PD - 96977B
IRF6636
的DirectFET ？功率MOSFET
典型值（除非另有规定）
不含铅或溴化物符合RoHS标准
V
DSS
V
GS
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
薄型（ <0.7毫米）
20V最大± 20V最大3.2mΩ @ 10V 4.6mΩ @ 4.5V
双面冷却兼容
Q
克TOT
Q
gd
Q
gs2
Q
rr
Q
OSS
V
GS （ TH）
超低封装电感
18nC
6.1nC 1.9nC 7.3nC
10nC
1.8V
优化高频开关
理想的CPU内核的DC -DC转换器
优化了同步控制FET插座。降压转换器
低传导损耗和开关损耗
兼容现有的表面贴装技术
ST
适用的DirectFET外形及其基材纲要（见p.7,8了解详情）
SQ
SX
ST
MQ
MX
MT
的DirectFET ？等距
描述
该IRF6636结合了最新的HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET
TM
包装以实现
最低的通态电阻，其具有的MICRO -8和仅0.7毫米轮廓的足迹的软件包。 DirectFET封装兼容
在功率应用中使用的现有布局的几何形状，印刷电路板的组装设备和汽相，红外线或对流焊接
技术中，当应用指南AN- 1035之后是关于制造方法和过程。 DirectFET封装允许
双面冷却，以最大限度地提高电力系统的热传递，由80 ％提高以前的最好的热阻。
该IRF6636平衡了低阻力和低电荷以及超低封装电感减少了导通和开关
损失。减小的总损耗，使这种产品适合于高效率的DC- DC转换器供电的最新一代的处理器
工作在较高的频率。该IRF6636已经优化了在同步降压12千伏运行关键参数
总线转换器，包括RDS（ON）和栅极电荷，以尽量减少在控制FET插座的损失。
绝对最大额定值
参数
V
DS
V
GS
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
D
@ T
C
= 25°C
I
DM
E
AS
I
AR
20
典型的RDS （ ON） （ MΩ）
马克斯。
20
±20
18
15
81
140
28
14
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
单位
V
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0.0
0
10
ID = 14A
A
mJ
A
ID = 18A
15
10
5
T J = 25°C
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
VDS = 16V
VDS = 10V
T J = 125°C
20
30
VGS ，门-to - 源电压（V ）
图1 。
典型导通电阻与栅极电压
QG总栅极电荷（ NC）
图2 。
典型的总栅极电荷与栅极至源极电压
起始物为
J
= 25℃时，L = 0.27mH ，R
G
= 25, I
AS
= 14A.
表面安装1英寸方铜电路板，稳定状态。
T
C
用热电偶测量安装在顶部的一部分（漏） 。
注意事项：
点击此部分链接到相应的技术文件。
点击此部分链接到的DirectFET MOSFET的
重复评价;脉冲宽度有限的最大值。结温。
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1
06/13/05
IRF6636
绝对最大额定值
参数
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
A
= 70°C
P
D
@T
C
= 25°C
T
P
T
J
T
英镑
功耗
功耗
功耗
峰值焊接温度
工作结
存储温度范围
马克斯。
2.2
1.4
42
270
-40 + 150
单位
W
°C
热阻
参数
R
θJA
R
θJA
R
θJA
R
θJC
R
θJ -PCB
结到环境
结到环境
结到环境
结到外壳
结到PCB安装
线性降额因子
典型值。
–––
12.5
20
–––
1.0
0.017
马克斯。
58
–––
–––
3.0
–––
单位
° C / W
W / ℃，
100
D = 0.50
热响应（Z thJA ）
10
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
τ
J
τ
J
τ
1
R
1
R
1
τ
2
R
2
R
2
R
3
R
3
τ
3
R
4
R
4
τ
4
R
5
R
5
τ
5
1
RI（ ° C / W）
0.6677
τ
C
τ
C
τi
（秒）
0.000066
0.000896
0.004386
0.686180
0.1
1.0463
1.5612
29.2822
τ
1
τ
2
τ
3
τ
4
τ
5
0.01
单脉冲
（热反应）
CI-
τi /日
CI-
τi /日
25.4550 32
注意事项：
1.占空比D = T1 / T2
2.峰值TJ = P DM X Zthja +锝
0.1
1
10
100
0.001
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）
图3 。
最大有效瞬态热阻抗，结到环境
注意事项：
表面安装1英寸方铜电路板，稳定状态。
二手双面散热，安装垫。
安装在最小的占用空间全尺寸板金属化
背部和小夹散热器。
T
C
同的部分热电偶inContact公司与顶部（漏极）进行测定。
R
θ
的测量是在
T
J
大约90 ℃。
表面安装1英寸方铜
板（静止空气中） 。
安装到同一个印刷电路板
薄间隙填充物和散热器。
（静止空气中）
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安装在最小
足迹全尺寸板
金属化背部和小
夹散热器（静止空气中）
3
IRF6636
1000
顶部
VGS
10V
5.0V
4.5V
4.0V
3.5V
3.0V
2.8V
2.5V
1000
顶部
VGS
10V
5.0V
4.5V
4.0V
3.5V
3.0V
2.8V
2.5V
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
底部
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
底部
10
10
2.5V
1
2.5V
1
0.1
1
≤
在60μs脉冲宽度
TJ = 25°C
10
100
1000
0.1
≤
在60μs脉冲宽度
TJ = 150℃
10
100
1000
1
VDS ，漏极至源极电压（ V）
V DS ，漏极至源极电压（ V）
图4 。
典型的输出特性
1000
VDS = 10V
≤60s
脉冲宽度
100
T J = 150℃
10
T J = 25°C
T J = -40°C
图5 。
典型的输出特性
1.5
ID = 18A
典型的RDS（on ） （正火）
ID ，漏 - 源电流
(Α)
1.0
1
V GS = 10V
V GS = 4.5V
0.5
0.1
1
2
3
4
-60 -40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140 160
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
T J ，结温（ ° C）
图6 。
典型的传输特性
100000
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
ISS = C GS + C GD ，C DS短路
RSS = C GD
OSS = C DS + C GD
图7 。
归一化的导通电阻与温度的关系
50
T J = 25°C
40
典型的RDS （ ON） （ MΩ）
C，电容（pF ）
10000
30
西塞
1000
科斯
CRSS
VGS = 3.0V
VGS = 3.5V
VGS = 4.0V
VGS = 4.5V
VGS = 5.0V
VGS = 10V
20
10
100
1
10
VDS ，漏极至源极电压（ V）
100
0
0
20
40
60
80
100
120
140
图8 。
典型的电容vs.Drain - to-Source电压
图9 。
典型导通电阻比。
漏电流和栅极电压
ID ，漏电流（ A）
4
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IRF6636
1000
1000
在这一领域
限于由R DS （ ON）
100sec
100
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
ISD ，反向漏电流（ A）
100
10
1msec
10msec
10
1
T J = 150℃
T J = 25°C
T J = -40°C
1
0.1
T A = 25°C
VGS = 0V
0
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8
VSD ，源极到漏极电压（V ）
0.01
T J = 150℃
单脉冲
0.01
0.10
1.00
10.00
100.00
图10 。
典型的源漏二极管正向电压
90
VGS （ TH）栅极阈值电压（ V）
Fig11.
最大安全工作区
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
ID = 50μA
VDS ，漏极至源极电压（ V）
80
70
ID ，漏电流（ A）
60
50
40
30
20
10
0
25
50
75
100
125
150
T C ，外壳温度（ ° C）
-75 -50 -25
0
25
50
75 100 125 150
T J ，温度（° C）
图12 。
最大漏极电流与外壳温度
120
EAS ，单脉冲雪崩能量（兆焦耳）
图13 。
阈值电压与温度的关系
ID
100
80
60
40
20
0
25
50
75
100
顶部
6.4A
9.8A
BOTTOM 14A
125
150
开始T J ，结温（ ° C）
图14 。
最大雪崩能量与漏电流
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5
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