PD - 95823A
IRF6620
l
专用的MOSFET
l
理想的CPU内核的DC -DC转换器
l
低传导损耗
l
低开关损耗
l
薄型（ <0.7毫米）
l
双面冷却兼容
l
兼容现有的表面贴装
技术
HEXFET
功率MOSFET
V
DSS
20V
R
DS （ ON）
最大
2.7m@V
GS
= 10V
3.6m@V
GS
= 4.5V
QG （典型值）。
28nC
MX
适用的DirectFET大纲和大纲底物（见第8,9页了解详情）
SQ
SX
ST
MQ
MX
MT
的DirectFET ？等距
描述
该IRF6620结合了最新的HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET
TM
包装以实现
最低的通态电阻，在此有一个SO-8和仅0.7毫米轮廓的足迹的软件包。 DirectFET封装，兼容
在功率应用中，印刷电路板的组装设备和汽相，红外线或对流焊接技使用现有布局的几何形状
niques ，当应用指南AN- 1035之后是关于制造方法和过程。 DirectFET封装允许双
双面冷却，以最大限度地提高电力系统的热传递，由80 ％提高以前的最好的热阻。
该IRF6620平衡了低阻力和低电荷以及超低封装电感减少了导通和开关
损失。减小的总损耗，使这种产品适合于高效率的DC- DC转换器供电的最新一代的处理器
工作在较高的频率。该IRF6620进行了优化是在同步降压12千伏运行关键参数
总线转换器包括的Rds（on ） ，栅极电荷和与Cdv / dt的诱导开启免疫力。该IRF6620提供特别低的RDS（ON）和高
CDV / dt抗扰性的同步FET应用。
绝对最大额定值
参数
V
DS
V
GS
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
A
= 70°C
P
D
@T
C
= 25°C
E
AS
I
AR
T
J
T
英镑
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
功耗
功耗
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
线性降额因子
工作结
存储温度范围
马克斯。
20
±20
150
27
22
220
2.8
1.8
89
39
22
0.017
-40 + 150
单位
V
A
g
g
W
mJ
A
W / ℃，
°C
d
热阻
R
θJA
R
θJA
R
θJA
R
θJC
R
θJ -PCB
结到环境
结到环境
结到环境
结到外壳
结到PCB安装
fj
gj
hj
ij
参数
典型值。
–––
12.5
20
–––
1.0
马克斯。
45
–––
–––
1.4
–––
单位
° C / W
笔记
通过
在第2页
www.irf.com
1
4/2/04
IRF6620
1000
顶部
VGS
10V
7.0V
4.5V
4.0V
3.5V
3.2V
2.9V
2.7V
1000
顶部
VGS
10V
7.0V
4.5V
4.0V
3.5V
3.2V
2.9V
2.7V
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
底部
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
底部
10
10
2.7V
1
2.7V
≤
在60μs脉冲宽度
TJ = 25°C
≤
在60μs脉冲宽度
TJ = 150℃
1
0.1
1
10
100
0.1
0.1
1
10
100
VDS ，漏极至源极电压（ V）
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
1000.0
图2 。
典型的输出特性
1.5
RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻
（归一化）
ID ，漏 - 源电流
(Α)
ID = 27A
VGS = 10V
100.0
T J = 150℃
10.0
1.0
T J = 25°C
1.0
VDS = 10V
≤
在60μs脉冲宽度
0.1
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
0.5
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
T J ，结温（ ° C）
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻与温度的关系
12
ID = 20A
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
100000
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
ISS = C GS + C GD ，C DS短路
RSS = C GD
OSS = C DS + C GD
10
8
6
4
2
0
VDS = 20V
VDS = 10V
C，电容（pF ）
10000
西塞
1000
科斯
CRSS
100
1
10
100
0
20
40
60
80
VDS ，漏极至源极电压（ V）
QG总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容vs.Drain - to-Source电压
图6 。
典型栅极电荷vs.Gate - to-Source电压
www.irf.com
3
RDS （ ON）时，漏 - 源极到导通电阻（ MΩ）
IRF6620
12
160
ID = 27A
10
EAS ，单脉冲雪崩能量（兆焦耳）
120
ID
顶部
7.2A
8.4A
底部
22A
8
6
80
4
T J = 125°C
40
2
T J = 25°C
0
2.0
4.0
6.0
8.0
10.0
0
25
50
75
100
125
150
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
开始T J ，结温（ ° C）
图12 。
导通电阻比。栅极电压
图13C 。
最大雪崩能量与漏电流
15V
L
D
V
DS
司机
VDS
L
+
V
DD
-
RG
V
GS
20V
D.U.T
IAS
tp
+
V
- DD
A
D.U.T
V
GS
脉冲宽度和LT ; 1μS
占空比< 0.1 ％
0.01
图13A 。
非钳位感应测试电路
V
（ BR ） DSS
tp
图14A 。
开关时间测试电路
V
DS
90%
10%
V
GS
I
AS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
图13B 。
非钳位感应波形
电流调节器
同类型D.U.T.
图14B 。
开关时间波形
Id
VDS
VGS
50K
12V
.2F
.3F
D.U.T.
V
GS
3mA
+
V
-
DS
VGS （ TH）
I
G
I
D
电流采样电阻器
Qgs1 QGS2
QGD
Qgodr
图15 。
栅极电荷测试电路
图16 。
栅极电荷波形
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IRF6620
l
专用的MOSFET
l
理想的CPU内核的DC -DC转换器
l
低传导损耗
l
低开关损耗
l
薄型（ <0.7毫米）
l
双面冷却兼容
l
兼容现有的表面贴装
技术
HEXFET
功率MOSFET
V
DSS
20V
R
DS （ ON）
最大
2.7m@V
GS
= 10V
3.6m@V
GS
= 4.5V
QG （典型值）。
28nC
MX
适用的DirectFET大纲和大纲底物（见第8,9页了解详情）
SQ
SX
ST
MQ
MX
MT
的DirectFET ？等距
描述
该IRF6620结合了最新的HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET
TM
包装以实现
最低的通态电阻，在此有一个SO-8和仅0.7毫米轮廓的足迹的软件包。 DirectFET封装，兼容
在功率应用中，印刷电路板的组装设备和汽相，红外线或对流焊接技使用现有布局的几何形状
niques ，当应用指南AN- 1035之后是关于制造方法和过程。 DirectFET封装允许双
双面冷却，以最大限度地提高电力系统的热传递，由80 ％提高以前的最好的热阻。
该IRF6620平衡了低阻力和低电荷以及超低封装电感减少了导通和开关
损失。减小的总损耗，使这种产品适合于高效率的DC- DC转换器供电的最新一代的处理器
工作在较高的频率。该IRF6620进行了优化是在同步降压12千伏运行关键参数
总线转换器包括的Rds（on ） ，栅极电荷和与Cdv / dt的诱导开启免疫力。该IRF6620提供特别低的RDS（ON）和高
CDV / dt抗扰性的同步FET应用。
绝对最大额定值
参数
V
DS
V
GS
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
A
= 70°C
P
D
@T
C
= 25°C
E
AS
I
AR
T
J
T
英镑
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
功耗
功耗
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
线性降额因子
工作结
存储温度范围
马克斯。
20
±20
150
27
22
220
2.8
1.8
89
39
22
0.017
-40 + 150
单位
V
A
g
g
W
mJ
A
W / ℃，
°C
d
热阻
R
θJA
R
θJA
R
θJA
R
θJC
R
θJ -PCB
结到环境
结到环境
结到环境
结到外壳
结到PCB安装
fj
gj
hj
ij
参数
典型值。
–––
12.5
20
–––
1.0
马克斯。
45
–––
–––
1.4
–––
单位
° C / W
笔记
通过
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4/2/04
IRF6620
1000
顶部
VGS
10V
7.0V
4.5V
4.0V
3.5V
3.2V
2.9V
2.7V
1000
顶部
VGS
10V
7.0V
4.5V
4.0V
3.5V
3.2V
2.9V
2.7V
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
底部
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
底部
10
10
2.7V
1
2.7V
≤
在60μs脉冲宽度
TJ = 25°C
≤
在60μs脉冲宽度
TJ = 150℃
1
0.1
1
10
100
0.1
0.1
1
10
100
VDS ，漏极至源极电压（ V）
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
1000.0
图2 。
典型的输出特性
1.5
RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻
（归一化）
ID ，漏 - 源电流
(Α)
ID = 27A
VGS = 10V
100.0
T J = 150℃
10.0
1.0
T J = 25°C
1.0
VDS = 10V
≤
在60μs脉冲宽度
0.1
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
0.5
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
T J ，结温（ ° C）
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻与温度的关系
12
ID = 20A
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
100000
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
ISS = C GS + C GD ，C DS短路
RSS = C GD
OSS = C DS + C GD
10
8
6
4
2
0
VDS = 20V
VDS = 10V
C，电容（pF ）
10000
西塞
1000
科斯
CRSS
100
1
10
100
0
20
40
60
80
VDS ，漏极至源极电压（ V）
QG总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容vs.Drain - to-Source电压
图6 。
典型栅极电荷vs.Gate - to-Source电压
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RDS （ ON）时，漏 - 源极到导通电阻（ MΩ）
IRF6620
12
160
ID = 27A
10
EAS ，单脉冲雪崩能量（兆焦耳）
120
ID
顶部
7.2A
8.4A
底部
22A
8
6
80
4
T J = 125°C
40
2
T J = 25°C
0
2.0
4.0
6.0
8.0
10.0
0
25
50
75
100
125
150
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
开始T J ，结温（ ° C）
图12 。
导通电阻比。栅极电压
图13C 。
最大雪崩能量与漏电流
15V
L
D
V
DS
司机
VDS
L
+
V
DD
-
RG
V
GS
20V
D.U.T
IAS
tp
+
V
- DD
A
D.U.T
V
GS
脉冲宽度和LT ; 1μS
占空比< 0.1 ％
0.01
图13A 。
非钳位感应测试电路
V
（ BR ） DSS
tp
图14A 。
开关时间测试电路
V
DS
90%
10%
V
GS
I
AS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
图13B 。
非钳位感应波形
电流调节器
同类型D.U.T.
图14B 。
开关时间波形
Id
VDS
VGS
50K
12V
.2F
.3F
D.U.T.
V
GS
3mA
+
V
-
DS
VGS （ TH）
I
G
I
D
电流采样电阻器
Qgs1 QGS2
QGD
Qgodr
图15 。
栅极电荷测试电路
图16 。
栅极电荷波形
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