PD - 9.1245B
初步
IRF7403
8
7
HEXFET
功率MOSFET
l
l
l
l
l
l
l
第五代技术
超低导通电阻
N沟道MOSFET
表面贴装
可在磁带卷&
动态的dv / dt额定值
快速开关
S
S
S
G
1
2
A
A
D
D
D
D
V
DSS
= 30V
3
6
4
5
R
DS （ ON）
= 0.022
牛逼的运算V IEW
描述
国际整流器第五代HEXFETs利用先进的加工
技术，以实现尽可能低的导通电阻每硅片面积。这
益处，结合快速开关速度和加固装置的设计
HEXFET功率MOSFET是众所周知的，为设计者提供了一个
极其有效的装置，用于在各种各样的应用中使用。
采用SO-8已经通过定制的引线框架，可增强被修改
热特性和多模能力使它成为理想的各种
电源应用。有了这些改进，多个设备可被用
有显着减少电路板空间的应用程序。包装设计
为气相，红外，或波峰焊技术。功率耗散
大于0.8W能够在典型的印刷电路板安装的应用程序。
S 0 -8
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
V
GS
dv / dt的
T
J,
T
英镑
10秒。漏电流脉冲，V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
峰值二极管恢复的dv / dt
结温和存储温度范围
马克斯。
9.7
8.5
5.4
34
2.5
0.02
±20
5.0
-55到+ 150
单位
A
W
W / ℃，
V
V / ns的
°C
热电阻额定值
参数
R
θJA
最大结点到环境？
典型值。
–––
马克斯。
50
单位
° C / W
8/25/97
IRF7403
1000
I，D RA在-to -S ü RCE ④此T（A ）
D
100
I，D RA在-to -S ü RCE ④此T（A ）
D
VGS
顶部
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTT OM 4.5V
1000
VGS
15V
10V
8. 0V
7. 0V
6. 0V
5. 5V
5. 0V
BOTT OM 4.5V
顶部
100
4.5V
4.5 V
10
10
1
0.01
20微秒P UL SE W ID TH
T
J
= 25°C
0.1
1
10
A
100
1
0.01
20μ s PU L SE W ID TH
T
J
= 1 50 °C
0.1
1
10
A
100
V·D S，漏极 - 源极V oltage （ V）
V·D S，漏到-S环境允许的V oltage （ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
R
S（O N）
，D RA在-to -S ü RC ê n个R é SIS TA 权证
（N RM一个利兹E D ）
1000
2.0
I
D
= 6.7 A
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
1.5
T
J
= 25
°
C
100
1.0
T
J
= 150
°
C
0.5
10
4
5
6
7
V DS = 50V
15V
20μs的脉冲宽度
8
9
10
0.0
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
V
的s
= 10 V
100 120 140 160
A
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
J
，结牛逼emperature （ ° C）
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
IRF7403
2400
2000
1600
C
我是SS
C
SS
1200
V
的s
，G一德以诚-S ü RC è V LTA克E（ V）
V
GS
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
=
=
=
=
0V,
F = 1M ^ h
C
gs
+ C
gd
, C
ds
SH TED
C
gd
C
ds
+ C
gd
20
I
D
= 4.0A
V
DS
= 2 4V
16
C，C的P是C ITA N c个E（ P F）
12
8
800
C
RS s
400
4
0
1
10
100
A
0
0
10
20
30
FO TES T C IR CU IT
SEE图ü RE 12
40
50
60
A
V
S
，漏 - 源V oltage （ V）
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
100
100
I
S.D。
，R ê已经RS E D RA C语言④此T（A ）
在这一领域有限
由R
DS （ ON）
10
I
D
，漏电流（ A）
100us
T
J
= 1 50 °C
T
J
= 25 °C
10
1ms
1
0.1
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
V
的s
= 0 V
2.5
A
3.0
1
0.1
T
A
= 25 ° C
T
J
= 150 ° C
单脉冲
1
10
10ms
100
V
S.D。
，源极到漏极电压（V ）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
PD - 9.1245B
初步
IRF7403
8
7
HEXFET
功率MOSFET
l
l
l
l
l
l
l
第五代技术
超低导通电阻
N沟道MOSFET
表面贴装
可在磁带卷&
动态的dv / dt额定值
快速开关
S
S
S
G
1
2
A
A
D
D
D
D
V
DSS
= 30V
3
6
4
5
R
DS （ ON）
= 0.022
牛逼的运算V IEW
描述
国际整流器第五代HEXFETs利用先进的加工
技术，以实现尽可能低的导通电阻每硅片面积。这
益处，结合快速开关速度和加固装置的设计
HEXFET功率MOSFET是众所周知的，为设计者提供了一个
极其有效的装置，用于在各种各样的应用中使用。
采用SO-8已经通过定制的引线框架，可增强被修改
热特性和多模能力使它成为理想的各种
电源应用。有了这些改进，多个设备可被用
有显着减少电路板空间的应用程序。包装设计
为气相，红外，或波峰焊技术。功率耗散
大于0.8W能够在典型的印刷电路板安装的应用程序。
S 0 -8
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
V
GS
dv / dt的
T
J,
T
英镑
10秒。漏电流脉冲，V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
峰值二极管恢复的dv / dt
结温和存储温度范围
马克斯。
9.7
8.5
5.4
34
2.5
0.02
±20
5.0
-55到+ 150
单位
A
W
W / ℃，
V
V / ns的
°C
热电阻额定值
参数
R
θJA
最大结点到环境？
典型值。
–––
马克斯。
50
单位
° C / W
8/25/97
IRF7403
1000
I，D RA在-to -S ü RCE ④此T（A ）
D
100
I，D RA在-to -S ü RCE ④此T（A ）
D
VGS
顶部
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTT OM 4.5V
1000
VGS
15V
10V
8. 0V
7. 0V
6. 0V
5. 5V
5. 0V
BOTT OM 4.5V
顶部
100
4.5V
4.5 V
10
10
1
0.01
20微秒P UL SE W ID TH
T
J
= 25°C
0.1
1
10
A
100
1
0.01
20μ s PU L SE W ID TH
T
J
= 1 50 °C
0.1
1
10
A
100
V·D S，漏极 - 源极V oltage （ V）
V·D S，漏到-S环境允许的V oltage （ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
R
S（O N）
，D RA在-to -S ü RC ê n个R é SIS TA 权证
（N RM一个利兹E D ）
1000
2.0
I
D
= 6.7 A
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
1.5
T
J
= 25
°
C
100
1.0
T
J
= 150
°
C
0.5
10
4
5
6
7
V DS = 50V
15V
20μs的脉冲宽度
8
9
10
0.0
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
V
的s
= 10 V
100 120 140 160
A
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
J
，结牛逼emperature （ ° C）
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
IRF7403
2400
2000
1600
C
我是SS
C
SS
1200
V
的s
，G一德以诚-S ü RC è V LTA克E（ V）
V
GS
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
=
=
=
=
0V,
F = 1M ^ h
C
gs
+ C
gd
, C
ds
SH TED
C
gd
C
ds
+ C
gd
20
I
D
= 4.0A
V
DS
= 2 4V
16
C，C的P是C ITA N c个E（ P F）
12
8
800
C
RS s
400
4
0
1
10
100
A
0
0
10
20
30
FO TES T C IR CU IT
SEE图ü RE 12
40
50
60
A
V
S
，漏 - 源V oltage （ V）
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
100
100
I
S.D。
，R ê已经RS E D RA C语言④此T（A ）
在这一领域有限
由R
DS （ ON）
10
I
D
，漏电流（ A）
100us
T
J
= 1 50 °C
T
J
= 25 °C
10
1ms
1
0.1
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
V
的s
= 0 V
2.5
A
3.0
1
0.1
T
A
= 25 ° C
T
J
= 150 ° C
单脉冲
1
10
10ms
100
V
S.D。
，源极到漏极电压（V ）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
QQ：2881677436 复制
