【PD- 91100DIRF7201HEXFET功率MOSFET第五代技术l超低导通电阻lN沟道MOS】,IC型号IRF7201,IRF7201 PDF资料,IRF7201经销商,ic,电子元器件-51电子网

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PD- 91100D

IRF7201

HEXFET

功率MOSFET

第五代技术

l

超低导通电阻

l

N沟道MOSFET

l

表面贴装

l

可在磁带卷&

l

动态的dv / dt额定值

l

快速开关

描述

l

S

S

S

G

1

8

A

A

D

D

D

D

2

7

V

DSS

= 30V

3

6

4

5

R

DS （ ON）

= 0.030

顶视图

第五代

从功率MOSFET

国际整流器利用先进的加工

技术，以实现极低的导通电阻

每硅片面积。这样做的好处，结合快速

开关速度和坚固耐用的设备的设计，

HEXFET MOSFET是众所周知的，提供了

设计师有一个非常有效和可靠的装置

用于在多种应用中使用。

采用SO-8已经通过定制进行了修改

引线框架用于增强热性能和

多模能力使它成为理想的各种

电源应用。有了这些改进，多

设备可用于在应用程序中使用显着

减少了电路板空间。该软件包是专为

气相，红外，或波峰焊技术。

大于0.8W的功耗有可能在

一个典型的印刷电路板安装的应用程序。

HEXFET

SO-8

绝对最大额定值

参数

V

DS

I

D

@ T

C

= 25°C

I

D

@ T

C

= 70°C

I

DM

P

D

@T

C

= 25°C

P

D

@T

C

= 70°C

V

GS

V

GSM

E

AS

dv / dt的

T

J,

T

英镑

漏源电压

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流， V

GS

@ 10V

漏电流脉冲

功耗

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

栅 - 源电压单脉冲tp<10μs

单脉冲雪崩能量？

峰值二极管恢复的dv / dt

结温和存储温度范围

马克斯。

30

7.3

5.8

58

2.5

1.6

0.02

± 20

30

70

5.0

-55到+ 150

单位

V

A

W

W / ℃，

V

V

mJ

V / ns的

°C

热阻

参数

R

θJA

最大结点到环境

典型值。

–––

马克斯。

50

单位

° C / W

www.irf.com

1

08/15/03

IRF7201

电气特性@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） DSS

/T

J

参数

漏极至源极击穿电压

击穿电压温度。系数

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

正向跨导

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

g

fs

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

分钟。

30

–––

–––

–––

1.0

5.8

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

典型值。

–––

0.024

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

19

2.3

6.3

7.0

35

21

19

550

260

100

MAX 。单位

条件

–––

V

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

--- V / ° C参考到25° C，I

D

= 1毫安

0.030

V

GS

= 10V ，我

D

= 7.3A

0.050

V

GS

= 4.5V ，我

D

= 3.7A

–––

V

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250A

–––

S

V

DS

= 15V ，我

D

= 2.3A

1.0

V

DS

= 24V, V

GS

= 0V

A

25

V

DS

= 24V, V

GS

= 0V ，T

J

= 125°C

-100

V

GS

= -20V

nA

100

V

GS

= 20V

28

I

D

= 4.6A

3.5

NC V

DS

= 24V

9.5

V

GS

= 10V ，参照图10

–––

V

DD

= 15V

–––

I

D

= 4.6A

ns

–––

R

G

= 6.2

–––

R

D

= 3.2,

–––

V

GS

= 0V

–––

pF

V

DS

= 25V

–––

?? = 1.0MHz的，见图。 9

源极 - 漏极额定值和特性

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向RecoveryCharge

分钟。典型值。马克斯。单位

–––

–––

–––

–––

48

73

2.5

A

58

1.2

73

110

V

ns

nC

条件

MOSFET符号

展示

G

整体反转

p-n结二极管。

T

J

= 25 ° C，I

S

= 4.6A ，V

GS

= 0V

T

J

= 25 ° C，I

F

= 4.6A

的di / dt = 100A / μs的

D

S

注意事项：

重复评价;脉冲宽度有限的

最大。结温。（参见图11）

I

SD

≤

4.6A ， di / dt的

≤

120A / μs的，V

DD

≤

V

（ BR ） DSS

,

T

J

≤

150°C

V

DD

= 15V ，起始物为

J

= 25℃时，L = 6.6mH

R

G

= 25, I

AS

= 4.6A 。（参见图8）

脉冲宽度

≤

300μS ;占空比

≤

2%.

当安装在1平方英寸的铜板， t<10秒

2

www.irf.com

IRF7201

100

VGS

15V

10V

7.0V

5.5V

4.5V

4.0V

3.5V

BOTTOM 3.0V

顶部

100

I D ，漏极 - 源极电流（A ）

10

I D ，漏极 - 源极电流（A ）

VGS

15V

10V

7.0V

5.5V

4.5V

4.0V

3.5V

BOTTOM 3.0V

顶部

10

3.0V

3.0V

1

0.1

1

20μs的脉冲宽度

T

J

= 25°C

A

10

1

0.1

1

20μs的脉冲宽度

T

J

= 150°C

A

10

V DS ，漏极至源极电压（ V）

VDS ，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

100

100

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

T

J

= 25°C

T

J

= 150°C

10

I

SD

，反向漏电流（ A）

10

T

J

= 150°C

T

J

= 25°C

1

1

3.0

3.5

4.0

V

DS

= 10V

20μs的脉冲宽度

4.5

5.0

5.5

A

0.1

0.4

0.6

0.8

1.0

V

GS

= 0V

A

1.2

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

V

SD

，源极到漏极电压（V ）

图3 。

典型的传输特性

图4 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

www.irf.com

3

IRF7201

R

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

()

2.0

R

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

（归一化）

I

D

= 4.6A

0.20

1.5

0.15

1.0

0.10

V

GS

= 4.5V

0.05

0.5

V

GS

= 10V

0.0

-60

-40

-20

0

20

40

60

80

V

GS

= 10V

100 120 140 160

A

0.00

0

10

20

30

40

A

T

J

，结温（ ° C）

I

D

，漏电流（ A）

图5 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

图6 。

导通电阻与漏电流

R

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

()

E

AS

，单脉冲雪崩能量（兆焦耳）

0.05

200

顶部

160

底部

I

D

2.1A

3.7A

4.6A

0.04

120

80

0.03

I

D

= 7.3A

40

0.02

2

4

6

8

10

12

14

16

A

0

25

50

75

100

125

A

150

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

起始物为

J

，结温（ ° C）

图7 。

导通电阻比。栅极电压

图8 。

最大雪崩能量

与漏电流

4

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IRF7201

1000

800

C

国际空间站

600

C

OSS

400

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

V

GS

= 0V,

F = 1MHz的

C

国际空间站

= C

gs

+ C

gd

, C

ds

短

C

RSS

= C

gd

C

OSS

= C

ds

+ C

gd

20

I

D

= 4.6A

V

DS

= 24V

V

DS

= 15V

16

C，电容（pF ）

12

8

200

C

RSS

4

0

1

10

100

A

0

0

5

10

15

20

25

30

A

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

图9 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图10 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

100

热响应（Z

thJA

)

D = 0.50

0.20

0.10

0.05

0.02

0.01

P

DM

t

1

t

2

单脉冲

（热反应）

0.1

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

注意事项：

1.负载因数D = T

1

/ t

2

2.峰值牛逼

J

= P

DM

X Z

thJA

+ T

A

1

10

100

10

1

t

1

，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结到环境

www.irf.com

5

PD- 91100D

IRF7201

HEXFET

功率MOSFET

第五代技术

l

超低导通电阻

l

N沟道MOSFET

l

表面贴装

l

可在磁带卷&

l

动态的dv / dt额定值

l

快速开关

描述

l

S

S

S

G

1

8

A

A

D

D

D

D

2

7

V

DSS

= 30V

3

6

4

5

R

DS （ ON）

= 0.030

顶视图

第五代

从功率MOSFET

国际整流器利用先进的加工

技术，以实现极低的导通电阻

每硅片面积。这样做的好处，结合快速

开关速度和坚固耐用的设备的设计，

HEXFET MOSFET是众所周知的，提供了

设计师有一个非常有效和可靠的装置

用于在多种应用中使用。

采用SO-8已经通过定制进行了修改

引线框架用于增强热性能和

多模能力使它成为理想的各种

电源应用。有了这些改进，多

设备可用于在应用程序中使用显着

减少了电路板空间。该软件包是专为

气相，红外，或波峰焊技术。

大于0.8W的功耗有可能在

一个典型的印刷电路板安装的应用程序。

HEXFET

SO-8

绝对最大额定值

参数

V

DS

I

D

@ T

C

= 25°C

I

D

@ T

C

= 70°C

I

DM

P

D

@T

C

= 25°C

P

D

@T

C

= 70°C

V

GS

V

GSM

E

AS

dv / dt的

T

J,

T

英镑

漏源电压

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流， V

GS

@ 10V

漏电流脉冲

功耗

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

栅 - 源电压单脉冲tp<10μs

单脉冲雪崩能量？

峰值二极管恢复的dv / dt

结温和存储温度范围

马克斯。

30

7.3

5.8

58

2.5

1.6

0.02

± 20

30

70

5.0

-55到+ 150

单位

V

A

W

W / ℃，

V

V

mJ

V / ns的

°C

热阻

参数

R

θJA

最大结点到环境

典型值。

–––

马克斯。

50

单位

° C / W

www.irf.com

1

08/15/03

IRF7201

电气特性@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） DSS

/T

J

参数

漏极至源极击穿电压

击穿电压温度。系数

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

正向跨导

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

g

fs

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

分钟。

30

–––

–––

–––

1.0

5.8

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

典型值。

–––

0.024

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

19

2.3

6.3

7.0

35

21

19

550

260

100

MAX 。单位

条件

–––

V

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

--- V / ° C参考到25° C，I

D

= 1毫安

0.030

V

GS

= 10V ，我

D

= 7.3A

0.050

V

GS

= 4.5V ，我

D

= 3.7A

–––

V

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250A

–––

S

V

DS

= 15V ，我

D

= 2.3A

1.0

V

DS

= 24V, V

GS

= 0V

A

25

V

DS

= 24V, V

GS

= 0V ，T

J

= 125°C

-100

V

GS

= -20V

nA

100

V

GS

= 20V

28

I

D

= 4.6A

3.5

NC V

DS

= 24V

9.5

V

GS

= 10V ，参照图10

–––

V

DD

= 15V

–––

I

D

= 4.6A

ns

–––

R

G

= 6.2

–––

R

D

= 3.2,

–––

V

GS

= 0V

–––

pF

V

DS

= 25V

–––

?? = 1.0MHz的，见图。 9

源极 - 漏极额定值和特性

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向RecoveryCharge

分钟。典型值。马克斯。单位

–––

–––

–––

–––

48

73

2.5

A

58

1.2

73

110

V

ns

nC

条件

MOSFET符号

展示

G

整体反转

p-n结二极管。

T

J

= 25 ° C，I

S

= 4.6A ，V

GS

= 0V

T

J

= 25 ° C，I

F

= 4.6A

的di / dt = 100A / μs的

D

S

注意事项：

重复评价;脉冲宽度有限的

最大。结温。（参见图11）

I

SD

≤

4.6A ， di / dt的

≤

120A / μs的，V

DD

≤

V

（ BR ） DSS

,

T

J

≤

150°C

V

DD

= 15V ，起始物为

J

= 25℃时，L = 6.6mH

R

G

= 25, I

AS

= 4.6A 。（参见图8）

脉冲宽度

≤

300μS ;占空比

≤

2%.

当安装在1平方英寸的铜板， t<10秒

2

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IRF7201

100

VGS

15V

10V

7.0V

5.5V

4.5V

4.0V

3.5V

BOTTOM 3.0V

顶部

100

I D ，漏极 - 源极电流（A ）

10

I D ，漏极 - 源极电流（A ）

VGS

15V

10V

7.0V

5.5V

4.5V

4.0V

3.5V

BOTTOM 3.0V

顶部

10

3.0V

3.0V

1

0.1

1

20μs的脉冲宽度

T

J

= 25°C

A

10

1

0.1

1

20μs的脉冲宽度

T

J

= 150°C

A

10

V DS ，漏极至源极电压（ V）

VDS ，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

100

100

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

T

J

= 25°C

T

J

= 150°C

10

I

SD

，反向漏电流（ A）

10

T

J

= 150°C

T

J

= 25°C

1

1

3.0

3.5

4.0

V

DS

= 10V

20μs的脉冲宽度

4.5

5.0

5.5

A

0.1

0.4

0.6

0.8

1.0

V

GS

= 0V

A

1.2

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

V

SD

，源极到漏极电压（V ）

图3 。

典型的传输特性

图4 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

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3

IRF7201

R

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

()

2.0

R

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

（归一化）

I

D

= 4.6A

0.20

1.5

0.15

1.0

0.10

V

GS

= 4.5V

0.05

0.5

V

GS

= 10V

0.0

-60

-40

-20

0

20

40

60

80

V

GS

= 10V

100 120 140 160

A

0.00

0

10

20

30

40

A

T

J

，结温（ ° C）

I

D

，漏电流（ A）

图5 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

图6 。

导通电阻与漏电流

R

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

()

E

AS

，单脉冲雪崩能量（兆焦耳）

0.05

200

顶部

160

底部

I

D

2.1A

3.7A

4.6A

0.04

120

80

0.03

I

D

= 7.3A

40

0.02

2

4

6

8

10

12

14

16

A

0

25

50

75

100

125

A

150

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

起始物为

J

，结温（ ° C）

图7 。

导通电阻比。栅极电压

图8 。

最大雪崩能量

与漏电流

4

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IRF7201

1000

800

C

国际空间站

600

C

OSS

400

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

V

GS

= 0V,

F = 1MHz的

C

国际空间站

= C

gs

+ C

gd

, C

ds

短

C

RSS

= C

gd

C

OSS

= C

ds

+ C

gd

20

I

D

= 4.6A

V

DS

= 24V

V

DS

= 15V

16

C，电容（pF ）

12

8

200

C

RSS

4

0

1

10

100

A

0

0

5

10

15

20

25

30

A

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

图9 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图10 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

100

热响应（Z

thJA

)

D = 0.50

0.20

0.10

0.05

0.02

0.01

P

DM

t

1

t

2

单脉冲

（热反应）

0.1

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

注意事项：

1.负载因数D = T

1

/ t

2

2.峰值牛逼

J

= P

DM

X Z

thJA

+ T

A

1

10

100

10

1

t

1

，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结到环境

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