【PD - 95267IRF7319PbFllllll第五代技术超低导通电阻双N和P沟道MOSFET表】,IC型号IRF7319PBF,IRF7319PBF PDF资料,IRF7319PBF经销商,ic,电子元器件-51电子网

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PD - 95267

IRF7319PbF

l

l

l

l

l

l

第五代技术

超低导通电阻

双N和P沟道MOSFET

表面贴装

全额定雪崩

LEAD -FREE

HEXFET

功率MOSFET

S1

G1

S2

G2

N沟道MOSFET

1

8

D1

D1

D2

D2

N沟道

V

DSS

30V

P沟道

-30V

2

7

3

6

4

5

P沟道MOSFET

R

DS （ ON）

0.029 0.058

描述

国际整流器第五代HEXFETs

利用先进的加工技术，以实现

极低的导通电阻每硅片面积。这

益处，结合快速开关速度和

坚固耐用的设备的设计，HEXFET功率

MOSFET是众所周知的，为设计者提供

用一个非常有效和可靠的装置，用于使用

在各种各样的应用中。

采用SO-8已经通过定制进行了修改

引线框架用于增强热性能和

多模能力使它成为理想的各种

电源应用。有了这些改进，

多个设备可以在一个应用程序中使用

大大减少了电路板空间。该包是

专为气相，红外，或波峰焊

技术。

顶视图

SO-8

绝对最大额定值（T

A

= 25 ° C除非另有说明）

符号

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

T

A

= 25°C

T

A

= 70°C

V

DS

V

GS

I

D

I

DM

I

S

P

D

E

AS

I

AR

E

AR

dv / dt的

T

J,

T

英镑

82

4.0

0.20

5.0

-5.0

-55 + 150 C

N沟道

30

6.5

5.2

30

2.5

2.0

1.3

140

-2.8

最大

P沟道

-30

± 20

-4.9

-3.9

-30

-2.5

单位

V

漏电流脉冲

连续源电流（二极管传导）

T

A

= 25°C

最大功率耗散

T

A

= 70°C

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

重复性雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt

结温和存储温度范围

A

W

mJ

A

mJ

V / ns的

热电阻额定值

参数

最大结点到环境

符号

R

θJA

极限

62.5

单位

° C / W

8/17/04

IRF7319PbF

电气特性@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

V

（ BR ） DSS

漏极至源极击穿电压

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N-P

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

分钟。

30

-30

1.0

-1.0

典型值。马克斯。

0.022

0.022

0.023 0.029

0.032 0.046

0.042 0.058

0.076 0.098

14

7.7

1.0

-1.0

25

-25

±100

22

33

23

34

2.6 3.9

3.8 5.7

6.4 9.6

5.9 8.9

8.1 12

13

19

8.9 13

13

20

26

39

34

51

17

26

32

48

650

710

320

380

130

180

单位

V

V /°C的

V

S

A

nA

条件

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

V

GS

= 0V时，我

D

= -250A

参考至25℃ ，我

D

= 1毫安

参考至25℃ ，我

D

= -1mA

V

GS

= 10V ，我

D

= 5.8A

V

GS

= 4.5V ，我

D

= 4.7A

V

GS

= -10V ，我

D

= -4.9A

V

GS

= -4.5V ，我

D

= -3.6A

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250A

V

DS

= V

GS

, I

D

= -250A

V

DS

= 15V ，我

D

= 5.8A

V

DS

= -15V ，我

D

= -4.9A

V

DS

= 24V, V

GS

= 0V

V

DS

= -24V, V

GS

= 0V

V

DS

= 24V, V

GS

= 0V ，T

J

= 55°C

V

DS

= -24V, V

GS

= 0V ，T

J

= 55°C

V

GS

= ±20V

N沟道

I

D

= 5.8A ，V

DS

= 15V, V

GS

= 10V

P沟道

I

D

= -4.9A ，V

DS

= -15V, V

GS

= -10V

N沟道

V

DD

= 15V ，我

D

= 1.0A ，R

G

= 6.0,

R

D

= 15

P沟道

V

DD

= -15V ，我

D

= -1.0A ，R

G

= 6.0,

R

D

= 15

N沟道

V

GS

= 0V, V

DS

= 25V ， = 1.0MHz的

P沟道

V

GS

= 0V, V

DS

= -25V ， = 1.0MHz的

V

（ BR ） DSS

/T

J

击穿电压温度。系数

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

g

fs

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

正向跨导

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

nC

ns

pF

源极 - 漏极额定值和特性

参数

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

连续源电流（体二极管）

脉冲源电流（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

分钟。典型值。马克斯。单位

条件

2.5

-2.5

A

30

-30

0.78 1.0

T

J

= 25 ° C，I

S

= 1.7A ，V

GS

= 0V

V

-0.78 -1.0

T

J

= 25 ° C，I

S

= -1.7A ，V

GS

= 0V

45

68

N沟道

ns

44

66

T

J

= 25 ° C，I

F

= 1.7A ，的di / dt = 100A / μs的

58

87

P沟道

nC

T

J

= 25 ° C，I

F

= -1.7A ，的di / dt = 100A / μs的

42

63

重复评价;脉冲宽度有限的

注意事项：

脉冲宽度

≤

300μS ;占空比

≤

2%.

最大。结温。（参见图22）

表面安装在FR- 4电路板，T

≤

10sec.

N沟道我

SD

≤

4.0A ， di / dt的

≤

74A / μs的，V

DD

≤

V

（ BR ） DSS

, T

J

≤

150°C

P沟道我

SD

≤

-2.8A ， di / dt的

≤

150A / μs的，V

DD

≤

V

（ BR ） DSS

, T

J

≤

150°C

N沟道起始物为

J

= 25 ° C，L = 10MH

G

= 25, I

AS

= 4.0A 。（参见图12）

P沟道起始物为

J

= 25 ° C，L = 35mH

G

= 25, I

AS

= -2.8A.

N沟道

100

IRF7319PbF

VGS

15V

10V

7.0V

5.5V

4.5V

4.0V

3.5V

BOTTOM 3.0V

顶部

I D ，漏极 - 源极电流（A ）

10

I D ，漏极 - 源极电流（A ）

VGS

15V

10V

7.0V

5.5V

4.5V

4.0V

3.5V

BOTTOM 3.0V

顶部

100

10

3.0V

3.0V

1

0.1

1

20μs的脉冲宽度

T

J

= 25°C

A

10

1

0.1

1

20μs的脉冲宽度

T

J

= 150°C

A

10

V DS ，漏极至源极电压（ V）

VDS ，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

100

100

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

T

J

= 25°C

T

J

= 150°C

10

I

SD

，反向漏电流（ A）

T

J

= 150°C

10

T

J

= 25°C

1

3.0

3.5

4.0

V

DS

= 10V

20μs的脉冲宽度

4.5

5.0

A

1

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

V

GS

= 0V

1.4

A

1.6

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

V

SD

，源极到漏极电压（V ）

图3 。

典型的传输特性

图4 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

IRF7319PbF

2.0

N沟道

0.040

R

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

（归一化）

I

D

= 5.8A

R

DS

（上），漏极 - 源极导通电阻（ Ω ）

0.036

V

GS

= 4.5V

1.5

0.032

1.0

0.028

0.5

0.024

V

GS

= 10V

0.0

-60 -40 -20

V

GS

= 10V

0

20

40

60

80 100 120 140 160

0.020

0

10

20

30

40

A

T

J

，结温（

°

C)

I

D

，漏电流（ A）

图5 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

图6 。

典型导通电阻比。漏

当前

R

DS

（上），漏极 - 源极导通电阻（ Ω ）

E

AS

，单脉冲雪崩能量（兆焦耳）

0.12

200

顶部

160

I

I

D

D

0.10

底部

1.8A

3.2A

4.0A

0.08

120

0.06

I

D

= 5.8A

0.04

80

40

0.02

0.00

0

3

6

9

12

15

A

0

25

50

75

100

125

A

150

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

起始物为

J

，结温（ ° C）

图7 。

典型导通电阻比。门

电压

图8 。

最大雪崩能量

与漏电流

N沟道

1200

IRF7319PbF

20

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

V

GS

= 0V,

F = 1MHz的

C

国际空间站

= C

gs

+ C

gd

, C

ds

短

C

RSS

= C

gd

C

OSS

= C

ds

+ C

gd

I

D

= 5.8A

V

DS

= 15V

16

C，电容（pF ）

900

C

国际空间站

C

OSS

12

600

8

300

C

RSS

4

0

1

10

100

A

0

0

10

20

30

40

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

图9 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图10 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

100

热响应（Z

thJA

)

0.50

0.20

10

0.10

0.05

0.02

1

0.01

P

DM

t

1

t

2

单脉冲

（热反应）

0.1

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

注意事项：

1.负载因数D = T

1

/ t

2

2.峰值牛逼

J

= P

DM

X Z

thJA

+ T

A

1

10

100

t

1

，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结到环境

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