PD - 97235
IRF6629PbF
IRF6629TRPbF
l
l
l
l
l
l
l
l
l
符合RoHS
典型值（除非另有规定）
无铅（合格高达260 °C回流温度）
V
DSS
V
GS
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
专用的MOSFET
25V最大± 20V最大1.6mΩ @ 10V 2.1mΩ @ 4.5V
理想的CPU内核的DC -DC转换器
Q
克TOT
Q
gd
Q
gs2
Q
rr
Q
OSS
V
GS （ TH）
低传导损耗
34nC
11nC
4.2nC
27nC
23nC
1.8V
高与Cdv / dt抗扰性
薄型（ <0.7毫米）
双面冷却兼容
兼容现有的表面贴装技术
的DirectFET ？功率MOSFET
MX
适用的DirectFET外形及其基材纲要（见p.7,8了解详情）
SQ
SX
ST
MQ
MX
MT
MP
的DirectFET ？等距
描述
该IRF6629PbF结合了最新的HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET
TM
包装实现
最低的通态电阻中，有一个SO-8和仅0.6毫米轮廓的足迹的软件包。 DirectFET封装兼容
在功率应用中使用的现有布局的几何形状，印刷电路板的组装设备和汽相，红外线或对流焊接
技术中，当应用指南AN- 1035之后是关于制造方法和过程。 DirectFET封装允许
双面冷却，以最大限度地提高电力系统的热传递，由80 ％提高以前的最好的热阻。
该IRF6629PbF平衡了低阻力和低电荷以及超低封装电感减少了导通和
开关损耗。降低总损耗使这款产品非常适用于高效率的DC -DC转换器提供动力的最新一代
处理器工作于更高的频率。该IRF6629PbF已经优化了在同步降压关键参数
其中的Rds（on ） ，栅极电荷和与Cdv / dt的诱导开启免疫力。该IRF6629PbF提供特别低的RDS（ON）和高与Cdv / DT
免疫力同步FET应用。
绝对最大额定值
参数
V
DS
V
GS
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
D
@ T
C
= 25°C
I
DM
E
AS
I
AR
8
典型的RDS （ ON） （ MΩ）
马克斯。
单位
V
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
g
e
e
f
g
h
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
25
±20
29
23
180
230
1170
23
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0.0
0
10
20
30
ID = 23A
VDS = 20V
VDS = 13V
A
mJ
A
7
6
5
4
3
2
1
0
2
T J = 25°C
4
6
8
10
12
ID = 29A
VDS = 5.0V
T J = 125°C
14
16
40
注意事项：
点击此部分链接到相应的技术文件。
点击此部分链接到的DirectFET网站。
表面安装1英寸方铜电路板，稳定状态。
VGS ，门-to - 源电压（V ）
图1 。
典型导通电阻与栅极电压
QG总栅极电荷（ NC）
图2 。
典型的总栅极电荷VS门 - 源极电压
T
C
用热电偶测量安装在顶部的一部分（漏） 。
重复评价;脉冲宽度有限的最大值。结温。
起始物为
J
= 25℃时，L = 4.4mH ，R
G
= 25, I
AS
= 23A.
www.irf.com
1
07/11/06
IRF6629PbF
1000
顶部
VGS
10V
5.0V
4.5V
4.0V
3.5V
3.0V
2.8V
2.5V
1000
顶部
VGS
10V
5.0V
4.5V
4.0V
3.5V
3.0V
2.8V
2.5V
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
底部
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
底部
10
10
2.5V
1
2.5V
≤
在60μs脉冲宽度
0.1
0.1
1
TJ = 25°C
10
1
≤
在60μs脉冲宽度
TJ = 150℃
0.1
1
10
100
1000
100
1000
VDS ，漏极至源极电压（ V）
V DS ，漏极至源极电压（ V）
图4 。
典型的输出特性
1000
VDS = 15V
≤60s
脉冲宽度
100
T J = 150℃
10
T J = 25°C
T J = -40°C
图5 。
典型的输出特性
1.6
ID = 29A
典型的RDS（on ） （正火）
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
1.4
1.2
1.0
V GS = 10V
V GS = 4.5V
1
0.8
0.1
1
2
3
4
0.6
-60 -40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140 160
T J ，结温（ ° C）
图6 。
典型的传输特性
100000
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
ISS = C GS + C GD ，C DS短路
RSS = C GD
OSS = C DS + C GD
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
图7 。
归一化的导通电阻与温度的关系
10
T J = 25°C
8
典型的RDS （ ON） （ MΩ）
C，电容（pF ）
10000
西塞
科斯
CRSS
VGS = 3.5V
VGS = 4.0V
VGS = 4.5V
VGS = 5.0V
VGS = 10V
6
4
1000
2
100
1
10
VDS ，漏极至源极电压（ V）
100
0
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
ID ，漏电流（ A）
图8 。
典型的电容vs.Drain - to-Source电压
图9 。
典型导通电阻比。
漏电流和栅极电压
4
www.irf.com
IRF6629PbF
1000
VGS = 0V
T J = 150℃
100
T J = 25°C
T J = -40°C
1000
在这一领域
限于由R DS （ ON）
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
ISD ，反向漏电流（ A）
100sec
100
1msec
10
10msec
10
1
T A = 25°C
T J = 150℃
0.1
单脉冲
1
0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1
VSD ，源极到漏极电压（V ）
0.01
0.10
1.00
10.00
100.00
图10 。
典型的源漏二极管正向电压
200
180
160
ID ，漏电流（ A）
3.0
典型VGS （ TH）栅极阈值电压（ V）
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图11 。
最大安全工作区
2.5
140
120
100
80
60
40
20
0
25
50
75
100
125
150
T C ，外壳温度（ ° C）
2.0
1.5
ID = 100μA
ID = 250μA
1.0
ID = 1.0毫安
ID = 1.0A
0.5
-75 -50 -25 0
25 50 75 100 125 150 175 200
T J ，温度（° C）
图12 。
最大漏极电流与外壳温度
5000
EAS ，单脉冲雪崩能量（兆焦耳）
图13 。
典型的阈值电压与结
温度
ID
顶部
0.71A
1.2A
BOTTOM 23A
4000
3000
2000
1000
0
25
50
75
100
125
150
开始T J ，结温（ ° C）
图14 。
最大雪崩能量与漏电流
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5
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