PD - 95822A
HEXFET
l
低传导损耗
IRF6609
功率MOSFET
Qg
46nC
V
DSS
20V
R
DS （ ON）
最大
2.0m@V
GS
= 10V
2.6m@V
GS
= 4.5V
低开关损耗
l
理想的同步整流MOSFET
l
薄型（ <0.7毫米）
l
双面冷却兼容
l
兼容现有的表面贴装
技术
l
适用的DirectFET大纲和大纲底物（见第8,9页了解详情）
SQ
SX
ST
MQ
MX
MT
MT
的DirectFET ？等距
描述
该IRF6609结合了最新的HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET
TM
包装以实现
最低的通态电阻，在此有一个SO-8和仅0.7毫米轮廓的足迹的软件包。 DirectFET封装兼容
在功率应用中使用的现有布局的几何形状，印刷电路板的组装设备和汽相，红外线或对流焊接
技术中，当应用指南AN- 1035之后是关于制造方法和过程。 DirectFET封装
允许双面冷却，最大限度地电力系统的热传递，由80 ％提高以前的最好的热阻。
该IRF6609平衡了低阻力和低电荷以及超低封装电感减少了导通和
开关损耗。减小的总损耗，使这种产品适合于高效率的DC- DC转换器供电的最新一代
处理器工作在更高的频率。该IRF6609进行了优化是在同步降压关键参数
从12伏母线转换器的操作，包括RDS（ON） ，栅极电荷和与Cdv / dt的诱导开启免疫力。该IRF6609报价
特别是低RDS（on ）和高与Cdv / dt抗扰性的同步FET应用。
绝对最大额定值
参数
V
DS
V
GS
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
A
= 70°C
P
D
@T
C
= 25°C
T
J
T
英镑
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
马克斯。
20
±20
150
31
25
250
2.8
1.8
89
0.022
-40 + 150
单位
V
A
g
功耗
g
功耗
c
W
W / ℃，
°C
功耗
线性降额因子
工作结
存储温度范围
热阻
R
θJA
R
θJA
R
θJA
R
θJC
R
θJ -PCB
fj
结到环境
gj
结到环境
hj
结到外壳
ij
结到环境
参数
典型值。
–––
12.5
20
–––
1.0
马克斯。
45
–––
–––
1.4
–––
单位
° C / W
结到PCB安装
笔记
通过
在第10页
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1
11/10/04
IRF6609
100000
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
ISS = C GS + C GD ，C DS短路
RSS = C GD
OSS = C DS + C GD
12
ID = 17A
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
10
8
6
4
2
0
VDS = 20V
VDS = 10V
C，电容（pF ）
10000
西塞
科斯
1000
CRSS
100
1
10
100
0
20
40
60
80
100
120
VDS ，漏极至源极电压（ V）
QG总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
1000.0
1000
在这一领域
限于由R DS （ ON）
100.0
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
ISD ，反向漏电流（ A）
T J = 150℃
100
100sec
10.0
10
1.0
T J = 25°C
VGS = 0V
1
TC = 25°C
TJ = 150℃
单脉冲
0.1
0
1
10
1msec
10msec
100
0.1
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
VSD ，源极到漏极电压（V ）
VDS ，漏toSource电压（V ）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
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IRF6618/IRF6618TR1
V
DSS
专用的MOSFET
l
理想的CPU内核的DC -DC转换器
l
低传导损耗
l
低开关损耗
l
薄型（ <0.7毫米）
l
双面冷却兼容
l
兼容现有的表面贴装
技术
l
PD - 94726D
HEXFET
功率MOSFET
R
DS （ ON）
最大
2.2m@V
GS
= 10V
3.4m@V
GS
= 4.5V
Qg
43 NC
30V
MT
适用的DirectFET封装/焊盘布局（见第8,9页了解详情）
的DirectFET ？等距
SQ
SX
ST
MQ
MX
MT
描述
该IRF6618结合了最新的HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET
TM
包装以实现
最低的通态电阻，在此有一个SO-8和仅0.7毫米轮廓的足迹的软件包。 DirectFET封装兼容
在功率应用中使用的现有布局的几何形状，印刷电路板的组装设备和汽相，红外线或对流焊接
技术中，当应用指南AN- 1035之后是关于制造方法和过程。 DirectFET封装
允许双面冷却，最大限度地电力系统的热传递，由80 ％提高以前的最好的热阻。
该IRF6618平衡了低阻力和低电荷以及超低封装电感减少了导通和
开关损耗。减小的总损耗，使这种产品适合于高效率的DC- DC转换器供电的最新一代
处理器工作在更高的频率。该IRF6618已经优化了在同步降压关键参数
转换器包括的Rds（on ） ，栅极电荷和与Cdv / dt的诱导开启免疫力。该IRF6618提供特别低的RDS（ON）和高与Cdv /
dt抗扰性的同步FET应用。
绝对最大额定值
参数
V
DS
V
GS
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
A
= 70°C
P
D
@T
C
= 25°C
T
J
T
英镑
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
功耗
马克斯。
30
±20
170
30
24
240
2.8
1.8
89
0.022
-40 + 150
单位
V
A
g
g
W
W / ℃，
°C
功耗
线性降额因子
工作结
存储温度范围
参数
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
雪崩特性
E
AS
I
AR
热阻
R
θ
JA
R
θJA
R
θJA
R
θ
JC
R
θJ -PCB
d
典型值。
–––
–––
马克斯。
210
24
单位
mJ
A
结到环境
结到环境
结到环境
结到外壳
参数
i
fj
g
h
典型值。
–––
12.5
20
–––
1.0
马克斯。
45
–––
–––
1.4
–––
单位
° C / W
结到PCB安装
笔记
通过
9页
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1
11/3/04
IRF6618/IRF6618TR1
1000
顶部
VGS
10V
7.0V
4.5V
4.0V
3.5V
3.2V
2.9V
2.7V
1000
顶部
VGS
10V
7.0V
4.5V
4.0V
3.5V
3.2V
2.9V
2.7V
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
底部
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
底部
100
2.7V
2.7V
10
≤
在60μs脉冲宽度
1
0.1
1
TJ = 25°C
≤
在60μs脉冲宽度
10
TJ = 150℃
0.1
1
10
100
10
100
V DS ，漏极至源极电压（ V）
V DS ，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
1000
图2 。
典型的输出特性
1.5
100
T J = 150℃
10
T J = 25°C
RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻
（归一化）
ID ，漏 - 源电流
(Α)
ID = 30A
VGS = 10V
1.0
1
VDS = 10V
≤60s
脉冲宽度
0.1
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0.5
-60 -40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
图3 。
典型的传输特性
100000
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
ISS = C GS + C GD ，C DS短路
RSS = C GD
OSS = C DS + C GD
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
T J ，结温（ ° C）
图4 。
归一化的导通电阻与温度的关系
6.0
ID = 24A
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0.0
VDS = 24V
VDS = 15V
C，电容（pF ）
10000
西塞
科斯
1000
CRSS
100
1
10
100
0
10
20
30
40
50
60
VDS ，漏极至源极电压（ V）
QG总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
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IRF6618/IRF6618TR1
V
DSS
专用的MOSFET
l
理想的CPU内核的DC -DC转换器
l
低传导损耗
l
低开关损耗
l
薄型（ <0.7毫米）
l
双面冷却兼容
l
兼容现有的表面贴装
技术
l
PD - 94726D
HEXFET
功率MOSFET
R
DS （ ON）
最大
2.2m@V
GS
= 10V
3.4m@V
GS
= 4.5V
Qg
43 NC
30V
MT
适用的DirectFET封装/焊盘布局（见第8,9页了解详情）
的DirectFET ？等距
SQ
SX
ST
MQ
MX
MT
描述
该IRF6618结合了最新的HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET
TM
包装以实现
最低的通态电阻，在此有一个SO-8和仅0.7毫米轮廓的足迹的软件包。 DirectFET封装兼容
在功率应用中使用的现有布局的几何形状，印刷电路板的组装设备和汽相，红外线或对流焊接
技术中，当应用指南AN- 1035之后是关于制造方法和过程。 DirectFET封装
允许双面冷却，最大限度地电力系统的热传递，由80 ％提高以前的最好的热阻。
该IRF6618平衡了低阻力和低电荷以及超低封装电感减少了导通和
开关损耗。减小的总损耗，使这种产品适合于高效率的DC- DC转换器供电的最新一代
处理器工作在更高的频率。该IRF6618已经优化了在同步降压关键参数
转换器包括的Rds（on ） ，栅极电荷和与Cdv / dt的诱导开启免疫力。该IRF6618提供特别低的RDS（ON）和高与Cdv /
dt抗扰性的同步FET应用。
绝对最大额定值
参数
V
DS
V
GS
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
A
= 70°C
P
D
@T
C
= 25°C
T
J
T
英镑
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
功耗
马克斯。
30
±20
170
30
24
240
2.8
1.8
89
0.022
-40 + 150
单位
V
A
g
g
W
W / ℃，
°C
功耗
线性降额因子
工作结
存储温度范围
参数
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
雪崩特性
E
AS
I
AR
热阻
R
θ
JA
R
θJA
R
θJA
R
θ
JC
R
θJ -PCB
d
典型值。
–––
–––
马克斯。
210
24
单位
mJ
A
结到环境
结到环境
结到环境
结到外壳
参数
i
fj
g
h
典型值。
–––
12.5
20
–––
1.0
马克斯。
45
–––
–––
1.4
–––
单位
° C / W
结到PCB安装
笔记
通过
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IRF6618/IRF6618TR1
1000
顶部
VGS
10V
7.0V
4.5V
4.0V
3.5V
3.2V
2.9V
2.7V
1000
顶部
VGS
10V
7.0V
4.5V
4.0V
3.5V
3.2V
2.9V
2.7V
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
底部
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
底部
100
2.7V
2.7V
10
≤
在60μs脉冲宽度
1
0.1
1
TJ = 25°C
≤
在60μs脉冲宽度
10
TJ = 150℃
0.1
1
10
100
10
100
V DS ，漏极至源极电压（ V）
V DS ，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
1000
图2 。
典型的输出特性
1.5
100
T J = 150℃
10
T J = 25°C
RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻
（归一化）
ID ，漏 - 源电流
(Α)
ID = 30A
VGS = 10V
1.0
1
VDS = 10V
≤60s
脉冲宽度
0.1
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0.5
-60 -40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
图3 。
典型的传输特性
100000
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
ISS = C GS + C GD ，C DS短路
RSS = C GD
OSS = C DS + C GD
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
T J ，结温（ ° C）
图4 。
归一化的导通电阻与温度的关系
6.0
ID = 24A
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0.0
VDS = 24V
VDS = 15V
C，电容（pF ）
10000
西塞
科斯
1000
CRSS
100
1
10
100
0
10
20
30
40
50
60
VDS ，漏极至源极电压（ V）
QG总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
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