PD - 96989
IRF6633
的DirectFET ？功率MOSFET
l
l
l
l
l
l
l
l
l
符合RoHS标准不含铅和溴化物
薄型（ <0.7毫米）
双面冷却兼容
超低封装电感
优化高频开关
理想的CPU内核的DC -DC转换器
优化为Sync.FET和一些控制FET
应用程序？
低传导损耗和开关损耗
兼容现有的表面贴装技术
典型值（除非另有规定）
V
DSS
V
GS
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
20V最大± 20V最大4.1mΩ @ 10V 7.0mΩ @ 4.5V
Q
g
合计
Q
gd
4.0nC
Q
gs2
1.2nC
Q
rr
32nC
Q
OSS
8.8nC
V
GS （ TH）
1.8V
11nC
MP
适用的DirectFET外形及其基材纲要（见p.7,8了解详情）
SQ
SX
ST
MQ
MX
MT
MP
的DirectFET ？等距
描述
该IRF6633结合了最新的HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET
TM
包装以实现
最低的通态电阻，其具有的MICRO -8和仅0.7毫米轮廓的足迹的软件包。 DirectFET封装兼容
在功率应用中使用的现有布局的几何形状，印刷电路板的组装设备和汽相，红外线或对流焊接
技术中，当应用指南AN- 1035之后是关于制造方法和过程。 DirectFET封装允许
双面冷却，以最大限度地提高电力系统的热传递，由80 ％提高以前的最好的热阻。
该IRF6633平衡了低阻力和低电荷以及超低封装电感减少了导通和开关
损失。减小的总损耗，使这种产品适合于高效率的DC- DC转换器供电的最新一代的处理器
工作在较高的频率。该IRF6633已经优化了在同步降压12千伏运行关键参数
总线转换器，包括RDS（ON）和栅极电荷，以尽量减少在控制FET插座的损失。
绝对最大额定值
参数
V
DS
V
GS
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
D
@ T
C
= 25°C
I
DM
E
AS
I
AR
20
典型的R DS （ ON） （ MΩ）
马克斯。
20
±20
16
13
59
132
41
13
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
单位
V
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏电流， V
GS
连续漏电流， V
GS
漏电流脉冲
雪崩电流
连续漏电流， V
GS
@ 10V
g
e
@ 10V
e
@ 10V
f
h
12
10
8
6
4
2
0
0
4
8
ID = 13A
A
单脉冲雪崩能量
g
mJ
A
ID = 16A
15
10
TJ = 125°C
5
TJ = 25°C
0
2.0
4.0
6.0
8.0
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
10.0
VDS = 16V
VDS = 10V
12
16
20
24
注意事项：
点击此部分链接到相应的技术文件。
点击此部分链接到的DirectFET网站。
表面安装1英寸方铜电路板，稳定状态。
图1 。
典型导通电阻与栅极电压
QG总栅极电荷（ NC）
图2 。
典型的总栅极电荷VS门 - 源极电压
T
C
用热电偶测量安装在顶部的一部分（漏） 。
重复评价;脉冲宽度有限的最大值。结温。
起始物为
J
= 25℃时，L = 0.51mH ，R
G
= 25, I
AS
= 13A.
www.irf.com
1
6/2/05
IRF6633
绝对最大额定值
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
A
= 70°C
P
D
@T
C
= 25°C
T
P
T
J
T
英镑
功耗
功耗
f
功耗
工作结
参数
马克斯。
2.3
1.5
89
270
-40 + 150
单位
W
峰值焊接温度
存储温度范围
°C
热阻
R
θJA
R
θJA
R
θJA
R
θJC
R
θJ -PCB
g
结到环境
dg
结到环境
eg
结到外壳
fg
结到环境
线性降额因子
100
参数
典型值。
–––
12.5
20
–––
1.0
0.018
马克斯。
55
–––
–––
3.0
–––
单位
° C / W
结到PCB安装
W / ℃，
D = 0.50
热响应（Z thJA ）
10
0.20
0.10
0.05
1
0.02
0.01
τ
J
R
1
R
1
τ
J
τ
1
τ
2
R
2
R
2
R
3
R
3
τ
3
R
4
R
4
τ
4
R
5
R
5
τ
C
τ
τ
5
RI（ ° C / W）
0.6676
1.0462
1.5611
29.282
25.455
τi
（秒）
0.000066
0.000896
0.004386
0.68618
32
τ
1
τ
2
τ
3
τ
4
τ
5
CI-
τi /日
CI-
τi /日
0.1
单脉冲
（热反应）
0.01
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
注意事项：
1.占空比D = T1 / T2
2.峰值TJ = P DM X Zthja +锝
1
10
100
T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）
图3 。
最大有效瞬态热阻抗，结到环境
注意事项：
表面安装1英寸方铜电路板，稳定状态。
二手双面散热，安装垫。
安装在最小的占用空间全尺寸板金属化
背部和小夹散热器。
T
C
同的部分热电偶inContact公司与顶部（漏极）进行测定。
R
θ
的测量是在
T
J
大约90 ℃。
表面安装1英寸方铜
板（静止空气中） 。
安装到印刷电路板
同
小夹子散热器（静止空气中）
安装在最小
足迹全尺寸板
金属化背部和小
夹散热器（静止空气中）
www.irf.com
3
IRF6633
1000
顶部
VGS
10V
5.0V
4.5V
4.0V
3.5V
3.0V
2.8V
2.5V
1000
顶部
VGS
10V
5.0V
4.5V
4.0V
3.5V
3.0V
2.8V
2.5V
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
底部
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
底部
10
10
2.5V
1
2.5V
≤60s
脉冲宽度
TJ = 25°C
0.1
0.1
1
10
100
VDS ，漏极至源极电压（ V）
1
0.1
1
≤60s
脉冲宽度
TJ = 150℃
10
100
图4 。
典型的输出特性
1000
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图5 。
典型的输出特性
2.0
ID = 16A
VGS = 4.5V
VGS = 10V
1.5
ID ，漏 - 源电流
(Α)
100
TJ = 150℃
TJ = 25°C
10
TJ = -40°C
典型的RDS（on ） （正火）
VDS = 10V
≤60s
脉冲宽度
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
1.0
1
0.1
1.5
2.0
2.5
0.5
-60 -40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140 160
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
TJ ，结温（ ° C）
图6 。
典型的传输特性
10000
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
西塞=的Cgs + Cgd的，光盘短路
CRSS = Cgd的
图7 。
归一化的导通电阻与温度的关系
20
TJ = 25°C
16
VGS = 3.5V
VGS = 4.0V
VGS = 4.5V
VGS = 5.0V
VGS = 10V
1000
西塞
科斯
典型的RDS （ ON） （ MΩ）
COSS =硫化镉+ Cgd的
C，电容（pF ）
12
8
CRSS
100
1
10
VDS ，漏极至源极电压（ V）
100
4
0
20
40
60
80
100
图8 。
典型的电容vs.Drain - to-Source电压
图9 。
典型导通电阻比。
漏电流和栅极电压
ID ，漏电流（ A）
4
www.irf.com
QQ：2880707522 复制
