IRF5N60
功率MOSFET
概述
这种高电压MOSFET采用先进的终止
方案以提供增强的电压阻断能力
在不降低性能随着时间的推移。另外，该
先进的MOSFET被设计成能承受高能量的
雪崩和减刑模式。新能源
高效的设计还提供了一个漏极至源极二极管用
快速恢复时间。专为高电压，高转速
电源供应器，转换器，开关和应用
PWM电机控制，这些设备是特别好
适用于桥式电路中的二极管速度和
换向安全工作区域是至关重要的，并提供
针对突发的额外电压和安全边际
瞬变。
特点
强大的高压端子
较高的雪崩能量
源极到漏极二极管恢复时间等同于
离散快速恢复二极管
二极管电桥电路的特点是使用
I
DSS
指定高温
引脚配置
T
TO-220FP
符号
D
前视图
摹吃
SO URCE
漏
G
S
1
2
3
N沟道MOSFET
绝对最大额定值
等级
漏电流
连续
脉冲
栅极 - 源极电压
总功耗
减免上述25
工作和存储温度范围
单脉冲漏极至源雪崩能源
热阻
结到外壳
结到环境
最大的铅焊接温度的目的， 1/8“案件从10秒
（1）脉冲宽度和频率由TJ （ max）和热响应不限
T
J
= 25
T
J
, T
英镑
E
AS
CONTINUE
不重复
符号
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
D
价值
5.0
20
±20
±40
35
0.28
-55到150
245
1.0
62.5
260
mJ
/W
V
V
W
W/
单位
A
(V
DD
= 100V, V
GS
= 10V ，我
L
= 7A ，L = 10MH ，R
G
= 25 )
JC
JA
T
L
第1页
IRF5N60
功率MOSFET
订购信息
产品型号
IRF5N60
包
TO- 220全白
电气特性
除非另有规定，T
J
= 25
.
CIRF5N60
特征
漏源击穿电压
(V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A)
漏极 - 源极漏电流
(V
DS
= 600 V, V
GS
= 0 V)
(V
DS
= 480 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125 )
门源漏电流，正向
(V
GSF
= 30 V, V
DS
= 0 V)
门源漏电流，反向
(V
GSR
= -30 V, V
DS
= 0 V)
栅极阈值电压
(V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A)
静态漏源导通电阻（V
GS
= 10 V，I
D
= 2.5A) *
正向跨导（V
DS
＆ GT ;我
D（上）
*R
DS （ ON）最大值
, I
D
= 2.5A) *
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
(V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0兆赫）
(V
DD
= 300 V，I
D
= 2.5 A,
V
GS
= 10 V,
R
G
= 4.7 ) *
(V
DS
= 480 V，I
D
= 5.0 A,
V
GS
= 10 V)*
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
50
50
I
GSSF
I
GSSR
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
3.0
..................
100
.................
-100
5.0
1.8..............2.0
2.5..............4.5...............
...........
.
....680.............884
.
.
民
600
典型值
最大
单位
V
A
nA
nA
V
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
L
D
L
S
姆欧
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nH
nH
103
11
12
10
.................36
21
7.6
139
15
17
.14.
.
30
.................25....................
...................7.5................
4.5
7.5
内部排水电感
（从漏测铅0.25“从包到模具的中心）
内部排水电感
（测量从源铅0.25 “从包装到源焊盘）
源极 - 漏极二极管的特性
正向导通电压（ 1）
向前开启时间
反向恢复时间
*脉冲测试：脉冲宽度300μS ，占空比
**忽略不计，占主导地位的电路中电感
(I
SD
= 5.0 A，V
DD
=100V
d
IS
/d
t
= 100A / μs）内
V
SD
t
on
t
rr
**
................610
1.6
V
ns
ns
1.5%
第2页
QQ：2880707522 复制
