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PD- 95725
开关电源MOSFET
应用
l
高频DC- DC转换器
l
LEAD -FREE
IRF7451PbF
HEXFET
功率MOSFET
V
DSS
150V
R
DS （ ON）
最大
0.09W
I
D
3.6A
好处
l
低栅极到漏极电荷降低
开关损耗
l
充分界定电容含
有效的C
OSS
为简化设计， （见
应用程序。注AN1001 ）
l
充分界定雪崩电压
和电流
S
S
S
G
1
8
7
A
A
D
D
D
D
2
3
6
4
5
顶视图
SO-8
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
V
GS
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
马克斯。
3.6
2.9
29
2.5
0.02
± 30
7.9
-55到+ 150
300 （ 1.6毫米从案例）
单位
A
W
W / ℃，
V
V / ns的
°C
热阻
符号
R
θJL
R
θJA
参数
结到漏极引线
结到环境
典型值。
–––
–––
马克斯。
20
50
单位
° C / W
笔记
通过
是第8页
www.irf.com
1
8/10/04
IRF7451PbF
静态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
V
（ BR ） DSS
漏极至源极击穿电压
V
（ BR ） DSS
/T
J
击穿电压温度。系数
R
DS （ ON）
静态漏 - 源极导通电阻
V
GS （ TH）
栅极阈值电压
I
DSS
I
GSS
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
分钟。
150
–––
–––
3.0
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
0.19
–––
–––
–––
–––
–––
–––
MAX 。单位
条件
–––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
--- V / ° C参考到25° C，I
D
= 1毫安
0.09
V
GS
= 10V ，我
D
= 2.2A
5.5
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
25
V
DS
= 150V, V
GS
= 0V
A
250
V
DS
= 120V, V
GS
= 0V ，T
J
= 150°C
100
V
GS
= 30V
nA
-100
V
GS
= -30V
动态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
g
fs
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
参数
正向跨导
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
输出电容
有效输出电容
分钟。
3.5
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
28
6.8
13
10
4.2
17
15
990
220
42
1260
100
180
MAX 。单位
条件
–––
S
V
DS
= 25V ，我
D
= 2.2A
41
I
D
= 2.2A
10
nC
V
DS
= 120V
20
V
GS
= 10V
–––
V
DD
= 75V
–––
I
D
= 2.2A
ns
–––
R
G
= 6.5
–––
V
GS
= 10V
–––
V
GS
= 0V
–––
V
DS
= 25V
–––
pF
= 1.0MHz的
–––
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V ， = 1.0MHz的
–––
V
GS
= 0V, V
DS
= 120V ， = 1.0MHz的
–––
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至120V
雪崩特性
参数
E
AS
I
AR
单脉冲雪崩能量？
雪崩电流？
典型值。
–––
–––
马克斯。
210
3.6
单位
mJ
A
二极管的特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向RecoveryCharge
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
76
270
2.3
A
29
1.3
110
400
V
ns
nC
条件
MOSFET符号
展示
G
整体反转
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= 2.2A ，V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C，I
F
= 2.2A
的di / dt = 100A / μs的
D
S
2
www.irf.com
IRF7451PbF
100
100
VGS
顶部
15.0V
12.0V
10.0V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
BOTTOM 5.0V
VGS
15.0V
12.0V
10.0V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
BOTTOM 5.0V
顶部
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
10
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
10
1
0.1
1
5.0V
5.0V
0.01
20μs的脉冲宽度
TJ = 25°C
0.001
0.1
1
10
100
20μs的脉冲宽度
TJ = 150℃
0.1
0.1
1
10
100
VDS ，漏极至源极电压（ V）
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
100
2.5
I
D
= 3.6A
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
2.0
10
T
J
= 150
°
C
1.5
1
T
J
= 25
°
C
1.0
0.1
0.5
0.01
4.0
V DS = 25V
20μs的脉冲宽度
5.0
6.0
7.0
8.0
0.0
-60 -40 -20
V
GS
= 10V
0
20 40 60 80 100 120 140 160
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
J
，结温（
°
C)
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
www.irf.com
3
IRF7451PbF
100000
16
C，电容（pF ）
10000
COSS =硫化镉+ Cgd的
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
VGS = 0V中，f = 1兆赫
西塞=的Cgs + Cgd的，光盘短路
CRSS = Cgd的
I
D
=
2.2A
V
DS
= 120V
V
DS
= 75V
V
DS
= 30V
12
1000
西塞
科斯
8
100
CRSS
10
1
10
100
1000
4
0
0
10
20
30
40
VDS ，漏极至源极电压（ V）
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
100
100
I
SD
，反向漏电流（ A）
在这一领域有限
由R
DS （ ON）
I
D
，漏电流（ A）
10us
10
100us
10
T
J
= 150
°
C
T
J
= 25
°
C
1
1ms
1
10ms
0.1
0.2
V
GS
= 0 V
0.4
0.6
0.8
1.0
0.1
1
T
C
= 25 °C
T
J
= 150 °C
单脉冲
10
100
1000
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
www.irf.com
IRF7451PbF
4.0
V
DS
V
GS
R
D
I
D
，漏电流（ A）
3.0
R
G
10V
脉冲宽度
≤ 1
s
占空比
≤ 0.1 %
D.U.T.
+
-
V
DD
2.0
1.0
图10A 。
开关时间测试电路
V
DS
90%
0.0
25
50
75
100
125
150
T
A
,
,
外壳温度（ ° C）
牛逼环境温度（ ° C）
10%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
图9 。
最大漏极电流比。
环境温度
图10B 。
开关时间波形
100
热响应（Z
thJC
)
D = 0.50
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
单脉冲
（热反应）
0.1
0.0001
P
DM
t
1
t
2
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.1
1
10
100
1000
10
1
0.001
0.01
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图10 。
最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
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