PD - 95867A
HEXFET
功率MOSFET加上肖特基二极管
专用的MOSFET
集成单片沟槽肖特基二极管
l
理想的CPU内核的DC -DC转换器
l
低传导损耗
l
低反向恢复损耗
l
低开关损耗
l
低反向恢复电荷和低VF
l
薄型（ <0.7毫米）
l
双面冷却兼容
l
兼容现有的表面贴装技术
l
l
IRF6691
QG （典型值）。
47nC
V
DSS
20V
R
DS （ ON）
最大
2.5m@V
GS
= 4.5V
1.8m@V
GS
= 10V
MT
的DirectFET ？等距
适用的DirectFET封装/焊盘布局（见第8,9页了解详情）
SQ
SX
ST
MQ
MX
MT
描述
该IRF6691
结合了IR ??业界领先的DirectFET封装技术与最新的单芯片技术，
它集成了MOSFET加续流肖特基二极管。
DirectFET封装与现有布局兼容
在功率应用中，印刷电路板的组装设备和汽相，红外线或对流焊接中使用的几何形状
技术中，当应用指南AN- 1035之后是关于制造方法和过程。采用DirectFET
包允许
双面冷却，以最大限度地提高电力系统的热传递，改善以往的最佳热
耐80％ 。
的IRF6691的特征在于具有降低的导通电阻（R
DS （ ON）
） ，反向恢复电荷（Q
rr
）及源极到漏极
电压（V
SD
），以减少导通，反向恢复和死区时间的损失。随着这些高降低总损失
CDV / dt抗扰性使这款产品非常适用于高效率的DC -DC转换器提供动力的最新一代proces-的
感器工作于更高的频率。该IRF6691
进行了优化，这对于同步的关键参数
MOSFET插槽工作在12伏母线转换器。
绝对最大额定值
参数
V
DS
V
GS
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
A
= 70°C
P
D
@T
C
= 25°C
T
J
T
英镑
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
马克斯。
20
±12
180
32
26
260
2.8
1.8
89
0.022
-40 + 150
单位
V
A
g
功耗
g
功耗
功耗
c
W
W / ℃，
°C
线性降额因子
工作结
存储温度范围
热阻
R
θJA
R
θJA
R
θJA
R
θJC
R
θJ -PCB
fj
结到环境
gj
结到环境
hj
结到外壳
ij
结到环境
参数
典型值。
–––
12.5
20
–––
1.0
马克斯。
45
–––
–––
1.4
–––
单位
° C / W
结到PCB安装
笔记
通过
在第10页
www.irf.com
1
11/3/04
IRF6691
100000
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
ISS = C GS + C GD ，C DS短路
RSS = C GD
OSS = C DS + C GD
6.0
ID = 17A
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0.0
VDS = 16V
VDS = 10V
C，电容（pF ）
10000
西塞
科斯
1000
CRSS
100
1
10
100
0
10
20
30
40
50
60
VDS ，漏极至源极电压（ V）
QG总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
1000
1000
在这一领域
限于由R DS （ ON）
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
ISD ，反向漏电流（ A）
100
T J = 150℃
T J = 25°C
10
100
100sec
10
T A = 25°C
1msec
1
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
VGS = 0V
1.0
1.2
TJ = 150℃
单脉冲
1
0
1
10
10msec
100
VSD ，源极到漏极电压（V ）
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
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HEXFET
功率MOSFET加上肖特基二极管
专用的MOSFET
集成单片沟槽肖特基二极管
l
理想的CPU内核的DC -DC转换器
l
低传导损耗
l
低反向恢复损耗
l
低开关损耗
l
低反向恢复电荷和低VF
l
薄型（ <0.7毫米）
l
双面冷却兼容
l
兼容现有的表面贴装技术
l
l
IRF6691
QG （典型值）。
47nC
V
DSS
20V
R
DS （ ON）
最大
2.5m@V
GS
= 4.5V
1.8m@V
GS
= 10V
MT
的DirectFET ？等距
适用的DirectFET封装/焊盘布局（见第8,9页了解详情）
SQ
SX
ST
MQ
MX
MT
描述
该IRF6691
结合了IR ??业界领先的DirectFET封装技术与最新的单芯片技术，
它集成了MOSFET加续流肖特基二极管。
DirectFET封装与现有布局兼容
在功率应用中，印刷电路板的组装设备和汽相，红外线或对流焊接中使用的几何形状
技术中，当应用指南AN- 1035之后是关于制造方法和过程。采用DirectFET
包允许
双面冷却，以最大限度地提高电力系统的热传递，改善以往的最佳热
耐80％ 。
的IRF6691的特征在于具有降低的导通电阻（R
DS （ ON）
） ，反向恢复电荷（Q
rr
）及源极到漏极
电压（V
SD
），以减少导通，反向恢复和死区时间的损失。随着这些高降低总损失
CDV / dt抗扰性使这款产品非常适用于高效率的DC -DC转换器提供动力的最新一代proces-的
感器工作于更高的频率。该IRF6691
进行了优化，这对于同步的关键参数
MOSFET插槽工作在12伏母线转换器。
绝对最大额定值
参数
V
DS
V
GS
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
A
= 70°C
P
D
@T
C
= 25°C
T
J
T
英镑
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
马克斯。
20
±12
180
32
26
260
2.8
1.8
89
0.022
-40 + 150
单位
V
A
g
功耗
g
功耗
功耗
c
W
W / ℃，
°C
线性降额因子
工作结
存储温度范围
热阻
R
θJA
R
θJA
R
θJA
R
θJC
R
θJ -PCB
fj
结到环境
gj
结到环境
hj
结到外壳
ij
结到环境
参数
典型值。
–––
12.5
20
–––
1.0
马克斯。
45
–––
–––
1.4
–––
单位
° C / W
结到PCB安装
笔记
通过
在第10页
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1
11/3/04
IRF6691
100000
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
ISS = C GS + C GD ，C DS短路
RSS = C GD
OSS = C DS + C GD
6.0
ID = 17A
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0.0
VDS = 16V
VDS = 10V
C，电容（pF ）
10000
西塞
科斯
1000
CRSS
100
1
10
100
0
10
20
30
40
50
60
VDS ，漏极至源极电压（ V）
QG总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
1000
1000
在这一领域
限于由R DS （ ON）
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
ISD ，反向漏电流（ A）
100
T J = 150℃
T J = 25°C
10
100
100sec
10
T A = 25°C
1msec
1
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
VGS = 0V
1.0
1.2
TJ = 150℃
单脉冲
1
0
1
10
10msec
100
VSD ，源极到漏极电压（V ）
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
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