图6.离散备用电池电路
应用程序的ICL7673包括挥发性半导体
存储器的存储系统，实时时钟，定时器，报警
系统和过/欠电压检测器。其他
需要直流电源系统主交流电源供电时，
失败也可以使用ICL7673 。
3-85
ICL7673
数据表
2005年7月22日
FN3183.4
自动电池备份交换机
Intersil的ICL7673是单片CMOS备用电池
电路，在提供独特的性能优势
切换到备用电源供电的常规方法。该
ICL7673旨在作为用于开关一个低成本的解决方案
两个电源之间的系统;主电池
备份。主要应用的是保活电池供电
切换为挥发性CMOS RAM内存的系统使用
和实时时钟。在许多应用中，这个电路将
代表供给之间的低插入损耗电压
并加载。该电路具有低功耗，宽
工作电压范围内，并且特别低的漏
之间的输入。提供逻辑输出，可用于
以指示哪个设备连接，也可以使用
通过增加电路的功率转换能力
驱动外部PNP晶体管。
特点
自动连接输出端在的大
输入电源电压
如果主电源到外部设备丢失时，电路将
自动连接备用电池
重新连接主电源恢复时
逻辑信号指示灯主电源的状态
低阻抗连接开关
内部低功耗
宽电源电压范围： 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2.5V至15V
输入之间的低漏
外部晶体管，可以添加，如果非常大
电流需要切换
无铅加退火有（符合RoHS ）
订购信息
部分
数
ICL7673CPA
ICL7673CPAZ
（见注）
ICL7673CBA
ICL7673CBA-T
ICL7673CBAZA
（见注）
ICL7673CBAZA-T
（见注）
TEMP 。 RANGE
(°C)
0到70
0到70
0到70
包
8 Ld的PDIP
8 Ld的PDIP *
（无铅）
8 Ld的SOIC （N ）
PKG 。
DWG 。 ＃
E8.3
E8.3
M8.15
M8.15
M8.15
M8.15
应用
板载电池备份的实时时钟，
定时器或挥发性的RAM
过压/欠压检测器
峰值电压检测器
其他用途：
- 便携式仪器，便携式电话，专线
供电设备
8 Ld的SOIC （ N）卷带式
0到70
0到70
8 Ld的SOIC （N ）
（无铅）
8 Ld的SOIC （N ）
（无铅）
功能框图
V
P
P1
V
O
*无铅PDIPs可用于通孔波峰焊
处理而已。它们不用于回流焊使用
处理应用。
注： Intersil无铅加退火产品采用特殊的无铅
材料套;模塑料/晶片的附属材料和100 ％
雾锡板终止完成，这是符合RoHS标准，
既锡铅和无铅焊接操作兼容。 Intersil公司
无铅产品分类MSL在无铅峰值回流
气温达到或超过的无铅要求
IPC / JEDEC J STD- 020 。
V
S
P2
S
BAR
-
+
P
BAR
引脚配置
ICL7673 （ SOIC ， PDIP ）
顶视图
V
O
V
S
S
BAR
GDN
1
2
3
4
8
7
6
5
V
P
NC
P
BAR
NC
GND
V
P
＆ GT ; V
S
， P1接通和P
BAR
开关ON
V
S
＆ GT ; V
P
， P2开关转到ON位置及S -
BAR
开关ON
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有 Intersil公司美洲1999-2005 。版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
ICL7673
绝对最大额定值
输入电压（V
P
或V
S
）电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至+ 18V
输出电压P
BAR
和S
BAR
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至+ 18V
峰值电流
输入V
P
（在V
P
= 5V） （注1） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 38毫安
输入V
S
（在V
S
= 3V ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安
P
BAR
或S
BAR
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150毫安
热信息
热电阻（典型，注2 ）
θ
JA
（ ° C / W）
θ
JC
（ ° C / W）
PDIP封装* 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
150
不适用
塑料SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
180
不适用
最大存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
最大的铅温度（焊接， 10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
（ SOIC - 只会提示）
*无铅PDIPs可用于通孔波焊处理
只。他们不打算在回流焊接加工利用
应用程序。
工作条件
温度范围：
ICL7673C 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至70℃
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项：
1.减免上述25℃ 0.38毫安/ ℃。
2.
θ
JA
测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。
电气规格
参数
输入电压
T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
P
V
S
测试条件
V
S
= 0V时，我
负载
= 0毫安
V
P
= 0V时，我
负载
= 0毫安
V
P
= 0V, V
S
= 3V ，我
负载
= 0毫安
V
P
= 5V, V
S
= 3V ，我
负载
= 15毫安
在T
A
= +85°C
V
P
= 9V, V
S
= 3V ，我
负载
= 15毫安
V
P
= 12V, V
S
= 3V ，我
负载
= 15毫安
民
2.5
2.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
1.5
8
16
6
5
0.5
40
60
26
16
0.7
0.01
35
0.01
120
85
120
50
40
150
210
85
50
最大
15
15
5
15
-
-
-
-
100
-
-
-
-
20
-
50
-
400
-
-
-
400
-
-
-
单位
V
V
A
%/°C
%/°C
nA
nA
nA
nA
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mV
静态电源电流
开关电阻P1 （注1 ）
I+
r
DS （ ON）
P1
开关的温度系数
阻力P1
开关电阻P2 （注1 ）
T
C(P1)
r
DS （ ON）
P2
V
P
= 5V, V
S
= 3V ，我
负载
= 15毫安
V
P
= 0V, V
S
= 3V ，我
负载
= 1毫安
在T
A
= +85°C
V
P
= 0V, V
S
= 5V ，我
负载
= 1毫安
V
P
= 0V, V
S
= 9V ，我
负载
= 1毫安
开关的温度系数
阻力P2
漏电流（Ⅴ
P
到V
S
)
T
C(P2)
I
L（ PS）的
V
P
= 0V, V
S
= 3V ，我
负载
= 1毫安
V
P
= 5V, V
S
= 3V ，我
负载
= 10毫安
在T
A
= +85°C
漏电流（Ⅴ
P
到V
S
)
I
L（ SP）的
V
P
= 0V, V
S
= 3V ，我
负载
= 10毫安
在T
A
= +85°C
开漏输出饱和电压
V
OPBAR
V
P
= 5V, V
S
= 3V ，我
SINK
= 3.2毫安，我
负载
= 0毫安
在T
A
= 85°C
V
P
= 9V, V
S
= 3V ，我
SINK
= 3.2毫安，我
负载
= 0毫安
V
P
= 12V, V
S
= 3V ，我
SINK
= 3.2毫安
I
负载
= 0毫安
开漏输出饱和电压
V
OSBAR
V
P
= 0V, V
S
= 3V ，我
SINK
= 3.2毫安，我
负载
= 0毫安
在T
A
= +85°C
V
P
= 0V, V
S
= 5V ，我
SINK
= 3.2毫安我
负载
= 0毫安
V
P
= 0V, V
S
= 9V ，我
SINK
= 3.2毫安我
负载
= 0毫安
2
FN3183.4
2005年7月22日
ICL7673
电气规格
参数
P的输出漏电流
BAR
和
S
BAR
T
A
= 25 ° C除非另有说明
（续）
符号
I
LPBAR
测试条件
V
P
= 0V, V
S
= 15V ，我
负载
= 0毫安
在T
A
= +85°C
I
LSBAR
V
P
= 15V, V
S
= 0V时，我
负载
= 0毫安
在T
A
= +85°C
切换不确定度完成
输入和漏极开路的开关
输出
注意：
3.最小输入到输出电压可以通过乘以负载电流由开关电阻确定。
V
P
- V
S
V
S
= 3V ，我
SINK
= 3.2毫安，我
负载
= 15毫安
民
-
-
-
-
-
典型值
50
900
50
900
±10
最大
500
-
500
-
±50
单位
nA
nA
nA
nA
mV
典型性能曲线
100
I
负载
= 15毫安
导通电阻P1 （ Ω ）
导通电阻P2 （ Ω ）
100
I
负载
= 1毫安
10
10
1
0
2
4
6
8
10
12
14
16
输入电压V
P
(V)
1
0
2
4
6
输入电压V
S
8
10
图1导通电阻开关P1 AS的功能
输入电压V
P
1
图2.导通电阻开关P2之间的函数关系
输入电压V
S
5
输出饱和电压（ V）
V
O
= 5V
V
O
= 3V
V
O
= 9V
0.8
电源电流（ μA ）
4
V
O
= 12V
3
0.6
0.4
2
V
O
= 15V
0.2
-40°C
25°C
85°C
0
2
4
6
8
10
12
14
电源电压（ V）
16
1
0
40
80
120
输出电流（mA ）
140
180
图3.电源电流与电源的功能
电压
图4. P
BAR
或S
BAR
饱和电压作为
功能输出电流
3
FN3183.4
2005年7月22日
ICL7673
低负载电流的输出电压几乎等于所述
较大的两个输入端。跨越的最大电压降
切换P
1
或P
2
为0.5V ，因为高于这个电压的身体 -
漏极寄生二极管将成为正向偏置。完整
的输入开关和开漏输出一般
发生在为50μs 。
1mA
I
负载
= 10毫安
V
S
= 0V
100mA
输入电压
85°C
10nA
1nA
1000pA
该的输入工作电压范围用于V
P
或V
S
是2.5V至
15V 。输入电源电压（V
P
或V
S
）转换速率应
限定每微秒至2V ，以避免对潜在危害
电路。在线路运行的系统中， （或下降）上升率的
供给是电源设计的一个功能。对于电池
应用中，可能需要使用之间的电容器
输入和接地引脚，以限制的所述的多层速率
电源电压。低阻抗的电容，如
0.047μF盘陶瓷可用于降低的多层速率。
I
S
漏电流
状态指示灯输出
10pA
25°C
1pA
0
2
4
5
6
输入V
P
(V)
8
10
12
图5.我
S
漏电流V
P
到V
S
作为
输入电压的函数
N沟道开漏输出晶体管可用于
指示哪个设备连接，或可被用来驱动
外部PNP晶体管，以增加功率开关
该电路的功能。当使用外部PNP功率
晶体管，所述输出电流是由测试和限定
功率晶体管的热特性。该
应用部分详细介绍了使用外部PNP的
晶体管。
详细说明
如图所示的功能框图中， ICL7673包括一
比较器，其检测输入电压V
P
和V
S
。该
比较器的输出驱动所述第一逆变器和
开路漏极的N沟道晶体管P
BAR
。第一反相器
驱动一个大的P沟道开关，P
1
，第二反相器，以及
另一个开漏N沟道晶体管，S
BAR
。第二个
逆变器驱动另一个大的P沟道开关P
2
。该
ICL7673 ，连接到主及备用电源，
将更大的潜在的供应连接到它的输出。该
电路提供先开后合使开关动作，因为它
从交换机到主备用电源在主事件
电源故障。为了正常工作，输入V
P
和V
S
决不允许浮动，并且，在两个差
用品必须大于50mV的。漏电流
通过开关P的反向偏置寄生二极管
2
is
非常低。
应用
一个典型的离散备用电池电路示于图
6.这种方法需要几个组件，大幅
印刷电路板空间，以及高人力成本。这也
消耗了相当高的静态电流。该ICL7673
备用电池电路，在图7中示出，将经常更换
这种分立式设计，并提供更好的性能，
更高的可靠性，并降低系统的制造成本。一
涓流充电系统可与一个附加的实施
电阻和二极管，如图8，一种完整的低
功率AC到稳压直流系统可以采用以下方式实现
在ICL7673和ICL7663S微功耗电压调节器
如图9所示。
+5V
主
直流电源
V
O
+ 5V或
+3V
状态
指标
输出电压
输出工作电压范围是2.5V到15V。该
任一输入和输出之间的插入损耗是一个
函数的负载电流，输入电压和温度。这
由于在P -频道被在其三极管操作
区域，并且，所述开关的导通电阻是一个函数
的输出电压V
O
。的P通道的导通电阻
具有正温度系数，因此，作为
温度升高时，插入损耗也增加。在
4
镍镉电池
电池
堆
GND
图6.离散备用电池电路
FN3183.4
2005年7月22日
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