PD - 95881
IRF6613
l
l
l
l
l
l
l
专用的MOSFET
理想的同步整流隔离
DC- DC转换器
低传导损耗
低开关损耗
薄型（ <0.7毫米）
双面冷却兼容
兼容现有的表面贴装技术
HEXFET
功率MOSFET
V
DSS
40V
R
DS （ ON）
最大
3.4m@V
GS
= 10V
4.1m@V
GS
= 4.5V
QG （典型值）。
42nC
MT
适用的DirectFET大纲和大纲底物（见第8,9页了解详情）
SQ
SX
ST
MQ
MX
MT
的DirectFET ？等距
描述
该IRF6613结合了最新的HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET
TM
包装以实现
最低的通态电阻，在此有一个SO-8和仅0.7毫米轮廓的足迹的软件包。 DirectFET封装，兼容
在功率应用中使用的现有布局的几何结构，印刷电路板的组装设备和汽相，红外线或对流焊接技术，
当应用指南AN- 1035之后是关于制造方法和过程。 DirectFET封装允许双面
冷却最大限度地提高电力系统的热传递，由80 ％提高以前的最好的热阻。
该IRF6613平衡了低阻力和低电荷以及超低封装电感减少了导通和开关
损失。减小的总损耗，使这种产品适合于高效率的DC- DC转换器供电的最新一代的处理器
工作在较高的频率。该IRF6613进行了优化的关键是在同步降压转换器，包括参数
RDS（ON） ，栅极电荷和与Cdv / dt的诱导开启免疫力。该IRF6613提供特别低的RDS（ON）和高与Cdv / dt抗扰性进行同步的
理性FET应用。
绝对最大额定值
参数
V
DS
V
GS
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
A
= 70°C
E
AS
I
AR
T
J
T
英镑
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
功耗
功耗
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
线性降额因子
工作结
存储温度范围
马克斯。
40
±20
150
23
18
180
89
2.8
1.8
200
18
0.022
-40 + 150
单位
V
A
g
g
d
f
W
mJ
A
W / ℃，
°C
热阻
R
θJA
R
θJA
R
θJA
R
θJC
R
θJ -PCB
结到环境
结到环境
结到环境
结到外壳
结到PCB安装
fj
gj
hj
ij
参数
典型值。
–––
12.5
20
–––
1.0
马克斯。
45
–––
–––
1.4
–––
单位
° C / W
笔记
通过
在第2页
www.irf.com
1
8/18/04
IRF6613
1000
顶部
VGS
10V
7.0V
4.5V
4.0V
3.5V
3.2V
2.9V
2.7V
1000
顶部
VGS
10V
7.0V
4.5V
4.0V
3.5V
3.2V
2.9V
2.7V
100
底部
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
底部
100
2.7V
10
2.7V
≤
在60μs脉冲宽度
TJ = 25°C
1
0.1
1
10
100
≤
在60μs脉冲宽度
TJ = 150℃
10
0.1
1
10
100
VDS ，漏极至源极电压（ V）
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
1000.0
图2 。
典型的输出特性
2.0
RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻
ID = 23A
ID ，漏 - 源电流
(Α)
VGS = 10V
100.0
10.0
（归一化）
TJ = 150℃
1.5
1.0
TJ = 25°C
VDS = 15V
1.0
≤
在60μs脉冲宽度
0.1
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
0.5
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
TJ ，结温（ ° C）
图3 。
典型的传输特性
100000
图4 。
归一化的导通电阻与温度的关系
12
ID = 18A
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
西塞=的Cgs + Cgd的，光盘短路
CRSS = Cgd的
COSS =硫化镉+ Cgd的
VDS = 32V
VDS = 20V
10
8
6
4
2
0
C，电容（pF ）
10000
西塞
1000
科斯
CRSS
100
1
10
100
0
20
40
60
80
100
VDS ，漏极至源极电压（ V）
QG总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容vs.Drain - to-Source电压
www.irf.com
图6 。
典型栅极电荷vs.Gate - to-Source电压
3
PD - 95881
IRF6613
l
l
l
l
l
l
l
专用的MOSFET
理想的同步整流隔离
DC- DC转换器
低传导损耗
低开关损耗
薄型（ <0.7毫米）
双面冷却兼容
兼容现有的表面贴装技术
HEXFET
功率MOSFET
V
DSS
40V
R
DS （ ON）
最大
3.4m@V
GS
= 10V
4.1m@V
GS
= 4.5V
QG （典型值）。
42nC
MT
适用的DirectFET大纲和大纲底物（见第8,9页了解详情）
SQ
SX
ST
MQ
MX
MT
的DirectFET ？等距
描述
该IRF6613结合了最新的HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET
TM
包装以实现
最低的通态电阻，在此有一个SO-8和仅0.7毫米轮廓的足迹的软件包。 DirectFET封装，兼容
在功率应用中使用的现有布局的几何结构，印刷电路板的组装设备和汽相，红外线或对流焊接技术，
当应用指南AN- 1035之后是关于制造方法和过程。 DirectFET封装允许双面
冷却最大限度地提高电力系统的热传递，由80 ％提高以前的最好的热阻。
该IRF6613平衡了低阻力和低电荷以及超低封装电感减少了导通和开关
损失。减小的总损耗，使这种产品适合于高效率的DC- DC转换器供电的最新一代的处理器
工作在较高的频率。该IRF6613进行了优化的关键是在同步降压转换器，包括参数
RDS（ON） ，栅极电荷和与Cdv / dt的诱导开启免疫力。该IRF6613提供特别低的RDS（ON）和高与Cdv / dt抗扰性进行同步的
理性FET应用。
绝对最大额定值
参数
V
DS
V
GS
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
A
= 70°C
E
AS
I
AR
T
J
T
英镑
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
功耗
功耗
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
线性降额因子
工作结
存储温度范围
马克斯。
40
±20
150
23
18
180
89
2.8
1.8
200
18
0.022
-40 + 150
单位
V
A
g
g
d
f
W
mJ
A
W / ℃，
°C
热阻
R
θJA
R
θJA
R
θJA
R
θJC
R
θJ -PCB
结到环境
结到环境
结到环境
结到外壳
结到PCB安装
fj
gj
hj
ij
参数
典型值。
–––
12.5
20
–––
1.0
马克斯。
45
–––
–––
1.4
–––
单位
° C / W
笔记
通过
在第2页
www.irf.com
1
8/18/04
IRF6613
1000
顶部
VGS
10V
7.0V
4.5V
4.0V
3.5V
3.2V
2.9V
2.7V
1000
顶部
VGS
10V
7.0V
4.5V
4.0V
3.5V
3.2V
2.9V
2.7V
100
底部
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
底部
100
2.7V
10
2.7V
≤
在60μs脉冲宽度
TJ = 25°C
1
0.1
1
10
100
≤
在60μs脉冲宽度
TJ = 150℃
10
0.1
1
10
100
VDS ，漏极至源极电压（ V）
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
1000.0
图2 。
典型的输出特性
2.0
RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻
ID = 23A
ID ，漏 - 源电流
(Α)
VGS = 10V
100.0
10.0
（归一化）
TJ = 150℃
1.5
1.0
TJ = 25°C
VDS = 15V
1.0
≤
在60μs脉冲宽度
0.1
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
0.5
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
TJ ，结温（ ° C）
图3 。
典型的传输特性
100000
图4 。
归一化的导通电阻与温度的关系
12
ID = 18A
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
西塞=的Cgs + Cgd的，光盘短路
CRSS = Cgd的
COSS =硫化镉+ Cgd的
VDS = 32V
VDS = 20V
10
8
6
4
2
0
C，电容（pF ）
10000
西塞
1000
科斯
CRSS
100
1
10
100
0
20
40
60
80
100
VDS ，漏极至源极电压（ V）
QG总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容vs.Drain - to-Source电压
www.irf.com
图6 。
典型栅极电荷vs.Gate - to-Source电压
3
QQ：2880707522 复制
