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PD- 93843A
开关电源MOSFET
IRF7463
HEXFET
功率MOSFET
应用
l
高频DC- DC转换器
具有同步整流
V
DSS
30V
R
DS ( ON)
最大
0.008
I
D
14A
好处
l
超低R
DS ( ON)
在4.5V V
GS
l
低电荷和低门阻抗
降低开关损耗
l
充分界定雪崩电压
和电流
SO-8
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
A
= 70°C
V
GS
T
J,
T
英镑
连续漏电流, V
GS
@ 10V
连续漏电流, V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
结温和存储温度范围
马克斯。
14
11
110
2.5
1.6
0.02
± 12
-55到+ 150
单位
A
W
W / ℃,
V
热阻
参数
R
θJA
最大结点到环境
马克斯。
50
单位
° C / W
典型SMPS拓扑
l
电信48V输入转换器,逻辑电平驱动同步整流器
笔记
通过
在第7页
www.irf.com
1
3/30/00
IRF7463
静态@ T
J
= 25 ℃(除非另有规定)
参数
V
( BR ) DSS
漏极至源极击穿电压
V
( BR ) DSS
/T
J
击穿电压温度。系数
R
DS ( ON)
V
GS ( TH)
I
DSS
I
GSS
分钟。典型值。马克斯。单位
30
–––
––– V
--- --- 0.029 V / ℃,
––– 0.0063 0.0080
静态漏 - 源极导通电阻--- 0.0074 0.0095
––– 0.0105 0.020
栅极阈值电压
0.6
–––
2.0
V
–––
–––
20
A
漏极至源极漏电流
–––
–––
100
栅 - 源正向漏
–––
–––
200
nA
栅 - 源反向漏
–––
–––
-200
条件
V
GS
= 0V时,我
D
= 250A
参考至25℃ ,我
D
= 1毫安
V
GS
= 10V ,我
D
= 14A
V
GS
= 4.5V ,我
D
= 12A
V
GS
= 2.8V ,我
D
= 3.5A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V ,T
J
= 100°C
V
GS
= 12V
V
GS
= -12V
动态@ T
J
= 25 ℃(除非另有规定)
g
fs
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
正向跨导
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极( "Miller" )充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
分钟。
31
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
34
7.5
13
20
16
41
44
3110
850
130
MAX 。单位
条件
–––
S
V
DS
= 24V ,我
D
= 14A
51
I
D
= 14A
11
nC
V
DS
= 24V
20
V
GS
= 5.0V,
–––
V
DD
= 15V,
–––
I
D
= 1.0A
ns
–––
R
G
= 6.0
–––
V
GS
= 4.5V
–––
V
GS
= 0V
–––
V
DS
= 25V
–––
pF
= 1.0MHz的
雪崩特性
参数
E
AS
I
AR
E
AR
单脉冲雪崩能量?
雪崩电流?
重复性雪崩能量?
典型值。
–––
–––
–––
马克斯。
320
14
0.25
单位
mJ
A
mJ
二极管的特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
连续源电流
(体二极管)
脉冲源电流
(体二极管)
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
64
99
2.5
A
110
1.2
96
150
V
ns
nC
条件
MOSFET符号
展示
G
整体反转
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C,I
S
= 2.5A ,V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C,I
F
= 2.5A
的di / dt = 100A / μs的
D
S
2
www.irf.com
IRF7463
1000
VGS
15V
10V
4.5V
3.5V
3.0V
2.7V
2.5V
BOTTOM 2.0V
顶部
1000
I
D
,漏极 - 源极电流(A )
100
10
1
I
D
,漏极 - 源极电流(A )
VGS
15V
10V
4.5V
3.5V
3.0V
2.7V
2.5V
BOTTOM 2.0V
顶部
100
10
2.0V
0.1
2.0V
20μs的脉冲宽度
T
J
= 150
°
C
1
10
100
0.01
0.1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 25
°
C
1
10
100
1
0.1
V
DS
,漏极至源极电压( V)
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
1000.00
1000
ID ,漏极 - 源极电流(A )
100.00
T J = 150℃
I
SD
,反向漏电流( A)
100
T
J
= 150
°
C
10
10.00
T
J
= 25
°
C
1
1.00
T J = 25°C
VDS = 15V
20μs的脉冲宽度
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
0.10
0.1
0.0
V
GS
= 0 V
0.4
0.8
1.2
1.6
VGS ,栅 - 源极电压( V)
V
SD
,源极到漏极电压(V )
图3 。
典型的传输特性
图4 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
www.irf.com
3
IRF7463
R
DS ( ON)
,漏极 - 源极导通电阻
(归一化)
I
D
= 14A
1.5
R DS ( ON) ,漏极 - 源极导通电阻(
)
2.0
0.0080
0.0075
VGS = 4.5V
1.0
0.0070
0.5
0.0065
VGS = 10V
0
20
40
60
80
100
0.0
-60 -40 -20
V
GS
= 10V
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0.0060
ID ,漏电流( A)
T
J
,结温(
°
C)
图5 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
图6 。
导通电阻与漏电流
R DS ( ON)时,漏 - 源极到导通电阻(
)
800
E
AS
,单脉冲雪崩能量(兆焦耳)
顶部
底部
600
ID
6.3A
11A
14A
0.016
0.012
400
ID = 14A
0.008
200
0
25
50
75
100
125
150
0.004
2.0
4.0
6.0
8.0
10.0
起始物为
J
,结温(
°
C)
VGS ,门-to - 源电压(V )
图7 。
最大雪崩能量
与漏电流
图8 。
导通电阻比。栅极电压
4
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IRF7463
5000
V
GS
,栅 - 源极电压( V)
4000
V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
C
国际空间站
= C
gs
+ C
GD ,
C
ds
C
RSS
= C
gd
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
10
I
D
=
14A
V
DS
= 24V
8
C,电容(pF )
3000
西塞
6
2000
4
科斯
1000
2
0
1
CRSS
10
100
0
0
10
20
30
40
50
V
DS
,漏极至源极电压( V)
Q
G
,总栅极电荷( NC)
图9 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图10 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
100
热响应(Z
thJA
)
D = 0.50
10
0.20
0.10
0.05
1
0.02
0.01
P
DM
t
1
0.1
单脉冲
(热反应)
注意事项:
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJA
+ T
A
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
t
2
0.01
0.00001
t
1
,矩形脉冲持续时间(秒)
图11 。
最大有效瞬态热阻抗,结到环境
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    IRF7463
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    -
    -
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电话:0755-82533156 82710336
联系人:朱经理、张小姐
地址:深圳市福田区华强北上步工业区501栋11楼1109-1110室
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原装正品现货
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电话:0755-83244680/82865294
联系人:吴小姐
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电话:0755-83223003
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联系人:朱咸华
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IR
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