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PD -95199
IRF7341PbF
第五代技术
l
超低导通电阻
l
双N沟道MOSFET
l
表面贴装
l
可在磁带卷&
l
动态的dv / dt额定值
l
快速开关
l
LEAD -FREE
描述
l
HEXFET
功率MOSFET
S1
G1
S2
G2
1
2
3
4
8
7
D1
D1
D2
D2
V
DSS
= 55V
R
DS （ ON）
= 0.050
6
5
顶视图
国际整流器第五代HEXFETs
利用先进的加工技术，以实现
极低的导通电阻每硅片面积。这
益处，结合快速开关速度和
坚固耐用的设备的设计，HEXFET功率
MOSFET是众所周知的，为设计者提供
用一个非常有效和可靠的装置，用于使用
在各种各样的应用中。
采用SO-8已经通过定制进行了修改
引线框架用于增强热性能和
多模能力使它成为理想的各种
电源应用。有了这些改进，多
设备可用于在应用程序中使用显着
减少了电路板空间。该软件包是专为
气相，红外，或波峰焊技术。
大于0.8W的功耗有可能在
一个典型的印刷电路板安装的应用程序。
SO-8
绝对最大额定值
参数
V
DS
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 70°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
P
D
@T
C
= 70°C
V
GS
V
GSM
E
AS
dv / dt的
T
J,
T
英镑
漏源电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
栅 - 源电压单脉冲tp<10μs
单脉冲雪崩能量？
峰值二极管恢复的dv / dt
结温和存储温度范围
马克斯。
55
4.7
3.8
38
2.0
1.3
0.016
± 20
30
72
5.0
-55到+ 150
单位
V
A
W
W / ℃，
V
V
V / ns的
°C
热阻
参数
R
θJA
最大结点到环境
典型值。
–––
马克斯。
62.5
单位
° C / W
www.irf.com
1
11/9/04
IRF7341PbF
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
分钟。
55
–––
–––
–––
1.0
7.9
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
0.059
0.043
0.056
–––
–––
–––
–––
–––
–––
24
2.3
7.0
8.3
3.2
32
13
740
190
71
MAX 。单位
条件
–––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
--- V / ° C参考到25° C，I
D
= 1毫安
0.050
V
GS
= 10V ，我
D
= 4.7A
0.065
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 3.8A
–––
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
–––
S
V
DS
= 10V ，我
D
= 4.5A
2.0
V
DS
= 55V, V
GS
= 0V
A
25
V
DS
= 55V, V
GS
= 0V ，T
J
= 55°C
-100
V
GS
= -20V
nA
100
V
GS
= 20V
36
I
D
= 4.5A
3.4
NC V
DS
= 44V
10
V
GS
= 10V ，参照图10
12
V
DD
= 28V
4.8
I
D
= 1.0A
ns
48
R
G
= 6.0
20
R
D
= 16,
–––
V
GS
= 0V
–––
pF
V
DS
= 25V
–––
?? = 1.0MHz的，见图。 9
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向RecoveryCharge
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
60
120
2.0
A
38
1.2
90
170
V
ns
nC
条件
MOSFET符号
展示
G
整体反转
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= 2.0A ，V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C，I
F
= 2.0A
的di / dt = -100A / μs的
D
S
注意事项：
重复评价;脉冲宽度有限的
起始物为
J
= 25℃时，L = 6.5mH
最大。结温。 （参见图11）
R
G
= 25, I
AS
= 4.7A 。 （参见图8）
I
SD
≤
4.7A ， di / dt的
≤
220A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
,
T
J
≤
150°C
脉冲宽度
≤
300μS ;占空比
≤
2%.
当安装在1平方英寸的铜板， t<10秒
2
www.irf.com
IRF7341PbF
100
10
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
VGS
15V
12V
10V
8.0V
6.0V
4.5V
4.0V
3.5V
BOTTOM 3.0V
顶部
100
VGS
15V
12V
10V
8.0V
6.0V
4.5V
4.0V
3.5V
BOTTOM 3.0V
顶部
10
3.0V
3.0V
1
0.1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 25
°
C
1
10
100
1
0.1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 150
°
C
1
10
100
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
100
100
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
T
J
= 25
°
C
T
J
= 150
°
C
10
I
SD
，反向漏电流（ A）
10
T
J
= 150
°
C
T
J
= 25
°
C
1
1
V DS = 25V
20μs的脉冲宽度
3
4
5
6
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
0.1
0.2
V
GS
= 0 V
0.5
0.8
1.1
1.4
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
图3 。
典型的传输特性
图4 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
www.irf.com
3
IRF7341PbF
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
()
2.5
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
I
D
= 4.7A
0.120
2.0
0.100
1.5
0.080
1.0
VGS = 4.5V
0.5
0.060
VGS = 10V
0.040
0.0
-60 -40 -20
V
GS
= 10V
0
20
40
60
80 100 120 140 160
T
J
，结温（
°
C)
0
10
20
30
40
I
D
，漏电流（ A）
图5 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
图6 。
典型导通电阻比。漏
当前
0.12
200
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
( )
E
AS
，单脉冲雪崩能量（兆焦耳）
顶部
160
底部
ID
2.1A
3.8A
4.7A
0.10
120
0.08
80
0.06
I
D
= 4.7A
40
0.04
0
2
4
6
8
10
A
0
25
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
起始物为
J
，结温（
°
C)
50
75
100
125
150
图7 。
典型导通电阻比。门
电压
图8 。
最大雪崩能量
与漏电流
4
www.irf.com
IRF7341PbF
1200
1000
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
C
国际空间站
= C
gs
+ C
GD ，
C
ds
短
C
RSS
= C
gd
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
20
I
D
=
4.5A
V
DS
= 48V
V
DS
= 30V
V
DS
= 12V
16
C，电容（pF ）
800
西塞
12
600
8
400
科斯
200
4
CRSS
0
1
10
100
0
0
10
20
30
40
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图9 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图10 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
100
热响应（Z
thJA
)
D = 0.50
0.20
10
0.10
0.05
0.02
1
0.01
单脉冲
（热反应）
P
DM
t
1
t
2
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJA
+ T
A
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0.1
0.0001
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图11 。
最大有效瞬态热阻抗，结到环境
www.irf.com
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IC41C82052-60T
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